试样观察装置以及方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115508398A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202210671788.3

    申请日:2022-06-14

    摘要: 本发明提供一种试样观察装置以及方法,关于试样观察装置,提供用户能够简单地提高缺陷检测相关的精度的技术。试样观察装置在试样观察处理之前进行的学习处理中,按由缺陷位置信息表示的缺陷位置,取得第一拍摄条件下的学习用低画质图像,根据拍摄张数的设定值,决定与每个缺陷位置的学习用低画质图像对应起来的多个学习用高画质图像的拍摄张数和多个拍摄点,取得第二拍摄条件下的多个学习用高画质图像,使用学习用低画质图像和多个学习用高画质图像,学习高画质图像推定模型,使用高画质图像推定模型,调整试样观察处理的缺陷检测相关的参数。

    缺陷观察方法以及缺陷观察装置

    公开(公告)号:CN104870985B

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201380066389.3

    申请日:2013-11-29

    IPC分类号: G01N23/225 H01L21/66

    摘要: 在未形成图案的阶段的制造工序或在摄像图像上不显示在下层形成的图案的制造工序中,用于解析缺陷的事例增加。然而,在这样的事例中,在图像上无法识别周期性图案的情况下,存在不能合成良好的参照图像,缺陷检测失败的问题。因此,求出在被检查图像中缺陷区域所占的比例即缺陷占有率,判定该缺陷占有率与阈值的大小,根据判定结果,决定是否生成由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。尤其在缺陷占有率低的情况下,采用由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。

    缺陷检查方法以及缺陷检查装置

    公开(公告)号:CN105026883A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201480012327.9

    申请日:2014-01-27

    摘要: 为了缩短缺陷图像的收集时间,缺陷检查装置具备:读出部,其读出已检测的半导体晶片的缺陷位置;第1摄像部,其在与读出的缺陷中的某一个缺陷所存在的芯片不同的芯片中,以第1倍率拍摄参照图像;第2摄像部,其以第1倍率拍摄包含读出的缺陷的第1缺陷图像;缺陷位置确定部,其比较通过第1摄像部拍摄的参照图像与通过第2摄像部拍摄的第1缺陷图像,来确定第1缺陷图像上的缺陷位置;以及第3摄像部,其基于确定缺陷位置,以比第1倍率高的第2倍率拍摄第2缺陷图像,并具有:排序部,其按照无重复地转一圈的路径顺序对读出的缺陷进行排序;以及载物台移动路径生成部,其对每个与参照图像对应的缺陷选择用于拍摄参照图像的芯片,并通过决定第1摄像部和第2摄像部中的载物台的移动位置来生成载物台移动路径。

    缺陷观察方法以及缺陷观察装置

    公开(公告)号:CN104903712A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201380069668.5

    申请日:2013-12-06

    IPC分类号: G01N23/225 G01N21/956

    摘要: 本发明的目的在于,能够从观察对象样本中容易地提取能够标记为“缺陷”和“妨扰”(错误检测出制造公差等的部位)的缺陷候选,容易地调整与观察处理有关的参数。本发明的缺陷观察方法包括:根据来自检查装置的缺陷信息拍摄被检查对象物,得到缺陷图像和与该缺陷图像对应的参照图像的摄像步骤;使用根据在上述摄像步骤中拍摄所得的该缺陷图像和该参照图像得到的第一特征量分布、根据该参照图像得到的第二特征量分布,决定用于缺陷提取的第一参数的参数决定步骤;使用在上述参数决定步骤中决定的该第一参数进行观察的观察步骤。本发明能够应用于观察在半导体晶圆的制造中产生的缺陷的方法。

    试样观察系统以及图像处理方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115088061A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202180013541.6

    申请日:2021-01-08

    摘要: 一种试样观察系统,具有扫描型电子显微镜和计算机,进行如下处理:(1)取得所述扫描型电子显微镜拍摄的多个图像;(2)从所述多个图像取得包含缺陷部位的学习用缺陷图像和不包含所述缺陷部位的学习用参照图像;(3)使用所述学习用缺陷图像和所述学习用参照图像来计算推定处理参数;(4)取得包含缺陷部位的检查用缺陷图像;以及(5)使用所述推定处理参数和所述检查用缺陷图像来推定伪参照图像。

    缺陷检查方法以及缺陷检查装置

    公开(公告)号:CN105026883B

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201480012327.9

    申请日:2014-01-27

    摘要: 为了缩短缺陷图像的收集时间,缺陷检查装置具备:读出部,其读出已检测的半导体晶片的缺陷位置;第1摄像部,其在与读出的缺陷中的某一个缺陷所存在的芯片不同的芯片中,以第1倍率拍摄参照图像;第2摄像部,其以第1倍率拍摄包含读出的缺陷的第1缺陷图像;缺陷位置确定部,其比较通过第1摄像部拍摄的参照图像与通过第2摄像部拍摄的第1缺陷图像,来确定第1缺陷图像上的缺陷位置;以及第3摄像部,其基于确定缺陷位置,以比第1倍率高的第2倍率拍摄第2缺陷图像,并具有:排序部,其按照无重复地转一圈的路径顺序对读出的缺陷进行排序;以及载物台移动路径生成部,其对每个与参照图像对应的缺陷选择用于拍摄参照图像的芯片,并通过决定第1摄像部和第2摄像部中的载物台的移动位置来生成载物台移动路径。