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公开(公告)号：CN101432095B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200780015418.8
申请日：2007-04-26
Applicant: 株式会社电装 , 千住金属工业株式会社
CPC classification number: H05K3/3478 , B23K35/262 , B23K35/40 , H01L23/492 , H01L23/49866 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29355 , H01L2224/29499 , H01L2224/29582 , H01L2224/29611 , H01L2224/29694 , H01L2224/29695 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H05K2201/0215 , H05K2201/2036 , H05K2203/0415 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13109 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供泡沫焊锡和电子器件。将半导体元件和基板通过焊锡接合而成的电子器件，会由于半导体元件和基板之间的间隙不适当而导致接合强度降低。因此在制造电子器件时采用在焊锡中分散高熔点金属颗粒而成的泡沫焊锡。但是在使用现有的焊锡来制造电子器件时，存在半导体元件倾斜或接合强度不足的问题。在本发明的泡沫焊锡中，当金属粒径为50μm时，高熔点金属颗粒的尺寸偏差在20μm以下，并且在高熔点金属颗粒的周围形成有高熔点金属颗粒与焊锡的主要成分构成的合金层。并且焊锡中完全没有空隙。另外，本发明的电子器件通过上述泡沫焊锡将半导体元件和基板接合而成，热循环性优良。
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公开(公告)号：CN101001716A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580026759.6
申请日：2005-05-09
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/40 , B23K35/0222 , B23K35/025 , B23K35/22 , C22C2001/1052 , Y10T428/1216
Abstract: 现有的成形焊料制造方法是在熔融焊料中直接投入规定量的高熔点金属粒，之后使高熔点金属粒分散，因此需要搅拌很长时间。为此在现有的成形焊料制造方法中，高熔点金属粒会熔进熔融焊料中而粒径变小。若是用这种粒径变小的成形焊料进行半导体元件和电路板的软钎焊，则软钎焊部间变窄，得不到充分的接合强度。在本发明中，首先制作高熔点金属粒的配合量多的混合母合金，将该混合母合金投入熔融焊料中并使高熔点金属粒分散，因此能够在短时间内使高熔点金属粒均一地分散在焊料中。因此，由本发明的成形焊料制造方法得到的成形焊料，由于能够使软钎焊部间保有规定的间隙，所以接合强度充分。
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公开(公告)号：CN101001716B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200580026759.6
申请日：2005-05-09
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/40 , B23K35/0222 , B23K35/025 , B23K35/22 , C22C2001/1052 , Y10T428/1216
Abstract: 现有的成形焊料制造方法是在熔融焊料中直接投入规定量的高熔点金属粒，之后使高熔点金属粒分散，因此需要搅拌很长时间。为此在现有的成形焊料制造方法中，高熔点金属粒会熔进熔融焊料中而粒径变小。若是用这种粒径变小的成形焊料进行半导体元件和电路板的软钎焊，则软钎焊部间变窄，得不到充分的接合强度。在本发明中，首先制作高熔点金属粒的配合量多的混合母合金，将该混合母合金投入熔融焊料中并使高熔点金属粒分散，因此能够在短时间内使高熔点金属粒均一地分散在焊料中。因此，由本发明的成形焊料制造方法得到的成形焊料，由于能够使软钎焊部间保有规定的间隙，所以接合强度充分。
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公开(公告)号：CN101432095A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015418.8
申请日：2007-04-26
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H05K3/3478 , B23K35/262 , B23K35/40 , H01L23/492 , H01L23/49866 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29355 , H01L2224/29499 , H01L2224/29582 , H01L2224/29611 , H01L2224/29694 , H01L2224/29695 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H05K2201/0215 , H05K2201/2036 , H05K2203/0415 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13109 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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