公开(公告)号：CN101078663B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200710104276.4

申请日：2007-05-23

Applicant: 森斯瑞控股股份公司

Inventor： 费利克斯·迈尔 ,  约翰奈斯·布勒 ,  马蒂亚斯·斯特雷夫 ,  罗伯特·苏尼尔

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相接合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除也第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。

公开(公告)号：CN101078664B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200710104277.9

申请日：2007-05-23

Applicant: 森斯瑞控股股份公司

Inventor： 费利克斯·迈尔 ,  约翰奈斯·布勒 ,  马蒂亚斯·斯特雷夫 ,  罗伯特·苏尼尔

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相结合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔也可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。