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公开(公告)号：CN112719821B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202011490945.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种超薄真空腔均热板复合材料及其密封成型方法，属于集成电路电子封装领域。本发明超薄真空腔均热板复合材料包括VC均热板和异型焊料环，异型焊料环放置在VC均热板上下壳体的之间，异型焊料环与VC均热板上下壳体之间通过钎焊密封连接。其密封成型方法包括：VC均热板上下壳体表面处理；异型焊料环成形及预处理；VC均热板壳体和异型焊料环复合成型；VC均热板真空密真空密封成型。该方法具有良好的工艺性能、优异的复合密封性，解决了VC均热板上下壳板、密封材料定位不准的问题，有利于提高VC均热板合格率和质量，从而保证高热流密度电子器件的散热效果；该方法适合规模化批量生产应用。
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公开(公告)号：CN112609115B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011373358.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子封装用金刚石/铜热沉材料及其制备方法，属于金属基复合材料技术领域。该热沉材料由改性金刚石、铜和添加元素组成，添加元素为银、锡或铟锡中的一种或多种，按照质量百分比计，改性金刚石的含量为30％‑60％，余量为铜和添加元素，添加元素的含量为铜含量的5％‑10％。其制备方法包括粉末混合、调膏及放电等离子烧结等步骤。本发明通过添加银、锡或铟锡合金等降熔元素，有效改善了金刚石/铜复合材料的界面结合，解决了金刚石改性后界面热阻增大的问题，同时避免了高温烧结过程中金刚石发生石墨化，提高和保证了金刚石/铜热沉材料的界面结合强度和导热性能。本发明方法具有操作简单、成本低的特点，适合规模化应用。
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公开(公告)号：CN113624637A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110931756.8
申请日：2021-08-13
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: G01N5/04
Abstract: 本发明涉及一种以重量差减法测定银及金银合金中银含量的方法，属于合金成分分析技术领域。待测试样中加入混酸并加热溶解，然后加入氯化钠溶液蒸发至近干，再加入盐酸继续加热至近干，反复加入盐酸三次赶出硝酸，冷却后，加入盐酸，再加水稀释，加热至溶液澄清；冷却至室温后，过滤；沉淀用热氨水溶解，用水稀释，然后用硝酸中和至溶液浑浊，再加入氨水调至溶液澄清，并过量，加水稀释，在不断搅拌下加入1，2，3‑苯并三氮唑溶液，加热保温，得到待测溶液，将待测溶液放入已恒重的4#玻璃坩埚，抽滤后，烘干、冷却后称重，计算试样中银的含量。本发明的测定方法，提高测定结果的准确性，可以快速准确测定银及金银合金中银的含量。
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公开(公告)号：CN107855679B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201711104843.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计，其组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法，可制备出厚度20μm，宽度250mm的宽幅极薄带材，该制备方法简单，利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点，对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99％；焊缝抗拉强度σb≥150MPa；用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10‑11Pam3/s。
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公开(公告)号：CN107855679A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711104843.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计，其组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法，可制备出厚度20μm，宽度250mm的宽幅极薄带材，该制备方法简单，利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点，对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99％；焊缝抗拉强度σb≥150MPa；用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10-11Pam3/s。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105506345A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510934596.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC classification number: C22C9/00 , C22C1/0425 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C26/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , H01L33/641
Abstract: 一种高导热金刚石/铜复合封装材料及其制备方法。该材料由Cu-(1-10wt.％)Ti合金粉、钛粉和金刚石通过放电等离子烧结技术烧结而成，其中，Cu含量为40～60wt％，Ti含量为2～10wt％，余量为金刚石。该复合封装材料的界面结合较好，致密度较高，其热导率达到425-522W/m·K，热膨胀系数降至(7.1-8.3)×10-6/K，致密度达到97％以上，本发明操作性强，工艺简单，可用于电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN116005055B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211589519.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电池阳极锂硼材料及其制备方法，属于热电池阳极材料技术领域。该材料按重量百分比计，B的含量为25‑40％，Mg的含量为0‑6％，RE的含量为0.01‑0.5％，RE为La、Ce、Sc、Pr、Nd和Er中的一种或多种，其余为Li。本发明通过采用气氛保护合成、压铸制备锭坯、表面处理、精密轧制及冲制，获得所需规格热电池阳极圆片。本发明通过添加微量稀土元素，提高材料的高温稳定性与化学稳定性，改善材料的比容量及循环性能，且制备工艺流程短、材料利用率高，材料组织稳定性与均匀性良好。
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公开(公告)号：CN117558685A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311559076.3
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法，该管壳结构包括壳底和壳壁；壳底长≥10mm，宽≥10mm；壳壁高度≥5mm，厚度为1～3mm；该管壳结构为铝基材料与碳化硅复合而成，铝基材料含镁3‑4wt％，硅5‑7wt％，余量为铝或铝合金；碳化硅占总重量的30％‑70％。制备方法包括：在铝基材料的设定区域进行铣床钻孔，填充碳化硅粉末，通过搅拌摩擦加工在该区域制备铝基碳化硅复合材料，经精密轧制成形、成品退火后铣床铣削去多余的铝基体，制备出铝基碳化硅复合管壳结构。该方法可以调控铝基碳化硅复合材料的碳化硅含量，并且可以保证复合材料内部的均匀性、致密性，提高了铝基碳化硅复合材料的可加工性、稳定性，实现在电子产品中的应用。
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公开(公告)号：CN116005055A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211589519.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电池阳极锂硼材料及其制备方法，属于热电池阳极材料技术领域。该材料按重量百分比计，B的含量为25‑40％，Mg的含量为0‑6％，RE的含量为0.01‑0.5％，RE为La、Ce、Sc、Pr、Nd和Er中的一种或多种，其余为Li。本发明通过采用气氛保护合成、压铸制备锭坯、表面处理、精密轧制及冲制，获得所需规格热电池阳极圆片。本发明通过添加微量稀土元素，提高材料的高温稳定性与化学稳定性，改善材料的比容量及循环性能，且制备工艺流程短、材料利用率高，材料组织稳定性与均匀性良好。
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公开(公告)号：CN113322394B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110523285.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: C22C5/04 , C22F1/02 , C22F1/14 , B22D11/00 , C21D9/52 , C22C1/03 , H01L21/48 , H01L23/00 , B21B1/16 , B21B3/00 , B21C1/00 , B21C1/02 , B21C37/04
Abstract: 本发明涉及一种封装用高性能键合铂合金微细材及其制备方法，属于封装键合材料技术领域。该键合铂合金微细材各组分的重量百分比为：Ir：0％～60％，Ge：0％～5.0％，Be、Dy和Eu中的一种或几种，Be、Dy和Eu总含量为0.03％～0.1％，余量为Pt。其制备步骤包括制备中间合金、下引连续+定向凝固铸造合金化、粗拉+在线退火+精拉及精密轧制+在线电阻加热软化处理。该合金具有高纯化、超细化、高精化的优点，同时具有强度高、耐腐蚀性好、使用寿命长、满足极端恶劣环境使用需求等优点，适合特殊领域的封装键合需求，特别是满足芯片窄间距微型化、高可靠、高稳定性应用需求，对高端半导体器件的发展意义重大。
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