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公开(公告)号:CN104488085A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201280074588.4
申请日:2012-09-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/739
CPC classification number: H02M1/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1079 , H01L29/41708 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/7394 , H01L29/7396 , H01L29/7397 , H02M1/08 , H02M7/003 , H02M7/537 , H02M7/5387 , H02M2001/0054
Abstract: 电力变换用开关元件(100)在n-型的半导体基板(1)的表面侧依次反复配置第1栅极电极(6)、具有n型发射极区域(3)的p型沟道层(2)、第2栅极电极(13)、p型浮空层(15)。并且,将夹着p型沟道层(2)的2个栅极(6、13)的间隔a构成得小于夹着p型浮空层(15)的2个栅极(13、6)的间隔b,对第1栅极电极(6)、第2栅极电极(13)分别提供在驱动定时有时间差的驱动信号。
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公开(公告)号:CN105940606B
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201480074434.4
申请日:2014-01-31
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor: 桥本贵之
IPC: H03K17/16 , H01L29/739 , H01L29/78 , H03K17/687
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L27/0664 , H01L29/083 , H01L29/0847 , H01L29/7397 , H02M7/003 , H02M7/44 , H03K17/162 , H03K17/74 , H03K2217/0036
Abstract: 以降低二极管损耗和噪声为目的,本发明的半导体元件的驱动装置的特征在于,在半导体元件中设置有:第1导电型第1半导体层(n‑型漂移层);第2导电型第2半导体层(p型阳极层),其与上述第1半导体层相邻,并暴露在一方的主表面(阳极侧);第3半导体层(n型阴极层),其与上述第1半导体层相邻,为第1导电型,暴露在另一方主表面(阴极侧),杂质浓度比上述第1半导体层(n‑型漂移层)高;绝缘栅极,其位于上述另一方主表面(阴极侧),在阳极电流大时,在恢复前,将上述绝缘栅极从正电压切换为负电压,在阳极电流小时,使上述绝缘栅极保持正电压。
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公开(公告)号:CN105191132B
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201380076459.3
申请日:2013-05-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M3/158 , H01L29/786 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H03K17/0828 , H03K17/168 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的绝缘栅型半导体元件的控制装置通过分别提供给第1绝缘栅极以及第2绝缘栅极的第1控制电压以及第2控制电压,驱动具备第1绝缘栅极和第2绝缘栅极的绝缘栅型半导体元件,具备:第1噪声滤波器,输入与绝缘栅型半导体元件中流过的电流相关的信号;第1比较器,比较第1噪声滤波器的输出信号和第1基准信号,输出第1比较结果;第2控制电压输出电路,如果根据第1比较结果判定为绝缘栅型半导体元件中流过过电流,则使第2控制电压降低;以及第1控制电压输出电路,在第2控制电压降低之后,使第1控制电压降低。
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公开(公告)号:CN105191132A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201380076459.3
申请日:2013-05-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M3/158 , H01L29/786 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H03K17/0828 , H03K17/168 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的绝缘栅型半导体元件的控制装置通过分别提供给第1绝缘栅极以及第2绝缘栅极的第1控制电压以及第2控制电压,驱动具备第1绝缘栅极和第2绝缘栅极的绝缘栅型半导体元件,具备:第1噪声滤波器,输入与绝缘栅型半导体元件中流过的电流相关的信号;第1比较器,比较第1噪声滤波器的输出信号和第1基准信号,输出第1比较结果;第2控制电压输出电路,如果根据第1比较结果判定为绝缘栅型半导体元件中流过过电流,则使第2控制电压降低;以及第1控制电压输出电路,在第2控制电压降低之后,使第1控制电压降低。
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公开(公告)号:CN104067394A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201280068033.9
申请日:2012-01-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L27/06 , H01L29/0834 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H02M7/003 , H02M7/537 , H02M2001/0051 , H02M2001/0054
Abstract: 为了抑制半导体装置(10)的导通损耗和恢复损耗,半导体装置(10)设置有作为半导体基板的n型漂移层(11)、在半导体基板的表面设置的作为阳极区域的p型区域(12)以及n型区域(13)、在半导体基板的背面设置的作为阴极区域的高浓度n型区域(15)、以及阳极电极(1)。在该半导体基板的表面,具备p型区域(12)与n型区域(13)相邻的结构,p型区域(12)与阳极电极(1)相连接,n型区域(13)经由开关(14)与阳极电极(1)相连接。在该开关(14)的控制端子,连接有控制部(40)。在半导体装置(10)的导通状态下,控制部(40)将高频脉冲输出到开关(14)的控制端子,使开关(14)接通/断开。
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公开(公告)号:CN105940606A
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201480074434.4
申请日:2014-01-31
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor: 桥本贵之
IPC: H03K17/16 , H01L29/739 , H01L29/78 , H03K17/687
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L27/0664 , H01L29/083 , H01L29/0847 , H01L29/7397 , H02M7/003 , H02M7/44 , H03K17/162 , H03K17/74 , H03K2217/0036
Abstract: 以降低二极管损耗和噪声为目的,本发明的半导体元件的驱动装置的特征在于,在半导体元件中设置有:第1导电型第1半导体层(n‑型漂移层);第2导电型第2半导体层(p型阳极层),其与上述第1半导体层相邻,并暴露在一方的主表面(阳极侧);第3半导体层(n型阴极层),其与上述第1半导体层相邻,为第1导电型,暴露在另一方主表面(阴极侧),杂质浓度比上述第1半导体层(n‑型漂移层)高;绝缘栅极,其位于上述另一方主表面(阴极侧),在阳极电流大时,在恢复前,将上述绝缘栅极从正电压切换为负电压,在阳极电流小时,使上述绝缘栅极保持正电压。
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公开(公告)号:CN101345472B
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN200810136120.9
申请日:2008-07-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M1/08 , H02M7/537 , H02M7/5387
CPC classification number: H02M3/07 , H02M1/08 , H02M7/5387 , H02M2003/071
Abstract: 本发明提供一种电压驱动型半导体元件的驱动电路,能够解决半导体元件为了防止误点弧,在断开时栅极需要为负电位状态,驱动电路中需要负电压电源的课题。本发明中,在驱动半导体元件的驱动电路中,具备:第1开关,其与直流电源的正极侧连接;第2开关,其与第1开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;第3开关,其与直流电源的正极侧连接;第4开关,其与第3开关的另一端子连接;第5开关,其与第4开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;和电容器,其与第1开关的另一端子和第4开关的另一端子连接,半导体元件的栅极与第3开关的另一端子连接,半导体元件的源极与直流电源的负极侧连接。从而能够只采用正电压的电源对半导体元件的栅极施加负电压。
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公开(公告)号:CN101345472A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200810136120.9
申请日:2008-07-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M1/08 , H02M7/537 , H02M7/5387
CPC classification number: H02M3/07 , H02M1/08 , H02M7/5387 , H02M2003/071
Abstract: 本发明提供一种电压驱动型半导体元件的驱动电路,能够解决半导体元件为了防止误点弧,在断开时栅极需要为负电位状态,驱动电路中需要负电压电源的课题。本发明中,在驱动半导体元件的驱动电路中,具备:第1开关,其与直流电源的正极侧连接;第2开关,其与第1开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;第3开关,其与直流电源的正极侧连接;第4开关,其与第3开关的另一端子连接;第5开关,其与第4开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;和电容器,其与第1开关的另一端子和第4开关的另一端子连接,半导体元件的栅极与第3开关的另一端子连接,半导体元件的源极与直流电源的负极侧连接。从而能够只采用正电压的电源对半导体元件的栅极施加负电压。
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