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公开(公告)号：CN101175991B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680017158.3
申请日：2006-05-11
Applicant: 原子能委员会
CPC classification number: B01J19/0093 , B01F5/061 , B01F13/0059 , B01F13/0091 , B01F2005/0632 , B01F2005/0636 , B01J20/205 , B01J20/28007 , B01J20/281 , B01J2219/00783 , B01J2219/00846 , B01J2219/0086 , B01L3/5027 , B82Y30/00 , Y10T428/139
Abstract: 一种微流控器件包括由顶壁(6)、底壁(3)和两个相对的侧壁(4，5)限定的至少一个通道(2)。所述顶壁(6)和底壁(3)之间的距离(P)大于或等于25μm，并且第一和第二组纳米管(9a，9b)分别由所述相对的侧壁(4，5)支承，使得器件具有特别高的接触面积与可用体积之比和有限的整体表面尺寸。另外，所述两个相对的侧壁(4，5)之间的距离大约为数微米，优选为3～5μm。
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公开(公告)号：CN101458260A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810209884.6
申请日：2008-09-28
Applicant: 原子能委员会
CPC classification number: B81C1/00206 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00824 , B01J2219/00831 , B01J2219/00835 , B01J2219/00846 , B01J2219/00862 , B01J2219/00869 , B01J2219/00873 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/12 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81C2201/019 , B81C2203/038
Abstract: 本发明涉及制造微流控元件(1)的方法，微流控元包括至少一个填充纳米结构(13a，13b，13c)的封闭的微通道(2)。通过预先在基片(7)的表面内形成开口，构成微通道的底壁(3)和两个相对的侧壁(4，5)，制造出微通道。填充微通道的纳米结构(13a，13b，13c)通过原位生长形成，以构成沉积在侧壁(4，5)和底壁(3)上的金属催化剂层。在纳米结构形成之前，通过将保护顶盖(11)密封在基片(7)的表面上微通道(2)被封闭。通过在顶盖(11)的材料和用于原位生长纳米结构(13a，13b，13c)及沉积在设计用来接触顶盖(11)的基片(7)的表面上的催化剂的金属之间形成低共熔混合物，从而获得密封。
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公开(公告)号：CN101458260B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200810209884.6
申请日：2008-09-28
Applicant: 原子能委员会
CPC classification number: B81C1/00206 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00824 , B01J2219/00831 , B01J2219/00835 , B01J2219/00846 , B01J2219/00862 , B01J2219/00869 , B01J2219/00873 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/12 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81C2201/019 , B81C2203/038
Abstract: 本发明涉及制造微流控元件(1)的方法，微流控元包括至少一个填充纳米结构(13a，13b，13c)的封闭的微通道(2)。通过预先在基片(7)的表面内形成开口，构成微通道的底壁(3)和两个相对的侧壁(4，5)，制造出微通道。填充微通道的纳米结构(13a，13b，13c)通过原位生长形成，以构成沉积在侧壁(4，5)和底壁(3)上的金属催化剂层。在纳米结构形成之前，通过将保护顶盖(11)密封在基片(7)的表面上微通道(2)被封闭。通过在顶盖(11)的材料和用于原位生长纳米结构(13a，13b，13c)及沉积在设计用来接触顶盖(11)的基片(7)的表面上的催化剂的金属之间形成低共熔混合物，从而获得密封。
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公开(公告)号：CN101175991A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200680017158.3
申请日：2006-05-11
Applicant: 原子能委员会
CPC classification number: B01J19/0093 , B01F5/061 , B01F13/0059 , B01F13/0091 , B01F2005/0632 , B01F2005/0636 , B01J20/205 , B01J20/28007 , B01J20/281 , B01J2219/00783 , B01J2219/00846 , B01J2219/0086 , B01L3/5027 , B82Y30/00 , Y10T428/139
Abstract: 一种微流控器件包括由顶壁(6)、底壁(3)和两个相对的侧壁(4，5)限定的至少一个通道(2)。所述顶壁(6)和底壁(3)之间的距离(P)大于或等于25μm，并且第一和第二组纳米管(9a，9b)分别由所述相对的侧壁(4，5)支承，使得器件具有特别高的接触面积与可用体积之比和有限的整体表面尺寸。另外，所述两个相对的侧壁(4，5)之间的距离大约为数微米，优选为3～5μm。
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