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公开(公告)号：CN102263001A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206202.8
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
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公开(公告)号：CN100367469C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03806896.6
申请日：2003-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林典之
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31116
Abstract: 提供了一种可抑制蚀刻停止现象，而且在蚀刻孔内不产生沉积的等离子体蚀刻方法。使包含导入处理容器内的CxFy(x≥2)和CF4的气体等离子体化。通过在该膜上的金属化合物的掩模开口图形，对该处理容器内的被处理体W中的膜进行等离子体蚀刻。
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公开(公告)号：CN101005028A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610146540.6
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，该方法在对SiOC膜等绝缘膜进行蚀刻时，将孔的口径和槽的宽度等控制在较小值。在进行蚀刻之前，将含有CF4气体和CH3F气体的处理气体等离子体化，利用该等离子体实施使堆积物附着在抗蚀剂掩模开口部的侧壁上、减小开口尺寸的前处理。另外，在对SiOC膜进行蚀刻时，将含有CF4气体、CH3F气体和氮气的处理气体等离子体化，向处理气氛供给用于等离子体化的第一高频，使供给的功率除以基板表面积的商值为1500W/70685.8mm2以上(300mm晶片的表面积)，对SiOC膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN1973363A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580020518.0
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN1249788C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN01820351.5
申请日：2001-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31056
Abstract: 作为蚀刻气体用至少包含：C≥4、C/F比在0.625以上的第一氟碳系气体；F≥4、C/F比0.5以下的第二氟碳系气体；Ar气；和O2气的混合气体，对由氧化硅膜等形成的绝缘膜进行蚀刻。据此，即使在形成深径比高的接触孔的情况下，在提高蚀刻速度以及抗蚀剂掩膜选择比的同时，可抑制接触孔变成弯曲状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523569B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780036915.6
申请日：2007-10-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J2237/334 , H01J2237/3346 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76834
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器(10)内将上部电极(34)和下部电极(16)以相对的方式配置，上部电极(34)与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源(48)连接，下部电极(16)与施加离子引入偏压用的高频电力的第二高频电源(90)连接，在第二高频电源(90)设置有控制器(95)，该控制器(95)控制第二高频电源(90)，使其在功率调制模式下工作，该功率调制模式为在聚合物被堆积在晶片W的规定膜上的第一功率与对晶片W的规定膜实施蚀刻的第二功率之间以规定的周期进行功率调制。
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公开(公告)号：CN102157372B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110092752.1
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN100521110C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610146540.6
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，该方法在对SiOC膜等绝缘膜进行蚀刻时，将孔的口径和槽的宽度等控制在较小值。在进行蚀刻之前，将含有CF4气体和CH3F气体的处理气体等离子体化，利用该等离子体实施使堆积物附着在抗蚀剂掩模开口部的侧壁上、减小开口尺寸的前处理。另外，在对SiOC膜进行蚀刻时，将含有CF4气体、CH3F气体和氮气的处理气体等离子体化，向处理气氛供给用于等离子体化的第一高频，使供给的功率除以基板表面积的商值为1500W/70685.8mm2以上(300mm晶片的表面积)，对SiOC膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101447426A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180924.9
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
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公开(公告)号：CN1643665A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806896.6
申请日：2003-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林典之
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31116
Abstract: 提供了一种可抑制蚀刻停止现象，而且在蚀刻孔内不产生沉积的等离子体蚀刻方法。使包含导入处理容器内的CxFy(x≥2)和CF4的气体等离子体化。通过在该膜上的金属化合物的掩模开口图形，对该处理容器内的被处理体W中的膜进行等离子体蚀刻。
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