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公开(公告)号：CN101742389A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910150287.5
申请日：2009-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明是有关一种集成电路结构及其形成方法。该集成电路结构，包含一电容，该电容包含：一多晶硅所形成的第一电容板，包含一回应于一声波而振动的部分；及一第二电容板，围绕该第一电容板，且为固定并包含面向该第一电容板的倾斜边缘。该形成集成结构的方法，包含：提供一硅基板；形成一介电层于该硅基板上；形成一多晶硅区域于该介电层上；形成一多晶硅薄膜，其中该多晶硅薄膜由该多晶硅区域所围绕且不与该多晶硅区域电性连接；形成一自该硅基板的一下表面延伸至该多晶硅薄膜的开口；一第一金属电极，形成于该多晶硅区域上并邻接该多晶硅区域；形成一第一金属电极于该多晶硅区域上；以及形成一第二金属电极于该多晶硅薄膜上。本发明可以降低制造成本，降低制造周期，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN101776476A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910171636.1
申请日：2009-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01C19/56 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明是有关于一种回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法。该回转仪感测器，包含一回转盘；第一光源配置用以提供第一光束，第一光束邻近于回转盘的第一边缘；以及第一光接收器配置用以接收第一光束，以感应回转盘在第一方向的振动。该回转仪感测系统包括，该回转仪感测器及一处理单元，与该回转仪感测器耦合，该处理单元能够控制该回转仪感测系统对应于该回转盘在该第一方向的该振动。该用于形成回转仪感测器结构的方法，包括：形成一回转盘，至少一第一光通道隔开该回转盘与一框，其中该至少一第一光通道提供一第一光束一路径，该第一光束被感应以决定该回转盘在一第一方向的一振动。
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公开(公告)号：CN101783303B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010000326.6
申请日：2010-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B23K26/24 , H01L24/03 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/484 , H01L2224/85 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是有关于一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其中叙述了使用激光接合堆叠半导体基板的方法和结构，在一具体实施方式中，形成一半导体元件的方法包含：形成一沟槽于一第一基板中，并形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上；此接合垫的上表面包含一第一材料；对准第一基板于第二基板之上，进而使沟槽对准于接合垫之上；导入一电磁射束至沟槽内，以在接合垫的第一材料和第一基板下表面的一第二材料之间形成一接合。
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公开(公告)号：CN101599473A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810171192.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L27/02 , H01L21/60
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/042 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81B2207/056 , B81C2201/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN101742389B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200910150287.5
申请日：2009-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明是有关一种集成电路结构及其形成方法。该集成电路结构，包含一电容，该电容包含：一多晶硅所形成的第一电容板，包含一回应于一声波而振动的部分；及一第二电容板，围绕该第一电容板，且为固定并包含面向该第一电容板的倾斜边缘。该形成集成结构的方法，包含：提供一硅基板；形成一介电层于该硅基板上；形成一多晶硅区域于该介电层上；形成一多晶硅薄膜，其中该多晶硅薄膜由该多晶硅区域所围绕且不与该多晶硅区域电性连接；形成一自该硅基板的一下表面延伸至该多晶硅薄膜的开口；一第一金属电极，形成于该多晶硅区域上并邻接该多晶硅区域；形成一第一金属电极于该多晶硅区域上；以及形成一第二金属电极于该多晶硅薄膜上。本发明可以降低制造成本，降低制造周期，提高可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101924058B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910212396.5
申请日：2009-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/71 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/78 , H01L21/50 , B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00666 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/31 , H01L24/48 , H01L24/95 , H01L29/0657 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83365 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10158 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供了一种用于减小芯片翘曲度的方法。其中，一种形成集成电路结构的方法包括：提供包括正面和背面的晶片，其中，该晶片包括芯片；形成从背面延伸到芯片的开口；将有机材料填充到开口中，其中，有机材料基本上都不在该开口的外部，而是在晶片的背面上；以及对有机材料进行烘培以使有机材料收缩。
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公开(公告)号：CN101924058A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910212396.5
申请日：2009-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/71 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/78 , H01L21/50 , B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00666 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/31 , H01L24/48 , H01L24/95 , H01L29/0657 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83365 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10158 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供了一种用于减小芯片翘曲度的方法。其中，一种形成集成电路结构的方法包括：提供包括正面和背面的晶片，其中，该晶片包括芯片；形成从背面延伸到芯片的开口；将有机材料填充到开口中，其中，有机材料基本上都不在该开口的外部，而是在晶片的背面上；以及对有机材料进行烘培以使有机材料收缩。
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公开(公告)号：CN101776476B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200910171636.1
申请日：2009-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01C19/56 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明是有关于一种回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法。该回转仪感测器，包含一回转盘；第一光源配置用以提供第一光束，第一光束邻近于回转盘的第一边缘；以及第一光接收器配置用以接收第一光束，以感应回转盘在第一方向的振动。该回转仪感测系统包括，该回转仪感测器及一处理单元，与该回转仪感测器耦合，该处理单元能够控制该回转仪感测系统对应于该回转盘在该第一方向的该振动。该用于形成回转仪感测器结构的方法，包括：形成一回转盘，至少一第一光通道隔开该回转盘与一框，其中该至少一第一光通道提供一第一光束一路径，该第一光束被感应以决定该回转盘在一第一方向的一振动。
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公开(公告)号：CN101599473B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810171192.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/50 , H01L27/02 , H01L21/60
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/042 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81B2207/056 , B81C2201/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN101783303A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010000326.6
申请日：2010-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B23K26/24 , H01L24/03 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/484 , H01L2224/85 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是有关于一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其中叙述了使用激光接合堆叠半导体基板的方法和结构，在一具体实施方式中，形成一半导体元件的方法包含：形成一沟槽于一第一基板中，并形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上；此接合垫的上表面包含一第一材料；对准第一基板于第二基板之上，进而使沟槽对准于接合垫之上；导入一电磁射束至沟槽内，以在接合垫的第一材料和第一基板下表面的一第二材料之间形成一接合。
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