公开(公告)号：CN1149306C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98100136.X

申请日：1998-01-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  木村雅规

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/36 ,  Y10S117/911

Abstract: 在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中，使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅熔体接触，并且以缓慢的速度降低晶种的高度，以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉，以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶，而不进行缩颈操作，同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。

公开(公告)号：CN1193054A

公开(公告)日：1998-09-16

申请号：CN98100136.X

申请日：1998-01-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  木村雅规

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/36 ,  Y10S117/911

Abstract: 在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中,使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅烷体接触,并且以缓慢的速度降低晶种的高度,以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉,以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶,而不进行缩颈操作,同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。