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公开(公告)号：CN103026484A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201280002155.8
申请日：2012-01-11
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/822 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/49527 , H01L22/22 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L27/0688 , H01L2224/13009 , H01L2224/13147 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H03K19/00392 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种三维集成电路。芯片重叠于再布线构件上。接合构件和冗余接合构件形成于芯片上，并对芯片和再布线构件之间进行电连接。在芯片和再布线部件分别形成有冗余救济电路，在连接部件之一产生缺陷的情况下，使冗余接合构件之一代替包含缺陷的接合构件而在芯片和在布线构件之间传递信号。在再布线构件和芯片之间的间隔比规定阈值大的区域比其他的区域，在多个接合构件中通过冗余救济电路能够以冗余接合构件进行代替的接合构件的比例高。
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公开(公告)号：CN108074903A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711130270.4
申请日：2017-11-15
申请人： 新光电气工业株式会社
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L21/4832 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L21/4825 , H01L23/49527
摘要： 本发明公开了一种包括端子部分(14)的引线框架(1a，1b，1c，1d)。端子部分(14)包括：柱状的电极(14a)；第一金属镀层(40)，其形成在电极(14a)的上表面上；以及第二金属镀层(42)，其形成在电极的下表面上。端子部分(14)包括多个端子部分(14)。引线框架还包括联接到多个端子部分(14)的联接部分(16)。电极的上表面和联接部分(16)之间的第一距离大于电极的下表面和联接部分(16)之间的第二距离。
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公开(公告)号：CN105321912B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201410848102.9
申请日：2014-12-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/544 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227
摘要： 本发明提供了一种封装件，包括器件管芯、将器件管芯模制在其中的模制材料、以及位于器件管芯和模制材料上面的多条再分布线。激光标记焊盘与多条再分布线中的一条共面，其中，激光标记焊盘和该多条再分布线中的一条由相同的导电材料形成。聚合物层位于激光标记焊盘和多条再分布线上方。胶带附接在聚合物层上方。激光标记穿过胶带和聚合物层。激光标记延伸至激光标记焊盘的顶面。本发明还提供了形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN104051363B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410094226.2
申请日：2014-03-14
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/5381 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2223/54486 , H01L2224/12105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要： 芯片封装和用于制造该芯片封装的方法。各种实施例提供了一种芯片封装。该芯片封装可包括金属芯片载体；由所述金属芯片载体承载的至少一个芯片；密封材料，其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封；以及多个重新分布层，其被设置在与金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。
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公开(公告)号：CN106328624A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610515932.9
申请日：2016-07-01
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/4857 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49861 , H01L2224/16 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L23/49558 , H01L21/4825 , H01L23/4952 , H01L23/49527 , H01L23/49534 , H01L24/83 , H01L2224/83194
摘要： 制造具有多层囊封的传导基板的半导体封装的方法及结构。在一个实施例中，半导体封装包括具有精细节距的多层囊封传导基板。该多层囊封传导基板包括：彼此间隔开的传导引线；第一囊封物，其安置在引线之间；第一传导层，其电连接到多个引线；传导柱，其安置在该第一传导层上；第二囊封物，其囊封第一传导层和传导柱；以及第二传导层，其电连接到传导柱并且在第二囊封物中暴露。半导体裸片电连接到该第二图案化传导层。第三囊封物至少覆盖该半导体裸片。
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公开(公告)号：CN105826209A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610251687.5
申请日：2012-06-19
申请人： 乾坤科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L21/4821 , H01L21/76877 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49534 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/215 , H01L2224/24011 , H01L2224/24247 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , Y10T29/49123 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一种在金属架上形成传导图案的电性连结堆迭架的制造方法及具有该金属架的封装结构。在一具体实施中，该电性连结堆迭架是在金属架形成一凹洞以及于此凹洞中结合传导元件的方法制作。在另一具体实施中，该电性连结堆迭架是在一导线架的上表面或下表面或上下表面分别形成该传导图案。该封装结构具有使用该方法的导线架。
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公开(公告)号：CN103026484B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201280002155.8
申请日：2012-01-11
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/822 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/49527 , H01L22/22 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L27/0688 , H01L2224/13009 , H01L2224/13147 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H03K19/00392 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种三维集成电路。芯片重叠于再布线构件上。接合构件和冗余接合构件形成于芯片上，并对芯片和再布线构件之间进行电连接。在芯片和再布线部件分别形成有冗余救济电路，在连接部件之一产生缺陷的情况下，使冗余接合构件之一代替包含缺陷的接合构件而在芯片和在布线构件之间传递信号。在再布线构件和芯片之间的间隔比规定阈值大的区域比其他的区域，在多个接合构件中通过冗余救济电路能够以冗余接合构件进行代替的接合构件的比例高。
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公开(公告)号：CN102842557A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210209819.X
申请日：2012-06-19
申请人： 乾坤科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L21/4821 , H01L21/76877 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49534 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/215 , H01L2224/24011 , H01L2224/24247 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , Y10T29/49123 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一种在金属架上形成传导图案的电性连结堆迭架的制造方法及具有该金属架的封装结构。在一具体实施中，该电性连结堆迭架是在金属架形成一凹洞以及于此凹洞中结合传导元件的方法制作。在另一具体实施中，该电性连结堆迭架是在一导线架的上表面或下表面或上下表面分别形成该传导图案。该封装结构具有使用该方法的导线架。
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公开(公告)号：CN206505916U
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201621366066.3
申请日：2016-12-13
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： A·阿里戈尼
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49506 , H01L21/4825 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49548 , H01L23/49805 , H01L23/4985 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/14505 , H01L2224/16225 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/8182 , H01L2924/14 , H01L2924/18161 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 各个实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括引线框架，该引线框架包括接触管脚和具有突出的连接形成物的半导体裸片。柔性支撑构件被设置在引线框架和半导体裸片之间并支撑半导体裸片。柔性支撑构件具有在引线框架和半导体裸片之间延伸的导电线。柔性支撑构件的导电线与引线框架的接触管脚以及半导体裸片的连接形成物电耦合。
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公开(公告)号：CN203520395U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201220757327.X
申请日：2012-12-17
申请人： 半导体元件工业有限公司
IPC分类号： G06F17/50 , H01L23/488
CPC分类号： G06F17/5068 , G06F17/5045 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , H01L23/4951 , H01L23/49527 , H01L23/49534 , H01L23/522 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要： 本实用新型涉及一种互连焊盘上的焊盘结构设计。设计规则检查器在集成电路中位于顶部金属化层和焊盘开口之下的第一中间金属化层中进行最大图案密度检查。至少在如果主要金属化材料的模量小于周围电介质材料的模量的一些情况下，进行最大图案密度检查。最大图案密度检查验证位于下面的部分内的图案密度低于取决于入口焊盘密度的最大图案密度。在这部分中也进行最大金属宽度检查。
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