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公开(公告)号：CN111344844B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201880070809.8
申请日：2018-10-30
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 提供：形成钎焊接头时的背面金属与软钎料合金的剥离被抑制、且通过抑制软钎料合金的不润湿、熔融软钎料的飞散、和芯片裂缝所导致的电子部件的破损从而可靠性优异的钎焊接头；和，钎焊接头的形成方法。钎焊接头以软钎料合金接合具备背面金属的电子部件与基板。软钎料合金具备：软钎料合金层、Sn‑Sb金属间化合物相、背面金属侧金属间化合物层、基板侧金属间化合物层，所述软钎料合金层具有以质量％计Ag：2～4％、Cu：0.6～2％、Sb：9.0～12％、Ni：0.005～1％和余量由Sn组成的合金组成。在Sn‑Sb金属间化合物相与背面金属侧金属间化合物层之间、和Sn‑Sb金属间化合物相与基板侧金属间化合物层之间中的至少一者中夹设有软钎料合金层。
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公开(公告)号：CN111344844A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880070809.8
申请日：2018-10-30
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 提供：形成钎焊接头时的背面金属与软钎料合金的剥离被抑制、且通过抑制软钎料合金的不润湿、熔融软钎料的飞散、和芯片裂缝所导致的电子部件的破损从而可靠性优异的钎焊接头；和，钎焊接头的形成方法。钎焊接头以软钎料合金接合具备背面金属的电子部件与基板。软钎料合金具备：软钎料合金层、Sn-Sb金属间化合物相、背面金属侧金属间化合物层、基板侧金属间化合物层，所述软钎料合金层具有以质量％计Ag：2～4％、Cu：0.6～2％、Sb：9.0～12％、Ni：0.005～1％和余量由Sn组成的合金组成。在Sn-Sb金属间化合物相与背面金属侧金属间化合物层之间、和Sn-Sb金属间化合物相与基板侧金属间化合物层之间中的至少一者中夹设有软钎料合金层。
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公开(公告)号：CN111032912A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880049672.8
申请日：2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。
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公开(公告)号：CN108311812A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810306601.3
申请日：2015-04-02
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/26 , C22C9/00 , C22C13/02 , C22C21/00 , H01L33/52 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供一种软钎料合金，其用于使部件的下表面与金属基板钎焊接合而得到的组件，所述部件的侧面实质上不具有电极，且主体由陶瓷形成，所述软钎料合金包含以质量％计Ag：0～3％、Cu：0.3～1.2％、Sb：3～10％、余量为Sn。
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公开(公告)号：CN103501959B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280020363.0
申请日：2012-02-27
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： H·J·阿尔布雷希特 , K·维尔克 , 菅沼克昭 , 上岛稔
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/0244 , C22C1/02 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H05K1/0263 , H05K3/3463 , Y10T403/479
Abstract: 本发明涉及焊料接头，其是用于功率器件等的、能够耐受高电流密度而不发生电迁移的焊料接头，所述焊料接头由Sn-Ag-Bi-In系合金形成。该焊料接头是利用本质上由2～4质量%的Ag、2～4质量%的Bi、2～5质量%的In、余量的Sn组成的焊料合金形成的。该焊料合金还可以含有Ni、Co和Fe中的一种以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101801588B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN200880106791.9
申请日：2008-07-14
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/262 , C22C13/02 , H05K3/3463
Abstract: 本发明提供可以用于车载电路的锡焊的具有优异耐热循环性或机械强度的Sn-Ag-Cu-Bi无铅焊料。包含2.8～4质量％的Ag、1.5～6质量％的Bi、0.8～1.2质量％的Cu、剩余量的Sn。
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公开(公告)号：CN103402694A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280003644.5
申请日：2012-05-10
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/26 , C22C13/00
Abstract: 本发明提供一种可获得高音质、高的试听评价的音响用焊料合金，其作为音频系统用滤波电路NW等电子电路中使用的各种电子部件连接用的接合焊料，由适当含量的6元焊料合金（Sn·Ag·Cu·Sb·In·Ni·Pb）构成。作为优选的含量的一例，Ag为1.0～1.01质量%，Cu为0.71～0.72质量%，In为0.003～0.0037质量%，Ni为0.016～0.017质量%，Pb为0.0025～0.0035质量%，剩余部分为Sn。
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公开(公告)号：CN101432095B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200780015418.8
申请日：2007-04-26
Applicant: 株式会社电装 , 千住金属工业株式会社
CPC classification number: H05K3/3478 , B23K35/262 , B23K35/40 , H01L23/492 , H01L23/49866 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29355 , H01L2224/29499 , H01L2224/29582 , H01L2224/29611 , H01L2224/29694 , H01L2224/29695 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H05K2201/0215 , H05K2201/2036 , H05K2203/0415 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13109 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供泡沫焊锡和电子器件。将半导体元件和基板通过焊锡接合而成的电子器件，会由于半导体元件和基板之间的间隙不适当而导致接合强度降低。因此在制造电子器件时采用在焊锡中分散高熔点金属颗粒而成的泡沫焊锡。但是在使用现有的焊锡来制造电子器件时，存在半导体元件倾斜或接合强度不足的问题。在本发明的泡沫焊锡中，当金属粒径为50μm时，高熔点金属颗粒的尺寸偏差在20μm以下，并且在高熔点金属颗粒的周围形成有高熔点金属颗粒与焊锡的主要成分构成的合金层。并且焊锡中完全没有空隙。另外，本发明的电子器件通过上述泡沫焊锡将半导体元件和基板接合而成，热循环性优良。
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公开(公告)号：CN100400197C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200580010063.4
申请日：2005-03-31
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 上岛稔
CPC classification number: F27D27/00 , B22D1/00 , B22D41/04 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K2101/40 , H01L24/743 , H01L2224/743 , Y10S164/90 , H01L2924/00
Abstract: 熔化焊料浇注装置包括安装在储蓄器中的搅拌器。该搅拌器由安装在储蓄器上的旋转驱动机构所旋转。熔化的焊料被放入储蓄器中，高熔点的金属颗粒被装入熔化的焊料中，用搅拌器搅拌以将金属颗粒均匀地分散在熔化的焊料中，并且然后将熔化的焊料和分散的金属颗粒浇注入模具中。在将金属颗粒装入熔化的焊料中后可立即执行铸造，因此金属颗粒不显著地熔入熔化的焊料中。
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公开(公告)号：CN111032912B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201880049672.8
申请日：2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。
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