金属烧结接合体和芯片接合方法

    公开(公告)号:CN109643663A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201780051107.0

    申请日:2017-08-17

    Inventor: 竹政哲 上岛稔

    Abstract: 提供热循环耐性和散热性优异的金属烧结接合体。对于本发明的金属烧结接合体,将基板与芯片接合,金属烧结接合体与芯片对置的矩形状区域的至少中央部和角部具有低于矩形状区域的平均孔隙率的低孔隙率区域,低孔隙率区域位于以矩形状区域的对角线为中心线的带状区域内。

    各向异性导电材料
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103106951B

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201310016360.6

    申请日:2008-03-12

    Inventor: 上岛稔

    Abstract: 本发明解决以下技术问题:在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中,必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低,而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题:在本发明的各向异性导电材料中,低熔点粒子的固相线温度为125℃以上,且峰值温度为200℃以下,并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上;另外,混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。

    各向异性导电材料
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103106951A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201310016360.6

    申请日:2008-03-12

    Inventor: 上岛稔

    Abstract: 本发明解决以下技术问题:在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中,必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低,而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题:在本发明的各向异性导电材料中,低熔点粒子的固相线温度为125℃以上,且峰值温度为200℃以下,并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上;另外,混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。

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