公开(公告)号：CN101017722B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200710001558.1

申请日：2007-01-05

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立工程服务

Inventor： 渡边洋之 ,  川村淳 ,  千叶知雄 ,  山崎美淑 ,  泷泽照广

IPC: H01F6/00 ,  A61B5/055

CPC classification number: G01R33/3815 ,  G01R33/3806 ,  G01R33/421

Abstract: 本发明提供能够抑制焊接时产生的变形和热所引起的超导线圈的通电性能恶化，且能够抑制上下方向的空间大小及重量的MRI装置。超导磁铁装置(110)构成为使与冷却剂一同收纳产生测量用磁场的主线圈(1)和产生用于抑制向该测量用磁场外部泄漏的磁场的屏蔽线圈(3)的两个圆环状冷却剂容器(7)上下互相间隔并大体对称地配置，且在其对称面的中央部分产生均匀的测量用磁场。而且，通过作为构造支撑部件的厚板(5)形成与圆环状冷却剂容器(7)的上述对称面相对的面相反侧的面，收纳屏蔽线圈(3)的屏蔽线圈骨架(4)由厚板(5)支撑，收纳主线圈(1)的主线圈骨架(2)由厚板(5)及屏蔽线圈骨架(4)支撑。

公开(公告)号：CN101494124B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200910004836.8

申请日：2009-01-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  梶原悟 ,  小林将人 ,  山崎美淑

IPC: H01H1/04 ,  H01H1/06 ,  H01H33/664

CPC classification number: H01H1/0206 ,  H01H11/045 ,  H01H33/6643

Abstract: 本发明提供一种真空阀门用电触点，该电触点由2层以上构成，可抑制烧结时或通电时的翘曲变形，并具有优越的热、电传导性。本发明的电触点的特征在于：具有圆盘形状，在厚度方向上由触点层和高导电层这2层构成，触点层包括Cr、Cu和Te，高导电层以Cu为主成分，所述高导电层是在与触点面相反一侧的面上具有1条或多条与电触点为同心圆的槽。

公开(公告)号：CN101728770A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910179449.8

申请日：2009-10-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森田步 ,  小林将人 ,  外崎博教 ,  山崎美淑

IPC: H02B1/00 ,  H01H9/22

CPC classification number: H01H9/22 ,  H01H31/003 ,  H01H33/6661 ,  H01H2033/6668 ,  H01H2300/056

Abstract: 本发明提供具备提高安全性和可靠性的联锁的开关机构。在正面面板(2)具备单线接线图(4)、表示接通、切断、断路状态的指示器(5)、表示接地开闭器状态的指示器(6)、选择遮断、断路、接地操作的选择机构(7)、使断路开关合闸、分闸的按压开关(8、9)、断路用操作手柄的插入孔(20)以及接地用操作手柄插入孔(30)。通过选择机构的操作栓(12)的位置选择操作的机器。选择机构不仅选择操作，还与设在断路用操作手柄的插入孔(20)及接地用手柄插入孔的快门机械配合，实现遮断、断路、接地一连串操作间的机械联锁。本发明的开关机构(1)有利于防止误操作，机械地实现对开关机构要求的各种联锁，提高安全性和可靠性。

公开(公告)号：CN101494124A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910004836.8

申请日：2009-01-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菊池茂 ,  梶原悟 ,  小林将人 ,  山崎美淑

IPC: H01H1/04 ,  H01H1/06 ,  H01H33/664

CPC classification number: H01H1/0206 ,  H01H11/045 ,  H01H33/6643

Abstract: 本发明提供一种真空阀门用电触点，该电触点由2层以上构成，可抑制烧结时或通电时的翘曲变形，并具有优越的热、电传导性。本发明的电触点的特征在于：具有圆盘形状，在厚度方向上由触点层和高导电层这2层构成，触点层包括Cr、Cu和Te，高导电层以Cu为主成分，所述高导电层是在与触点面相反一侧的面上具有1条或多条与电触点为同心圆的槽。

公开(公告)号：CN101017722A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710001558.1

申请日：2007-01-05

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立工程·并且·服务

Inventor： 渡边洋之 ,  川村淳 ,  千叶知雄 ,  山崎美淑 ,  泷泽照广

IPC: H01F6/00 ,  A61B5/055

CPC classification number: G01R33/3815 ,  G01R33/3806 ,  G01R33/421

Abstract: 本发明提供能够抑制焊接时产生的变形和热所引起的超导线圈的通电性能恶化，且能够抑制上下方向的空间大小及重量的MRI装置。超导磁铁装置(110)构成为使与冷却剂一同收纳产生测量用磁场的主线圈(1)和产生用于抑制向该测量用磁场外部泄漏的磁场的屏蔽线圈(3)的两个圆环状冷却剂容器(7)上下互相间隔并大体对称地配置，且在其对称面的中央部分产生均匀的测量用磁场。而且，通过作为构造支撑部件的厚板(5)形成与圆环状冷却剂容器(7)的上述对称面相对的面相反侧的面，收纳屏蔽线圈(3)的屏蔽线圈骨架(4)由厚板(5)支撑，收纳主线圈(1)的主线圈骨架(2)由厚板(5)及屏蔽线圈骨架(4)支撑。