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公开(公告)号：CN101110555A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137063.1
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/003 , B60L3/003 , B60L3/12 , B60L11/123 , B60L11/14 , B60L11/18 , B60L15/007 , B60L2210/40 , B60L2240/525 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H05K7/20927 , Y02T10/6217 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7022 , Y02T10/7077 , Y02T10/7241 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：具有直流端子的电容器模块；将直流电流变换为交流电流的逆变器；和用于冷却逆变器的散热片，逆变器具有具备多个功率半导体元件的功率模块，功率模块具备金属基底、设置于金属基底的一个面的绝缘基板；固定于绝缘基板的功率半导体元件和直流端子，在金属基底的另一个面设置有散热片，功率模块的直流端子和电容器模块的直流端子分别构成为隔着绝缘物层叠平板导体，并且构成为使正负的直流端子的前端部在彼此相反方向上弯曲，将该弯曲的面作为功率模块和电容器模块的连接面，在该连接面中使各个绝缘彼此重叠。
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公开(公告)号：CN100338771C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN03109521.6
申请日：2003-04-08
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在包括半导体元件，覆盖半导体的电绝缘盖，以及分别电连接到半导体元件的至少第一和第二导电端子的半导体装置中，第一导电端子具有第一端子凸起从盖的第一表面突出并且包括第一终止端和第一根源端，第二导电端子具有第二端子凸起从盖的第二表面突出并且包括第二终止端和第二根源端，在沿着平行于突出方向的虚平面而获得的断面图中，盖具有盖凸起和盖凹槽中至少一个，盖凸起突出到高于第一和第二终止端高度的高度，盖凹槽的底部相对于盖的第一和第二表面凹陷。
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公开(公告)号：CN1050226C
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN96103944.2
申请日：1996-03-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092 , H01L29/74
CPC classification number: H01L29/7455 , H01L29/102 , H01L29/749
Abstract: 本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个MIS场效应管和一个可控硅，这里，或者把MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层之间的可承受电压设置成低于该MIS场效应管的可承受电压，在MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层通过-p通道连接的条件下使该MIS场效应管“断掉”，或者减小该可控硅p基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。
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公开(公告)号：CN106536437B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580034016.7
申请日：2015-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
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公开(公告)号：CN104488085A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280074588.4
申请日：2012-09-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/739
CPC classification number: H02M1/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1079 , H01L29/41708 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/7394 , H01L29/7396 , H01L29/7397 , H02M1/08 , H02M7/003 , H02M7/537 , H02M7/5387 , H02M2001/0054
Abstract: 电力变换用开关元件(100)在n-型的半导体基板(1)的表面侧依次反复配置第1栅极电极(6)、具有n型发射极区域(3)的p型沟道层(2)、第2栅极电极(13)、p型浮空层(15)。并且，将夹着p型沟道层(2)的2个栅极(6、13)的间隔a构成得小于夹着p型浮空层(15)的2个栅极(13、6)的间隔b，对第1栅极电极(6)、第2栅极电极(13)分别提供在驱动定时有时间差的驱动信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104159872A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201280060767.2
申请日：2012-11-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/3736 , B23K35/26 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/10 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/408 , C22C5/06 , C22C13/00 , H01L21/52 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1432 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , Y10T428/12014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明提供将金属、陶瓷、半导体任一种粘接的接合体，能够使接合体的粘接性和热传导性提高。接合体，将金属、陶瓷、半导体中任一种的第一部件和第二部件粘接而成，其经由设于所述第一部件的面的粘接部件粘接所述第二部件，所述粘接部件包含含有V2O5的玻璃和金属粒子。半导体模块，具备：基底金属、陶瓷基板、金属配线以及半导体芯片，其经由设于所述基底金属的面的第一粘接部件粘接所述陶瓷基板，经由设于所述陶瓷基板的面的第二粘接部件粘接所述金属配线，经由设于所述金属配线的面的第三粘接部件粘接所述半导体芯片，所述第一粘接部件、第二粘接部件以及第三粘接部件包含含有V2O5的玻璃和金属粒子。
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公开(公告)号：CN103681878A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310343709.7
申请日：2013-08-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/861 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L29/36 , H01L29/66128 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种能够利用不伴随耐压的降低且无追加工序的简易方法来降低恢复损失的二极管。该二极管具有：n型的n-漂移层(101)；与n-漂移层(101)邻接的p型的正极p层(102)；n型的负极n层(104)，其与n-漂移层(101)的正极侧邻接设置，且n型杂质的浓度比n-漂移层(101)高；与正极p层(102)欧姆接触的正极电极(107)；及与负极n层(104)欧姆接触的负极电极(108)，在n-漂移层(101)与负极n层(104)之间的与负极n层(104)邻接的位置上，设置低寿命区域层(106)，该低寿命区域层(106)含有与负极n层(104)所含有的n型杂质相同的种类的杂质，且载流子的寿命比负极n层(104)短。
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公开(公告)号：CN102891172A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210247689.9
申请日：2012-07-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种低损失、高耐压、输出电压的dV/dt的控制容易且容易制造的IGBT。其具备：第一导电型的第一半导体层；第一半导体层的表面上的第二导电型的第二半导体层；形成在第一半导体层的表面上的沟槽；第一半导体层的表面上的半导体凸部；形成在半导体凸部的表面上的第三半导体层；第三半导体层的表面上的第四半导体层；沿着沟槽的内壁设置的栅极绝缘层；沿着沟槽的内壁设置的第一层间绝缘层；隔着栅极绝缘层而与第四半导体层对置的第一导电层；第一眉间绝缘层的第二导电层；覆盖第二导电层的表面的第二层间绝缘层；形成在第三半导体层与第四半导体层的表面上且与所述第四半导体层电连接的第三导电层；将第三导电层和第三半导体层连接的触点部；形成在第二半导体层的表面上的第四导电层，半导体凸部的表面的一部分为第一半导体层。
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公开(公告)号：CN102005956B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010583756.5
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/003 , B60L3/003 , B60L3/12 , B60L11/123 , B60L11/14 , B60L11/18 , B60L15/007 , B60L2210/40 , B60L2240/525 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H05K7/20927 , Y02T10/6217 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7022 , Y02T10/7077 , Y02T10/7241 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：功率模块，其具有将直流电流变换为交流电流的功率半导体元件；电容器模块，其具有对直流电流进行平滑化的电容器元件；导体，其将功率模块和电容器模块电连接；和水路形成体，其形成致冷剂流动用的流路；功率模块配置在水路形成体的第一面，电容器模块按照与第一面夹持流路的方式配置在相反侧的水路形成体的第二面，导体具有在正极导体与负极导体之间夹持了绝缘薄板的层叠构造，并且，导体配置成从电容器元件与水路形成体的第二面之间的空间经由水路形成体的侧部到达功率模块。
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公开(公告)号：CN102136490A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010580092.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H02M7/48
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L21/2815 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0646 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置以及使用它的电力变换装置，能够保持低损失和高耐压，同时能够提高接通期间中的dv/dt的基于栅极驱动电路的控制性。为解决上述课题，在宽度宽的沟槽(423)的侧壁上设置栅极(401)，由此，因为栅极(401)被栅极绝缘膜(402)和成为层间膜的厚的绝缘膜(403)覆盖，所以栅极的寄生电容小，而且没有浮动p层，因此栅极的电位不变动，能够提高dv/dt的控制性，能够同时兼顾低损失和低噪声。
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