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发明公开
半导体设备审中-实审

公开(公告)号：CN116583105A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310045511.4

申请日：2023-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 , 尹智园 , 金俞琳 , 李柾汉 , 卓容奭

IPC: H10B12/00 , H01L29/24

Abstract: 一种半导体设备包括：位线，其在衬底上在第一水平方向上延伸；沟道层，其位于位线上，沟道层在竖直方向上延伸，包括包含铟的第一氧化物半导体材料，并且具有第一侧壁和第二侧壁；字线，其位于沟道层的第一侧壁上；接触形成区域，其位于沟道层的顶表面和第二侧壁的上部上，接触形成区域包括包含铟并且具有比沟道层的电阻率低的电阻率的第二氧化物半导体材料；接触层，其位于接触形成区域上；以及电容器结构，其位于接触层的顶表面上。

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