公开(公告)号：CN103972281B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201410043926.9

申请日：2014-01-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件的半导体部分包括：半导体层，具有第一导电类型的漂移区和第二相反导电类型的至少一个杂质区。杂质区与元件区域中的半导体部分的第一表面邻接。连接层与第一表面相对地与半导体层直接邻接。在相对于第一表面的一定距离，过补偿区形成在包围元件区域的边缘区域中。过补偿区和连接层具有相反的导电类型。沿垂直于第一表面的方向，漂移区的一部分布置在第一表面和过补偿区之间。在局部高电流密度的情况下，过补偿区将局部抵消电场强度的进一步增加并且降低雪崩击穿的风险的电荷载流子注入到半导体层中。

公开(公告)号：CN104143516B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201410187244.5

申请日：2014-05-06

Applicant: 格芯公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/785 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括第一衬底部分以及被设置为从所述第一衬底部分离开一距离处的第二衬底部分。所述第一衬底部分包括界定至少一个半导体鳍的第一有源半导体层、以及直接在所述鳍上形成的第一多晶层。所述第一多晶层被构图以界定至少一个半导体栅极。所述第二衬底部分包括被夹置在第二有源半导体区与氧化物层之间的掺杂区。所述氧化物层保护所述第二有源半导体区和所述掺杂区。所述掺杂区包括被所述第一掺杂区分隔开的第一掺杂区域和第二掺杂区域以界定耗尽区。

公开(公告)号：CN103946985B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201280056224.3

申请日：2012-12-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉村尚 ,  宫崎正行 ,  泷下博 ,  栗林秀直

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 通过质子注入(13)在n‑型半导体基板(1)的内部引入氢原子(14)和结晶缺陷(15)。在质子注入(13)之前或质子注入(13)之后通过电子射线照射(11)，在n‑型半导体基板(1)的内部产生结晶缺陷(15)。然后，进行用于施主生成的热处理。通过将用于生成施主的热处理中的结晶缺陷(12、15)的量控制为最优，从而能够提高施主生成率。并且，通过在用于生成施主的热处理结束的时刻，使利用电子射线照射(11)和质子注入(13)而形成的结晶缺陷(12、15)恢复并控制为适当的结晶缺陷量，从而能够实现耐压的提高以及漏电流的降低等。

公开(公告)号：CN106783605A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710157318.4

申请日：2017-03-16

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 焦丹钧 ,  朱瑞 ,  邹亦鸣 ,  吴坚 ,  徐永斌

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种平面整流二极管芯片的制造方法，芯片包括N型单晶硅，在所述N型单晶硅的背面形成N+重掺杂衬底阴极区，在所述N型单晶硅的正面一侧形成P+阳极区，另一侧形成N+截止环区，在所述N型单晶硅的正面淀积一层SIPOS钝化层，所述SIPOS钝化层的底部两侧搭接于P+阳极区和N+截止环区上，在所述SIPOS钝化层的正面依次向上淀积相同面积的二氧化硅介质层、磷硅玻璃介质层和二氧化硅介质层，在所述P+阳极区和N+截止环区的正面露出部分、高反压终端保护膜的两侧及正面两侧区域包覆有金属电极层，在所述高反压终端保护膜和金属电极层的正面涂覆有聚酰亚胺钝化层。

公开(公告)号：CN105576042A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610099262.7

申请日：2016-02-23

Applicant: 安丘众一电子有限公司

Inventor： 牟庆船 ,  张秀娟

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136

Abstract: 本发明提出了一种硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工艺，包括如下步骤：S101：选择硅片类型；S201：对选择后的硅片进行磷扩散处理，形成N+区；S301：对磷扩散处理后的元件进行氧化处理；S401：对氧化处理后的元件进行选择性刻蚀；S501：对选择性刻蚀后的元件进行开槽处理；S601：在开槽处理后的元件槽内形成保护层；S701：在形成保护层的元件上电镀形成电极，本发明能够简化生产工艺，降低漏电并提高器件的热稳定性和伏安特性。

公开(公告)号：CN105190888A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480025342.7

申请日：2014-04-23

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： V·拉马钱德兰 ,  B·M·亨德森 ,  S·顾 ,  C-G·谭 ,  J·P·金 ,  T·金

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60 ,  H01L25/065 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66128 ,  H01L21/304 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/525 ,  H01L23/535 ,  H01L23/60 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种方法包括使基板的背侧变薄以暴露在该基板中形成的第一通孔的一部分。该方法还包括在该基板的背侧形成第一二极管。第一二极管被耦合至第一通孔。

公开(公告)号：CN104904020A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380069447.8

申请日：2013-12-03

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 石丸哲也 ,  森睦宏

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/2253 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H02M5/4585

Abstract: 本发明的目的是提供能够以简便的方法制造、且恢复动作良好的二极管。本发明的二极管具备杂质的浓度较高的层和杂质的浓度较低的层，杂质的浓度较低的层还包括活性化率与其它的部分不同的层(参照图1)。

公开(公告)号：CN104900715A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410413496.5

申请日：2014-08-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉田尚正

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/8611

Abstract: 根据一个实施方式，半导体器件具备：阴极电极；阳极电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在阴极电极的上侧、阳极电极的下侧；第一导电型的第二半导体区域，设置在阳极电极和阴极电极之间，第一导电型的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度高，被第一半导体区域围住；第二导电型的第三半导体区域，设置在阳极电极和第二半导体区域之间，被第二半导体区域围住阳极电极侧的表面以外的部分；以及第四半导体区域，设置在第三半导体区域和第二半导体区域之间，围住第三半导体区域的端部。

公开(公告)号：CN104425627A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410435985.0

申请日：2014-08-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.康拉特 ,  R.西米尼克

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及垂直半导体器件和其制造方法。垂直半导体器件具有带有第一表面和与第一表面基本平行的第二表面的半导体主体。第一金属化被布置在第一表面上。第二金属化被布置在第二表面上。在与第一表面垂直的截面平面中，半导体主体包含与第二金属化欧姆接触的n掺杂第一半导体区，与第一金属化欧姆接触的多个p掺杂第二半导体区，和多个p掺杂嵌入半导体区。p掺杂第二半导体区基本延伸到第一表面，被彼此间隔开，并且与第一半导体区形成分别的第一pn结。p掺杂嵌入半导体区被彼此间隔开，与p掺杂第二半导体区间隔开，与第一表面并且与第二表面间隔开，并且与第一半导体区形成分别的第二pn结。

公开(公告)号：CN104362182A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410665403.8

申请日：2014-11-19

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 朱军 ,  单慧 ,  刘韵吉 ,  杨敏红 ,  刘诚

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/866

Abstract: 本发明公开了一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺，属于电子器件制造领域。一种平面双结型稳压二极管芯片，包括芯片、正面金属层和背面金属层，芯片包括衬底层、外延层、深层掺杂扩散区、表面掺杂扩散区和钝化层，所述的芯片为稳压二极管芯片；芯片截层从下向上依次为衬底层、外延层、深层掺杂扩散区、表面掺杂扩散区和钝化层。芯片生产工艺采用两次离子注入及热扩散过程，可以有效地提高器件的击穿电压精度，降低因衬底及外延材料性能差异所引起的器件性能差异；通过调整两次注入剂量或扩散条件可以直接调制器件击穿电压，从而在利用单一外延材料的情况下，可实现多电压等级稳压器件的制作并提高生产效率，降低生产成本，有稳定的动态电阻性能。