公开(公告)号：CN110416061B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金𡜧娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

公开(公告)号：CN110416061A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

公开(公告)号：CN108695255A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201711120779.0

申请日：2017-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  康珉材 ,  李周利

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/02656 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/458 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/0886

Abstract: 一种制造集成电路装置的方法和一种根据该方法制造的集成电路装置，所述方法包括：在基底的有源区上形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有硅(Si)原子与碳(C)原子之间的键的前驱体；蚀刻有源区的一部分，以在有源区中形成凹部；在氢(H2)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。