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公开(公告)号：CN114270485B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202080059729.X
申请日：2020-06-04
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 大槻刚
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及半导体基板的评价方法，其评价半导体基板的电气特性，包含以下工序：在半导体基板的表面形成pn结；在晶圆卡盘上搭载半导体基板，晶圆卡盘设置有对半导体基板表面进行光照射的装置及测量照射的光的光量的装置；对半导体基板表面进行预定时间的光照射；以及至少测量关闭光照射后的pn结的光照射后的产生载流子量。由此，提供一种半导体基板的评价方法，该方法在对与CCD、CMOS图像传感器等要求高成品率的产品所使用的晶圆的余像特性对应的特性进行评价时，不进行使用了工艺设备的元件的制作，在晶圆状态下也能够进行与形成实际的固体摄像元件时同样的评价。
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公开(公告)号：CN112951932B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011203371.1
申请日：2020-11-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/0288 , H01L27/146 , C30B15/00 , C30B29/06
Abstract: 技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×1014atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN109564856B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201780046457.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。
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公开(公告)号：CN115485815A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031524.5
申请日：2021-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明是一种半导体基板的干式蚀刻方法，其为具有氧化膜的半导体基板的干式蚀刻方法，其中，预先评价所述氧化膜的膜质，并基于该评价的结果确定进行所述干式蚀刻的时间。由此，提供以下的方法：在对半导体基板表面的氧化膜进行干式蚀刻时，可不受氧化膜的膜质差异影响，准确地控制氧化膜的蚀刻量，而抑制过度蚀刻或蚀刻不足。
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公开(公告)号：CN106104756B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580013050.6
申请日：2015-02-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L21/324 , G01N23/2254
CPC classification number: H01L22/24 , G01N23/2254 , G01N2223/3106 , G01N2223/6116 , H01L21/26513 , H01L21/2686 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106030762A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010104.3
申请日：2015-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/3242 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/2686 , H01L29/32 , H01L29/36
Abstract: 本发明是一种闪光灯退火用半导体基板，其特征在于，用于下述制造工序，该制造工序是进行离子注入并在半导体基板表面形成p‑n结，通过闪光灯退火来修复离子注入缺陷，并且，所述半导体基板的碳浓度在0.5ppma以下。由此，提供一种闪光灯退火用半导体基板，其在使用闪光灯退火工序而制成的元件中，能够简单且切实地防止离子注入缺陷的残留。
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公开(公告)号：CN104303280A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025843.0
申请日：2013-04-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 大槻刚
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2601 , H01L22/14 , H01L22/34 , H01L29/0638 , H01L29/1095
Abstract: 本发明是在EP基板1上，成长与EP基板1不同的导电型EP层2。在EP层2上形成分离氧化膜9。通过离子注入，形成与EP层2相同的导电型井5，并且在分离氧化膜9的正下方利用自对准形成通道阻绝层10。在井5中，使与井5不同的导电型掺杂物扩散而在井5内形成pn接合7。形成多个以扩散层6作为一电极、以EP基板1的背面1a作为另一电极的单元20而用作TEG，对来自井中的空乏层8以及EP层2与EP基板1的界面的空乏层4的2个空乏层的接合漏电电流进行测定。因此，可提供一种可对CCD、CMOS传感器等要求高良率的产品中使用的高质量晶圆的漏电电流特性高精度地进行评价的半导体基板的评价方法以及半导体基板及半导体装置。
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公开(公告)号：CN119654700A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380056352.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/20 , H10D86/00 , H10D62/10
Abstract: 本发明是一种量子计算机用硅基板的制造方法，其中，包含以下步骤：通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体作为该硅系原料气体在硅基板上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤；对所述Si外延层的表面进行氧化来形成氧(O)的δ掺杂层的步骤；以及，通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体在所述δ掺杂层上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤。由此，提供一种量子计算机用硅基板及其制造方法，该量子计算机用硅基板能够抑制29Si的影响，并抑制核自旋的影响。
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公开(公告)号：CN118661242A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280092184.1
申请日：2022-12-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种高频器件用基板，其特征在于，具有：表面具有凹凸的支撑基板、所述支撑基板的所述表面上的金刚石层、以及所述金刚石层上的硅氧化膜层。由此，提供利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板、以及利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN118176329A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280067121.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种异质外延膜的制作方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶Si基板上异质外延生长后将其剥离的异质外延膜的制作方法，该制作方法包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳与硅的源气体，一边在1333Pa以下、300～950℃以下的条件下进行SiC的核形成的第二工序；在1333Pa以下、800℃以上且小于1200℃的条件下形成3C‑SiC单晶膜并且在3C‑SiC单晶膜正下方形成空位的第三工序；及利用空位剥离3C‑SiC单晶膜从而制作异质外延膜的第四工序。由此，提供一种对器件造成的损伤少且减少材料的损失而效率良好地得到薄膜状的异质外延膜的方法。
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