公开(公告)号：CN101494124A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910004836.8

申请日：2009-01-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  梶原悟 ,  小林将人 ,  山崎美淑

IPC: H01H1/04 ,  H01H1/06 ,  H01H33/664

CPC classification number: H01H1/0206 ,  H01H11/045 ,  H01H33/6643

Abstract: 本发明提供一种真空阀门用电触点，该电触点由2层以上构成，可抑制烧结时或通电时的翘曲变形，并具有优越的热、电传导性。本发明的电触点的特征在于：具有圆盘形状，在厚度方向上由触点层和高导电层这2层构成，触点层包括Cr、Cu和Te，高导电层以Cu为主成分，所述高导电层是在与触点面相反一侧的面上具有1条或多条与电触点为同心圆的槽。

公开(公告)号：CN1518028A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000327.5

申请日：2004-01-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  益子隆 ,  小林将人 ,  土屋贤治 ,  马场升 ,  佐藤隆 ,  湖口义雄

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H1/0203 ,  H01H33/6683

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造容易、对环境的影响小、截断电流值小的低冲击型的电接点，和它的制造方法以及使用它的真空阀及真空断路器。本发明是具有高导电性金属和由金属氮化物或金属氧化物构成的耐火性成分的电接点。作为高导电性金属用Ag或Cu或者以它们为主的合金，金属氮化物用Mg3N2、AlN、TiN、ZrN、CrN、Cr2N、NbN、BN及Si3N4，金属氧化物用MgO、Al2O3、TiO2、Ti2O3、ZrO2、ThO2、Cr2O3、Nb2O5、Y2O3及ZnO的一种或2种或2种以上的混合物，可以确保良好的导电性能。

公开(公告)号：CN1381857A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN01133033.3

申请日：2001-09-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  高桥雅也 ,  马场升 ,  小林将人 ,  后藤芳友 ,  铃木安昭 ,  佐藤隆

IPC: H01H33/664

CPC classification number: H01H11/048 ,  H01H1/0206

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种电触点部件和以较低的生产成本和较高的生产率制造这种电触点部件的方法,该电触点部件的特征在于具有良好的电流分断容量以及较高程度的介电强度和焊接电阻。本发明通过提供一种电触点部件实现上述目的,该电触点部件的特征在于这样的结构,在该结构中平板状耐火金属粉末扩散在包括高导电性金属的基体中,该电触点部件进一步的特征在于耐火金属粉末的平整表面定向在一个方向上,并应用与该耐火金属粉末的平整表面平行的表面作为触点表面。

公开(公告)号：CN1053739C

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN93117324.8

申请日：1993-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 安富义幸 ,  宫田素之 ,  菊池茂 ,  齐藤幸雄

IPC: G01N33/38

CPC classification number: G01L1/20 ,  G01N33/388

Abstract: 为诊断寿命并达到维护要求，在应用时受应力作用并随应力而逐渐变化的烧结陶瓷体(1)中装上与烧结陶瓷材料接触的导电元件(2)，其电阻可测并根据陶瓷体变化而加大，这样可得有关陶瓷体变化的信息，其中将电阻测量设备(6)与导电元件(2)连接，而元件(2)中从其横截面上看可包括细长元件如纤维或晶须的集束。

公开(公告)号：CN102308353B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN200980156342.X

申请日：2009-02-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  梶原悟 ,  佐藤隆 ,  马场昇

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H1/0206 ,  C22C1/0425 ,  H01H33/6643

Abstract: 本发明提供电触点，其不添加低熔点金属，可充分发挥熔敷分离力的降低效果，具有优异的断路性能和导电性能，同时，可以使真空断路器大幅小型化。电触点由烧结金属构成，所述烧结金属具有包含Cr、Cu、及相对于Cu非反应/非固溶成分的Cr被覆层，Cu基体中分散有Cr粉末，Cr粉末表面的包含所述非反应/非固溶成分的被覆层由C、Mo、W中的任一种构成。

公开(公告)号：CN102064026A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010540124.0

申请日：2010-11-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  马场升 ,  森田步 ,  薮雅人 ,  中村清美

IPC: H01H1/02 ,  H01H11/04 ,  H01H33/664

CPC classification number: H01H1/0206 ,  H01H11/048 ,  H01H33/6643

Abstract: 本发明的目的是提供一种熔敷分离力小，具有优异的通电性能,断路性能的电接点。一种电接点，包括铬、铜以及碲，具有在铜基质中分散有由铬和铜和碲构成的金属间化合物及铬的组织，其特征在于，该金属间化合物存在于铜基质的晶粒内及晶粒边界、以及铬与铜的界面上。

公开(公告)号：CN102034643A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010260579.7

申请日：2010-08-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山崎美稀 ,  土屋贤治 ,  森田步 ,  小林将人 ,  喜久川修一 ,  菊池茂

IPC: H01H33/664 ,  H01H33/66 ,  H01H11/04 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H33/664 ,  H01H11/041 ,  H01H11/045 ,  H01H33/6643 ,  Y10T29/49105

Abstract: 本发明涉及开关用的电极及真空开关，以及开关用的电极或真空开关的制造方法。本发明的目的在于提供通过防止在电极和导体杆(1)之间产生空隙部，并且电极和导体杆(1)不产生位置偏移而实现了降低电力消耗及提高传热性能的真空开关(70)。本发明的开关用的电极的特征是，通过具备导体杆(1)、插入导体杆(1)的接点电极(2)、以及在导体杆(1)和接点电极(2)的径向外侧固定两者的连接板(3)而固定导体杆(1)和接点电极(2)这两者。

公开(公告)号：CN1102632A

公开(公告)日：1995-05-17

申请号：CN94106807.2

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 安富义幸 ,  菊池茂 ,  齐腾幸雄 ,  前田邦裕

IPC: C04B35/76

CPC classification number: C04B35/80 ,  B22F2998/00 ,  B22F2999/00 ,  C22C47/025 ,  C22C47/04 ,  C22C47/06 ,  C22C47/068 ,  C22C47/08 ,  C22C47/14 ,  C22C47/20 ,  F01D5/282 ,  Y02T50/672 ,  B22F3/1039

Abstract: 提供一种强度、韧性及耐氧化性优良的适用于各种高温用结构部件的纤维增强复合材料和其制法。纤维增强复合材料是将作为增强纤维的连续无机长纤维数根，用以C等的介质结成束，其纤维束在一元方向、二元方向或者三元方向排列，同时被陶瓷基体中的纳米级粒子增强。得到的纤维增强复合材料具有所要求的纤维定向性，可得到具有优良强度、韧性的纤维增强复合材料。

公开(公告)号：CN106536437A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580034016.7

申请日：2015-09-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内藤孝 ,  儿玉一宗 ,  青柳拓也 ,  菊池茂 ,  能川玄也 ,  森睦宏 ,  井出英一 ,  守田俊章 ,  绀野哲丰 ,  小野寺大刚 ,  三宅龙也 ,  宫内昭浩

IPC: C03C8/24 ,  C09J1/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/52 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。

公开(公告)号：CN105324828A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035785.4

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  森田步 ,  土屋贤治 ,  佐藤隆 ,  富安邦彦

IPC: H01H33/664 ,  B22F3/02 ,  B22F3/26 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  H01H33/666

CPC classification number: H01H33/6643 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/26 ,  B22F5/12 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/04 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/045 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  C22C30/02 ,  H01H33/664 ,  H01H33/666 ,  H01H2201/03 ,  H01H2205/002 ,  B22F2201/01

Abstract: 在包含Cu的凝聚相分散在包含Mo、Cr、Cu的母相中的电接点中，上述凝聚相的最大粒径在4～20μm的范围内，用C×Wt表示将上述电接点整体的Cu量设为Wt时的上述母相中的Cu量，C在0.54～0.81的范围内。另外，在包含Mo、Cr、Cu的电接点的制造方法中，包括如下工序：对Mo粉末和Cr粉末的混合粉进行加压成形，形成压粉体的工序；以及将熔融后的Cu浸渍到上述压粉体中的工序。