电力转换装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113632365A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202080024399.0

    申请日:2020-04-10

    Abstract: 在作为电力转换装置的半导体组件(1)中,第1基板(10)在绝缘基板(10p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第1电路图案(11)。第2基板(20)隔着功率半导体元件(43)与第1基板(10)相对且在绝缘基板(20p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第2电路图案(21)。第3基板(30)两面安装有使输入电力平滑化的多个电容器(39),且在绝缘基板(30p)上形成有与多个电容器(39)电连接的第3电路图案(35)。第3基板(30)配置于与第1电路图案(11)重叠的第1假想平面(VS1)和与第2电路图案(21)重叠的第2假想平面(VS2)之间的空间,具有在与第1基板(10)和第2基板(20)不重叠的区域的两面配置有多个电容器(39)的电容器区域(CA2)。

    功率半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113039642A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201980074513.8

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明提高功率半导体装置的电流检测精度。本发明的功率半导体装置包括:绝缘基板,该绝缘基板的一个面上配置有第一导体层;半导体元件;连接到所述第一导体层的主端子;以及电流检测元件,所述电流检测元件具有在一个面上经由导体构件连接到所述半导体元件的表面电极、以及在另一个面上连接到所述第一导体层的背面电极,在将所述电流检测元件的最靠近所述主端子的边定义为第一边,并且将与第一边相对的位置的边定义为第二边时,将检测端子和所述背面电极的连接部设置在靠近所述第二边的一侧。

    功率半导体装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113348554B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN201980088888.X

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 本发明的技术问题是实现具有滤波电容器的功率半导体装置的布线低电感的同时实现小型化。本发明的功率半导体装置包括:功率半导体电路部、多个滤波电容器、正极导体部和负极导体部、以及密封材料,多个所述滤波电容器构成夹在所述正极导体部和所述负极导体部之间的电容器电路部,所述功率半导体电路部具有从所述密封材料露出的第一露出面和从所述密封材料露出并设置在该第一露出面的相反侧的第二露出面,将与所述第一露出面重合的平面定义为第一平面,将与所述第二露出面重合的平面定义为第二平面,所述电容器电路部形成为容纳在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中,所述正极导体部或所述负极导体部形成有用于容纳多个所述滤波电容器的一部分的凹部。

    电力转换装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113632365B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202080024399.0

    申请日:2020-04-10

    Abstract: 在作为电力转换装置的半导体组件(1)中,第1基板(10)在绝缘基板(10p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第1电路图案(11)。第2基板(20)隔着功率半导体元件(43)与第1基板(10)相对且在绝缘基板(20p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第2电路图案(21)。第3基板(30)两面安装有使输入电力平滑化的多个电容器(39),且在绝缘基板(30p)上形成有与多个电容器(39)电连接的第3电路图案(35)。第3基板(30)配置于与第1电路图案(11)重叠的第1假想平面(VS1)和与第2电路图案(21)重叠的第2假想平面(VS2)之间的空间,具有在与第1基板(10)和第2基板(20)不重叠的区域的两面配置有多个电容器(39)的电容器区域(CA2)。

    功率半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113348554A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN201980088888.X

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 本发明的技术问题是实现具有滤波电容器的功率半导体装置的布线低电感的同时实现小型化。本发明的功率半导体装置包括:功率半导体电路部、多个滤波电容器、正极导体部和负极导体部、以及密封材料,多个所述滤波电容器构成夹在所述正极导体部和所述负极导体部之间的电容器电路部,所述功率半导体电路部具有从所述密封材料露出的第一露出面和从所述密封材料露出并设置在该第一露出面的相反侧的第二露出面,将与所述第一露出面重合的平面定义为第一平面,将与所述第二露出面重合的平面定义为第二平面,所述电容器电路部形成为容纳在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中,所述正极导体部或所述负极导体部形成有用于容纳多个所述滤波电容器的一部分的凹部。

    功率半导体装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113039642B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN201980074513.8

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明提高功率半导体装置的电流检测精度。本发明的功率半导体装置包括:绝缘基板,该绝缘基板的一个面上配置有第一导体层;半导体元件;连接到所述第一导体层的主端子;以及电流检测元件,所述电流检测元件具有在一个面上经由导体构件连接到所述半导体元件的表面电极、以及在另一个面上连接到所述第一导体层的背面电极,在将所述电流检测元件的最靠近所述主端子的边定义为第一边,并且将与第一边相对的位置的边定义为第二边时,将检测端子和所述背面电极的连接部设置在靠近所述第二边的一侧。

    电压驱动型半导体元件的驱动电路和逆变器装置

    公开(公告)号:CN101345472B

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN200810136120.9

    申请日:2008-07-09

    CPC classification number: H02M3/07 H02M1/08 H02M7/5387 H02M2003/071

    Abstract: 本发明提供一种电压驱动型半导体元件的驱动电路,能够解决半导体元件为了防止误点弧,在断开时栅极需要为负电位状态,驱动电路中需要负电压电源的课题。本发明中,在驱动半导体元件的驱动电路中,具备:第1开关,其与直流电源的正极侧连接;第2开关,其与第1开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;第3开关,其与直流电源的正极侧连接;第4开关,其与第3开关的另一端子连接;第5开关,其与第4开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;和电容器,其与第1开关的另一端子和第4开关的另一端子连接,半导体元件的栅极与第3开关的另一端子连接,半导体元件的源极与直流电源的负极侧连接。从而能够只采用正电压的电源对半导体元件的栅极施加负电压。

    电压驱动型半导体元件的驱动电路和逆变器装置

    公开(公告)号:CN101345472A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810136120.9

    申请日:2008-07-09

    CPC classification number: H02M3/07 H02M1/08 H02M7/5387 H02M2003/071

    Abstract: 本发明提供一种电压驱动型半导体元件的驱动电路,能够解决半导体元件为了防止误点弧,在断开时栅极需要为负电位状态,驱动电路中需要负电压电源的课题。本发明中,在驱动半导体元件的驱动电路中,具备:第1开关,其与直流电源的正极侧连接;第2开关,其与第1开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;第3开关,其与直流电源的正极侧连接;第4开关,其与第3开关的另一端子连接;第5开关,其与第4开关的另一端子连接,并且与直流电源的负极侧连接;和电容器,其与第1开关的另一端子和第4开关的另一端子连接,半导体元件的栅极与第3开关的另一端子连接,半导体元件的源极与直流电源的负极侧连接。从而能够只采用正电压的电源对半导体元件的栅极施加负电压。

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