公开(公告)号：CN103261879A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180045250.1

申请日：2011-09-16

申请人： 安托莱特公司

发明人： 珍·伯尼

IPC分类号： G01N23/225 ,  H01J37/22

CPC分类号： G21K1/00 ,  G01N23/2254 ,  H01J37/222 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/06333 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/2611 ,  H01J2237/2808 ,  H01J2237/30472

摘要： 一种产生阴极发光图像的方法，其包括以下步骤：产生强度可调节的带电粒子束；在样品上聚焦所述带电粒子束；瞬时选通由所述样品发出的阴极发光，从而提供时间选通阴极发光；针对样品上不同带电粒子束位置测量时间选通阴极发光用以产生阴极发光图像，对阴极发光图像去卷积，以改进所述阴极发光图像的分辨率。本发明还提供了实施该方法的装置。

公开(公告)号：CN104870985A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380066389.3

申请日：2013-11-29

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 平井大博 ,  中垣亮 ,  原田实

IPC分类号： G01N23/225 ,  H01L21/66

CPC分类号： G06T7/001 ,  G01N23/2254 ,  G01N2223/418 ,  G01N2223/611 ,  G06K9/00 ,  G06K9/46 ,  G06K9/4661 ,  G06K2009/4666 ,  G06T2207/30148

摘要： 在未形成图案的阶段的制造工序或在摄像图像上不显示在下层形成的图案的制造工序中，用于解析缺陷的事例增加。然而，在这样的事例中，在图像上无法识别周期性图案的情况下，存在不能合成良好的参照图像，缺陷检测失败的问题。因此，求出在被检查图像中缺陷区域所占的比例即缺陷占有率，判定该缺陷占有率与阈值的大小，根据判定结果，决定是否生成由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。尤其在缺陷占有率低的情况下，采用由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。

公开(公告)号：CN104089966A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410017457.3

申请日：2014-01-15

申请人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司

发明人： E.希尔 ,  S.比恩

IPC分类号： G01N23/20 ,  G01N23/22

CPC分类号： H01J37/26 ,  G01N23/2254 ,  H01J2237/2804 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/2808 ,  H01J2237/2809

摘要： 本发明涉及一种方法和一种带电粒子束装置(1)，用于使用与物体(24)互相作用的带电粒子束来分析物体(24)。该物体(24)包括嵌入树脂(15B)中的样品(15A)。检测阴极发光光形式的互相作用辐射以识别布置有树脂(15B)的区域和布置有样品(15A)的区域。检测互相作用粒子以识别树脂(15B)和样品(15A)内的粒子，以通过使用EDX分析进行进一步分析。

公开(公告)号：CN104870985B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380066389.3

申请日：2013-11-29

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 平井大博 ,  中垣亮 ,  原田实

IPC分类号： G01N23/225 ,  H01L21/66

CPC分类号： G06T7/001 ,  G01N23/2254 ,  G01N2223/418 ,  G01N2223/611 ,  G06K9/00 ,  G06K9/46 ,  G06K9/4661 ,  G06K2009/4666 ,  G06T2207/30148

摘要： 在未形成图案的阶段的制造工序或在摄像图像上不显示在下层形成的图案的制造工序中，用于解析缺陷的事例增加。然而，在这样的事例中，在图像上无法识别周期性图案的情况下，存在不能合成良好的参照图像，缺陷检测失败的问题。因此，求出在被检查图像中缺陷区域所占的比例即缺陷占有率，判定该缺陷占有率与阈值的大小，根据判定结果，决定是否生成由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。尤其在缺陷占有率低的情况下，采用由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。

公开(公告)号：CN106104756A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013050.6

申请日：2015-02-23

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 大槻刚 ,  竹野博

IPC分类号： H01L21/265 ,  G01N23/225 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L22/24 ,  G01N23/2254 ,  G01N2223/3106 ,  G01N2223/6116 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。

公开(公告)号：CN106104756B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580013050.6

申请日：2015-02-23

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 大槻刚 ,  竹野博

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  G01N23/2254

CPC分类号： H01L22/24 ,  G01N23/2254 ,  G01N2223/3106 ,  G01N2223/6116 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。

公开(公告)号：CN104089966B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201410017457.3

申请日：2014-01-15

申请人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司

发明人： E.希尔 ,  S.比恩

IPC分类号： G01N23/20 ,  G01N23/22

CPC分类号： H01J37/26 ,  G01N23/2254 ,  H01J2237/2804 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/2808 ,  H01J2237/2809

摘要： 本发明涉及种方法和种带电粒子束装置(1),用于使用与物体(24)互相作用的带电粒子束来分析物体(24)。该物体(24)包括嵌入树脂(15B)中的样品(15A)。检测阴极发光光形式的互相作用辐射以识别布置有树脂(15B)的区域和布置有样品(15A)的区域。检测互相作用粒子以识别树脂(15B)和样品(15A)内的粒子,以通过使用EDX分析进行进步分析。

公开(公告)号：CN105143867B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480017702.9

申请日：2014-03-24

申请人： 杰富意钢铁株式会社

发明人： 名越正泰 ,  山下孝子 ,  臼井幸夫 ,  高城重宏 ,  花泽和浩

IPC分类号： G01N23/225 ,  H01F1/16 ,  H01F1/18 ,  C21D8/12

CPC分类号： G01N21/66 ,  C21D8/12 ,  C21D8/1283 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/95 ,  G01N23/2254 ,  G01N2021/8887 ,  H01F1/16

摘要： 提供一种能够在不破坏测定对象的情况下简单地确认镁橄榄石的存在的技术。根据在对具有镁橄榄石的材料照射电子射线时通过电子射线的激励而发光的区域来确认存在镁橄榄石的位置。本发明能够优选地应用于材料是具有镁橄榄石层的方向性电磁钢板的情况。此外，当材料是在镁橄榄石层上具有张力涂层的方向性电磁钢板的情况下，优选使照射电子射线时的加速电压为10kV以上。

公开(公告)号：CN107727677A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710866383.4

申请日：2017-09-22

申请人： 中国科学院地质与地球物理研究所

发明人： 杨赛红 ,  闫欣 ,  陈意 ,  苏本勋 ,  谷立新 ,  唐旭

IPC分类号： G01N23/225

CPC分类号： G01N23/2254

摘要： 本发明公开了一种独居石的阴极发光成像方法，包括：对独居石矿物颗粒进行制靶，得到树脂靶；对所述树脂靶抛光，使独居石露出于所述树脂靶；在露出于所述树脂靶的独居石进行镀膜，将镀膜面朝上，并用导电胶将镀膜后的树脂靶固定在场发射扫描电镜的样品台上，将场发射扫描电镜的样品仓抽真空，使所述树脂靶处于真空条件下；选择阴极发光探头的工作距离；选择电子束的加速电压；选择电子束的束斑大小；选择初级增益值；获取独居石单颗粒的图像。本发明对独居石进行高分辨阴极发光发光成像，解决了独居石一直以来阴极发光整体黑的问题，达到清晰地反映独居石的内部结构特征，起到了独居石原位微区定年精准选点的目的。

公开(公告)号：CN106770406A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710122649.4

申请日：2017-03-03

申请人： 南京大学

发明人： 李娟 ,  陆现彩 ,  陆建军

IPC分类号： G01N23/22

CPC分类号： G01N23/2254

摘要： 本发明公开了一种基于分光技术的碳酸盐矿物高对比阴极发光图像获取技术，具体步骤为：步骤一，将碳酸盐样品将碳酸盐样品制成薄片并抛光，不喷镀；步骤二，将碳酸盐薄片置于SEM的样品台上，水平摆放，且试样表面与入射电子垂直；步骤三，CL图片的拍摄；本发明基于传统CL拍照技术，专门针对碳酸盐类矿物在不喷镀的情况下，通过分光技术、仪器参数的调整，以提高样品发光强度及信噪比，从而获取高对比度CL图像；通过分光技术的应用，可以在矿物特定的发光波段下进行拍照，避免其它波段对图像质量的影响；通过选择最优的电压、电流强度的拍摄条件，增强图像对比度，获取高质量图像。