-
公开(公告)号:CN1615201A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN03802124.2
申请日:2003-01-08
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B23K3/0646 , B23K1/08 , B23K35/262 , B23K2101/42 , H05K3/3463 , H05K3/3468
Abstract: 在本发明中,测定使用期间焊料浴中氧化抑制元素的下降率,依照焊料浴中的下降合适地添加焊料合金,所述焊料合金包括与量的下降率相比相同或更大的比例的氧化抑制元素。作为一个简单的方法,在Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料合金的流动焊接中,为了补偿操作期间观察到的焊料浴的P含量的降低,供应用于补充焊料浴的在Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料合金中包含60-100ppm(质量)的P的焊料合金以不仅维持P含量而且维持模塑焊料浴的表面水平。
-
公开(公告)号:CN112301346A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202011191614.4
申请日:2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明涉及铜银合金的合成方法、导通部的形成方法、铜银合金、以及导通部。本发明提供:可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序:墨调制工序,将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨;涂布工序,将铜银墨涂布于被涂布构件;晶核生成工序,由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者;以及,晶核合成工序,合成铜的晶核及前述银的晶核。
-
公开(公告)号:CN109643663A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201780051107.0
申请日:2017-08-17
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 提供热循环耐性和散热性优异的金属烧结接合体。对于本发明的金属烧结接合体,将基板与芯片接合,金属烧结接合体与芯片对置的矩形状区域的至少中央部和角部具有低于矩形状区域的平均孔隙率的低孔隙率区域,低孔隙率区域位于以矩形状区域的对角线为中心线的带状区域内。
-
公开(公告)号:CN103106951B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201310016360.6
申请日:2008-03-12
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor: 上岛稔
IPC: H01B1/22
CPC classification number: H01R4/04 , C22C1/0483 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C30/04 , H01B1/22 , H01R12/52 , H05K3/323 , H05K2203/0425
Abstract: 本发明解决以下技术问题:在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中,必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低,而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题:在本发明的各向异性导电材料中,低熔点粒子的固相线温度为125℃以上,且峰值温度为200℃以下,并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上;另外,混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。
-
公开(公告)号:CN103402694B
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201280003644.5
申请日:2012-05-10
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/26 , C22C13/00
Abstract: 本发明提供一种可获得高音质、高的试听评价的音响用焊料合金,其作为音频系统用滤波电路NW等电子电路中使用的各种电子部件连接用的接合焊料,由适当含量的6元焊料合金(Sn·Ag·Cu·Sb·In·Ni·Pb)构成。作为优选的含量的一例,Ag为1.0~1.01质量%,Cu为0.71~0.72质量%,In为0.003~0.0037质量%,Ni为0.016~0.017质量%,Pb为0.0025~0.0035质量%,剩余部分为Sn。
-
公开(公告)号:CN102074536B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201010521765.1
申请日:2010-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 千住金属工业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率半导体装置及其制造方法,以能够不将电路图案的非电解Ni-P镀层的厚度厚膜化来抑制Ni-P镀层中的Ni扩散至焊锡中,且可以提高可靠性及成品率。该功率半导体装置包括:衬底;元件用电路图案,是形成于该衬底上,由Ni-P镀层覆盖Cu的结构;以及半导体元件,其通过焊锡与该元件用电路图案固接。而且,其特征在于,该焊锡是Sn和Sb和Cu的合金,且Cu的重量百分比是0.5%以上1%以下的任意值。
-
公开(公告)号:CN102066043B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN200980122268.X
申请日:2009-04-23
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/362 , B23K2101/42 , C22C13/02 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L2924/0002 , H05K3/3484 , H01L2924/00
Abstract: 一种抑制微细凹凸和缩孔,具有改善的表面性状的无铅焊料合金,其具有如下组成,以质量%计含有Ag:0.1~1.5%、Bi:2.5~5.0%、Cu:0.5~1.0%、Ni:0015~0.035%、Ge和Ga中的一种或两种:0.0005~0.01%,余量是Sn和不可避免的杂质。
-
公开(公告)号:CN103106951A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201310016360.6
申请日:2008-03-12
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor: 上岛稔
IPC: H01B1/22
CPC classification number: H01R4/04 , C22C1/0483 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C30/04 , H01B1/22 , H01R12/52 , H05K3/323 , H05K2203/0425
Abstract: 本发明解决以下技术问题:在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中,必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低,而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题:在本发明的各向异性导电材料中,低熔点粒子的固相线温度为125℃以上,且峰值温度为200℃以下,并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上;另外,混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。
-
公开(公告)号:CN101801589B
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN200880107090.7
申请日:2008-07-17
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/26 , B23K35/262 , H05K3/3463
Abstract: 本发明提供一种无铅焊料合金,其可以用于车载电子电路的焊料,发挥高的可靠性。其含有Ag:2.8~4质量%、In:3~5.5质量%、Cu:0.5~1.1质量%,进而,根据需要含有Bi:0.5~3质量%,残余部分由Sn构成,In的至少一部分固溶于Sn基体。
-
公开(公告)号:CN102017111A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980115614.1
申请日:2009-03-03
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: H01L24/11 , B23K35/262 , B23K35/268 , C22C13/00 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81211 , H01L2224/81801 , H01L2224/8191 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/3511 , H01L2924/05432 , H01L2224/13099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的用于半导体封装内的倒装片的焊料使用Pb-5Sn组成等的Sn-Pb焊料,由于以往研究的无铅焊料很硬、易产生Sn的金属间化合物,因此不适于要求应力缓和特性的半导体封装内的倒装片连接构造体。作为使用了无铅焊料的半导体封装内的倒装片连接构造体,使用以由Ni0.01~0.5质量%、余量Sn构成为特征的无铅焊料倒装片连接构造体。在该焊料组成中还可添加0.3~0.9质量%的Cu和0.001~0.01质量%的P。
-
-
-
-
-
-
-
-
-