-
公开(公告)号：CN1274032C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02804373.1
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池1具有许多互相平行地形成在硅单晶衬底的第一主要表面24a上的沟槽2。电极6形成在每个沟槽的一侧的内侧面上。每个沟槽形成在和第一主要表面24a上的 方向不一致的方向上。这样提高了太阳能电池1的机械强度。沟槽2的形成方向最好和最靠近该形成方向的 方向在锐角一侧交叉成4度到45度的角度。
-
公开(公告)号：CN1149306C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN98100136.X
申请日：1998-01-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/36 , Y10S117/911
Abstract: 在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中，使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅熔体接触，并且以缓慢的速度降低晶种的高度，以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉，以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶，而不进行缩颈操作，同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。
-
公开(公告)号：CN1489793A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804373.1
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池1具有许多互相平行地形成在硅单晶衬底的第一主要表面24a上的沟槽2。电极6形成在每个沟槽的一侧的内侧面上。每个沟槽形成在和第一主要表面24a上的 方向不一致的方向上。这样提高了太阳能电池1的机械强度。沟槽2的形成方向最好和最靠近该形成方向的 方向在锐角一侧交叉成4度到45度的角度。
-
公开(公告)号：CN1193054A
公开(公告)日：1998-09-16
申请号：CN98100136.X
申请日：1998-01-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/36 , Y10S117/911
Abstract: 在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中,使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅烷体接触,并且以缓慢的速度降低晶种的高度,以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉,以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶,而不进行缩颈操作,同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。
-
公开(公告)号：CN112951932B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011203371.1
申请日：2020-11-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/0288 , H01L27/146 , C30B15/00 , C30B29/06
Abstract: 技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×1014atoms/cm3以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1531478A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN02806115.2
申请日：2002-01-31
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 阿部孝夫
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 一种加热设备20包括在其中形成有工件安放空间1的容器2，以及对工件安放空间1中的工件W进行加热的热源3。所述设备进一步包括热射线反射部件10，所述热射线反射部分10具有由热射线反射材料构成的热反射表面10a，使之允许使工件安放空间1中产生的热射线在热反射表面10a上反射，从而改变热射线的方向朝向工件W。用于在特定波长波段中反射热射线的热射线反射材料包括多个单元反射层的叠层，所述单元反射层包括对于热射线具有透明特性的材料，其中，在单元反射层中，由对于热射线的折射率相互不同的材料的组合来构成两个相邻层，同时保持1.1或更大的折射率之间的差异。
-
公开(公告)号：CN1489791A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804239.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , F24S30/425 , F24S2030/16 , H01L31/02 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H02S20/23 , H02S20/24 , H02S20/30 , Y02B10/12 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 太阳能电池组件60具有多个太阳能电池14，这些太阳能电池在其各个吸收光表面上具有多个平行的凹槽8，每个凹槽具有一在其横向一侧的内侧面(电极形成内侧面)上用于引出输出的电极5；并具有用于以整体化方式支撑太阳能电池14以使吸收光表面朝上的支架10、50。当考虑到各个所安装的太阳能电池14的吸收光表面水平面的倾斜角β和太阳能电池组件的安装位置的纬度δ时，通过调整凹槽8的电极形成内侧面的安装方向可以增加年功率输出。这成功地提供了即使在太阳光斜向照射组件时也能均衡来自组件中各个太阳能电池的输出电流的太阳能电池组件。
-
公开(公告)号：CN100521252C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200580028213.4
申请日：2005-07-15
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明的目的在于，提供无圆板状的单晶晶片的损失且可高度活用至今无法有效利用的弓形电池的太阳光发电用模块及使用其的太阳光发电系统、提供每单位面积的动作电压(也称为“面积电压”)高的太阳光发电用模块及使用其的太阳光发电系统、以及提供能够提高模块相对住宅屋顶的有效设置面积的配置率的太阳光发电用模块及使用其的太阳光发电系统。太阳光发电用模块通过从圆板状的单晶硅太阳光发电用电池分割的弓形电池构成，该弓形电池具有中心角为90°的圆弧，具有与弦正交的格栅及与其正交的一条以上的母线，且该弓形电池排列成格子状，所述太阳光发电用模块的特征在于，排列有14～42片面积为28～65cm2的该弓形电池。
-
公开(公告)号：CN1258232C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN02804239.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , F24S30/425 , F24S2030/16 , H01L31/02 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H02S20/23 , H02S20/24 , H02S20/30 , Y02B10/12 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 太阳能电池组件60具有多个太阳能电池14，这些太阳能电池在其各个吸收光表面上具有多个平行的凹槽8，每个凹槽具有一在其横向一侧的内侧面(电极形成内侧面)上用于引出输出的电极5；并具有用于以整体化方式支撑太阳能电池14以使吸收光表面朝上的支架10、50。当考虑到各个所安装的太阳能电池14的吸收光表面水平面的倾斜角β和太阳能电池组件的安装位置的纬度6时，通过调整凹槽8的电极形成内侧面的安装方向可以增加年功率输出。这成功地提供了即使在太阳光斜向照射组件时也能均衡来自组件中各个太阳能电池的输出电流的太阳能电池组件。
-
公开(公告)号：CN1489792A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804225.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 在半导体单晶基片24的第一主表面24a上形成了多个近于平行的沟槽2，而在每个沟槽2的内侧面上形成用于引出电池的金属电极6，这个内侧面用作电极形成区，在沟槽的横着方向观看时的一侧上。在电极形成区形成含金属底层49后，包含化学镀层、电镀层和热浸层中至少任何一层的主电极金属层50形成在含金属底层49上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.031 seconds)
