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公开(公告)号：CN101078641B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200710129236.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 森斯瑞控股股份公司
CPC classification number: G01F1/6888 , G01F1/6845 , G01F1/696
Abstract: 流量传感器包括一个安置在两个检测热电堆(6a、6b)之间的加热器(4)。此外，提供至少一个监测热电偶(12a、12b)用来测量加热器(4)的温度。监测热电偶(12a、12b)的信号可通过几种方式用于提高器件的精确度。特别地，该监测热电偶的信号以与检测热电堆(6a、6b)的信号同样的方式，依赖于塞贝克常数和热电堆的其它固有属性的变化，这允许补偿这些效应。监测热电偶的信号也可以用作用于转换检测热电堆(6a、6b)的信号的A/D转换器的基准电压。
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公开(公告)号：CN101078663B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200710104276.4
申请日：2007-05-23
Applicant: 森斯瑞控股股份公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0264 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相接合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除也第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。
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公开(公告)号：CN101078664B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200710104277.9
申请日：2007-05-23
Applicant: 森斯瑞控股股份公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0264 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相结合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔也可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。
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公开(公告)号：CN101046401B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710089814.7
申请日：2007-03-30
Applicant: 森斯瑞控股股份公司
CPC classification number: G01F1/6845 , G01F1/699
Abstract: 本发明涉及具有流量可适应的模数转换器的流量传感器。一种流量传感器包括配置在两个感测热电堆(6a、6b)之间的加热器(4)。另外，至少一个监视热电偶(12a、12b)被设置用于测量加热器(4)的温度。来自监视热电偶的信号被用作转换来自感测热电堆(6a、6b)的信号的A/D转换器的基准电压。这使得能够在较高的流量上增加转换器的分辨率，实现更精确的测量。
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