公开(公告)号：CN116096082A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211348797.5

申请日：2022-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金俞琳 ,  林舒禧 ,  李公洙 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：基板；导电线，在基板上在第一水平方向上延伸；隔离绝缘层，在基板和导电线上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并限定从隔离绝缘层的上表面延伸穿过隔离绝缘层到隔离绝缘层的下表面的沟道沟槽；结晶氧化物半导体层，沿着沟道沟槽的内侧表面的至少一部分和沟道沟槽的底表面的至少一部分延伸并电连接到导电线；以及栅电极，在沟道沟槽内在结晶氧化物半导体层上在第二水平方向上延伸。

公开(公告)号：CN115996576A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211272066.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旻炅 ,  李洙衡 ,  林舒禧 ,  延国贤 ,  卓容奭

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成模结构，该模结构包括交替地且重复地堆叠在基板上的绝缘层和牺牲层；形成延伸穿过模结构的沟道孔；在沟道孔中形成阻挡层；在阻挡层上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成包括掺杂元素的隧道绝缘层；执行热处理以使掺杂元素从隧道绝缘层扩散到电荷存储层；以及在隧道绝缘层上形成沟道层。