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公开(公告)号：CN101325174B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810086981.0
申请日：2005-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/522 , H01L23/532 , C23C16/02 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0281 , C23C16/34 , H01J37/321 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76814 , H01L21/76856 , Y10S438/905 , Y10S438/906 , Y10S438/974
Abstract: 本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。
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公开(公告)号：CN101397653B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810169541.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。
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公开(公告)号：CN101842193A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200980100867.1
申请日：2009-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B24C1/00 , B24C1/003 , B24C1/06 , B24C11/00 , C23C16/0254
Abstract: 本发明具备：第1喷砂工序，使用由非升华性材料构成的喷砂材(例如氧化铝)对喷头部和处理容器等的金属母材的表面进行喷砂处理；第2喷砂工序，使用由升华性材料构成的喷砂材(例如干冰)对实施了所述第1喷砂工序的所述金属母材的表面进行喷砂处理。通过第1喷砂工序，将金属母材的表面进行适度粗糙化而难以产生在成膜处理中发生的附着膜的剥离，同时防止由于附着膜的剥离引起的颗粒物的产生；通过第2喷砂工序，将附着在金属母材的表面的非升华性喷砂材的残渣基本完全除去，防止由于金属母材脱落的非升华性喷砂材的残渣引起颗粒物的产生。
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公开(公告)号：CN101346802B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780000953.6
申请日：2007-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/14 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和基板处理装置，使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层，在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSix膜。在形成上述TiSix膜(507)的工序中，不向处理室导入氩气地多次重复下述工序：向处理室导入钛化合物气体，使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序；停止向处理室导入钛化合物气体，除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序；和向处理室导入氢气，并在处理室内形成等离子体，对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原，同时使其与Si表面的硅反应，形成TiSix膜(507)的第三工序。
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公开(公告)号：CN101443477A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017194.4
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/14 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/56 , H01L21/28556
Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法和存储介质，该Ti类膜的成膜方法包括：在基座上不存在晶片(W)的状态下向腔室内导入含氟的清洗气体而对腔室内进行清洗的工序(工序1)；在基座上不存在晶片(W)的状态下对基座进行加热，并从喷淋头向腔室内喷出含Ti的处理气体，至少在喷淋头的表面形成预敷膜的工序(工序2)；和之后，在已加热基座(2)的状态下将晶片载置于其上，通过向腔室(1)内供给处理气体而在晶片(W)上形成Ti类膜的工序(工序3)，其中，使基座的温度低于成膜工序时的温度进行预敷膜形成工序。
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公开(公告)号：CN115466941A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210609924.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 提供一种用于改善膜厚的面内分布的喷淋头及基板处理装置。该喷淋头包括：喷淋板；基座部件，设置有气体流路，并对所述喷淋板进行固定；以及多个气体供给部件，布置在形成于所述喷淋板与所述基座部件之间的气体扩散空间中，并与所述气体流路连接，其中，所述气体供给部件具有用于沿放射方向喷出气体的多个喷出口，从多个所述气体供给部件的喷出口喷出的气体形成旋流。
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公开(公告)号：CN113529052A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110371103.9
申请日：2021-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够使成膜开始时的原料气体的流量在短时间内变得稳定的技术。本发明的一方式的原料供给装置包括：向处理容器内供给原料气体的原料供给通路；设置于所述原料供给通路的阀；检测所述原料供给通路内的压力的压力传感器；与所述原料供给通路连接，对所述原料供给通路内的所述原料气体进行排气的原料排气通路；设置于所述原料排气通路，通过调节开度来控制所述原料供给通路内的压力的开度调节机构；和基于所述压力传感器的检测值来调节所述开度调节机构的所述开度的控制部。
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公开(公告)号：CN107043927B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201610866667.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供使固体原料气化而将含有气体的原料气体供给到成膜处理部时使气化的原料的供给量稳定的技术。在用于向原料容器供给运载气体的运载气体供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。并且，在向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置有MFC2。求取从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的偏差值，基于从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的值，求取减去偏差值的原料的流量的实测值。依据原料的流量的实测值与原料的目标值的差，调整MFC1的设定值而调整运载气体的流量，调整包含于原料气体的原料的量。
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公开(公告)号：CN107043927A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610866667.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供使固体原料气化而将含有气体的原料气体供给到成膜处理部时使气化的原料的供给量稳定的技术。在用于向原料容器供给运载气体的运载气体供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。并且，在向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置有MFC2。求取从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的偏差值，基于从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的值，求取减去偏差值的原料的流量的实测值。依据原料的流量的实测值与原料的目标值的差，调整MFC1的设定值而调整运载气体的流量，调整包含于原料气体的原料的量。
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公开(公告)号：CN105164307A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480024289.9
申请日：2014-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/34 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴(23)穿过被设于处理容器(1)的贯通口(15)而与外部的升降机构相连接。波纹管(231)自侧方覆盖升降轴(23)的周围而将处理容器(1)内保持为真空气氛，盖构件(41)以包围升降轴(23)的方式配置，吹扫气体供给部(63b)向波纹管(231)内供给吹扫气体，以便形成经由升降轴(23)与盖构件(41)之间的间隙向处理容器(1)流动的气体的流动。
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