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公开(公告)号：CN1639054B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN03804567.2
申请日：2003-02-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: B01L3/502707 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00788 , B01J2219/00822 , B01J2219/00833 , B01J2219/0086 , B01J2219/00869 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0838 , B01L2300/0874 , B01L2300/0887 , B01L2400/0481 , B01L2400/0655 , B81B2201/051 , B81C1/00119 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及微型流体系统用支撑单元及其制造方法，所述微型流体系统用支撑单元具备：第一支撑体(2)；设在该第一支撑体(2)的表面的第一粘合剂层(1a)；由在第一粘合剂层(1a)的表面敷设成任意形状的多个中空细丝(501～508)所构成的第一中空细丝组群；由正交于该第一中空细丝组群的方向敷设的多个中空细(511～518)所构成的第二中空细丝组群；设在该第二中空细丝组群的表面的第二粘合剂层(1b)；以及设在第二粘合剂层(1b)的表面的第二支撑体(6)。第一及第二中空网丝组群构成流路层。
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公开(公告)号：CN101258102B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200680032943.6
申请日：2006-08-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: F04B43/043 , B01L3/5027 , B01L3/502707 , B01L3/50273 , B01L3/502738 , B01L2200/10 , B01L2200/12 , B01L2300/0645 , B01L2300/0874 , B01L2300/0887 , B01L2300/1827 , B01L2400/0481 , B01L2400/0638 , B81C1/00119 , B81C1/00182 , B81C99/0095 , B81C2201/019 , F16K99/0001 , F16K99/0007 , F16K99/0015 , F16K99/0034 , F16K99/0051 , F16K2099/008 , F16K2099/0084
Abstract: 本发明涉及一种制造微型系统的方法以及这样的微型系统。利用所述方法，可以通过堆叠预处理过的箔(10)来制造微型系统，所述箔的至少一侧上具有传导层(11a、11b)。在堆叠之后，使用压力和热将箔(10)粘合。最后将所述微型系统与堆叠(S)分离。箔的所述预处理(优选地利用激光束实现)包括对下列步骤的选择：(A)保持箔完整，(B)局部地除去传导层，(C)除去传导层并部分地蒸发箔(10)，以及(D)将传导层和箔(10)都除去，从而在箔(10)中形成孔。与所述堆叠相结合，可以构建洞、自由悬挂翻板和薄膜。这获得了制造各种微型系统的可能，如MEMS设备和微流体系统。
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公开(公告)号：CN101198904B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680015806.1
申请日：2006-05-05
Applicant: 陶氏康宁公司
CPC classification number: G03F7/0002 , B41M1/34 , B41M3/003 , B81C1/0038 , B81C2201/019 , B81C2201/0191 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种用于亚微米印花转移光刻术的方法。该方法包括：在第一含硅弹性体(200)的表面上形成第一图案；把所述第一图案的至少一部分粘结到基板(210)；以及蚀刻(220)所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的一部分。
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公开(公告)号：CN101078663B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200710104276.4
申请日：2007-05-23
Applicant: 森斯瑞控股股份公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0264 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相接合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除也第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。
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公开(公告)号：CN1618722B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200410055679.0
申请日：2004-08-02
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81C2201/019 , B81C2203/019 , G01P2015/082
Abstract: 一种微机电系统，包括第一晶片(30)，带有可移动的部分(50)的第二晶片(40)和第三晶片(20)。可移动的部分(50)在第一晶片(30)与第三晶片(20)之间可移动。第一晶片(30)，第二晶片(40)和第三晶片(20)被粘结在一起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101599473A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810171192.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L27/02 , H01L21/60
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/042 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81B2207/056 , B81C2201/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN101458260A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810209884.6
申请日：2008-09-28
Applicant: 原子能委员会
CPC classification number: B81C1/00206 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00824 , B01J2219/00831 , B01J2219/00835 , B01J2219/00846 , B01J2219/00862 , B01J2219/00869 , B01J2219/00873 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/12 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81C2201/019 , B81C2203/038
Abstract: 本发明涉及制造微流控元件(1)的方法，微流控元包括至少一个填充纳米结构(13a，13b，13c)的封闭的微通道(2)。通过预先在基片(7)的表面内形成开口，构成微通道的底壁(3)和两个相对的侧壁(4，5)，制造出微通道。填充微通道的纳米结构(13a，13b，13c)通过原位生长形成，以构成沉积在侧壁(4，5)和底壁(3)上的金属催化剂层。在纳米结构形成之前，通过将保护顶盖(11)密封在基片(7)的表面上微通道(2)被封闭。通过在顶盖(11)的材料和用于原位生长纳米结构(13a，13b，13c)及沉积在设计用来接触顶盖(11)的基片(7)的表面上的催化剂的金属之间形成低共熔混合物，从而获得密封。
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公开(公告)号：CN1856440A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027286.7
申请日：2004-09-21
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G02B26/0816 , B81B3/0086 , B81B2201/033 , B81B2201/045 , B81C1/00484 , B81C2201/0109 , B81C2201/019 , G02B6/3516 , G02B6/3518 , G02B6/3546 , G02B6/355 , G02B6/357 , G02B6/3584 , H02N1/008
Abstract: 一种用于制造包括固定地支撑在底座上的固定元件和可动地支撑在所述底座上的可动元件的微机电系统(MEMS)的方法。所述方法采用与下衬底分离的上衬底。所述上衬底在其顶层被选择性蚀刻以在其中形成多个柱，所述柱从所述上衬底的底层一起突出。所述柱包括将被固定到所述下衬底的所述固定元件和仅弹性地支撑于一个或多个所述固定元件以相对于所述固定元件可移动的所述可动元件。所述下衬底在其顶表面形成有至少一个凹陷。然后所述上衬底颠倒结合到所述下衬底的顶部，使得把所述固定元件直接设置在所述下衬底上，并把所述可动元件设置在所述凹陷上方。最后，除去所述上衬底的底层，以从所述底层释放所述可动元件，从而把所述可动元件浮置在所述凹陷上，并允许它们相对于所述下衬底移动，同时保持所述固定元件固定到所述下衬底的顶部。
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公开(公告)号：CN1214971C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03155680.9
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B81B3/0062 , B81B2201/033 , B81B2201/042 , B81B2203/058 , B81C2201/019 , G02B26/0841 , H02N1/008
Abstract: 本发明公开了一种激励器，包括具有第一方向和垂直第一方向的第二方向并围绕垂直于第一方向和第二方向的第三方向相对沿第一方向的中心轴往复运动的平台。第一支撑部分支撑平台的往复运动。基体在平台下面对平台并由第一支撑部分支撑。平台驱动部分具有第一驱动梳状电极和与第一驱动梳状电极对应的第一静止梳状电极，位于平台的下表面和基体面对平台的上表面上。第二支撑部分支撑第一支撑部分，使得第一支撑部分相对于沿该第二方向设置的旋转中心轴往复运动。第一支撑部驱动部分具有设置在第一支撑部分处的第二驱动梳状电极和固定地处于第二驱动梳状电极对应位置处的第二静止梳状电极从而产生第一支撑部分的往复运动。
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公开(公告)号：CN107539941A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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