公开(公告)号：CN100477119C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200580037146.2

申请日：2005-10-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  吉井直树

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  C23C16/18 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846

Abstract: 本发明的目的是使半导体装置的Cu扩散防止膜与Cu配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成Cu膜的第二工序，并且所述密接膜含有Pd。

公开(公告)号：CN101053072A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200680001098.6

申请日：2006-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  松泽兴明 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76864

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。

公开(公告)号：CN1278386C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN01816575.3

申请日：2001-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  田村登 ,  小岛康彦 ,  石坂忠大

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其包括：容器；设置在上述容器内、在载置被处理体的同时、可以加热上述被处理体的加热板；向上述加热板供给电力的供电器件；在隔着间隙载置上述加热板的同时、可以冷却上述加热板的冷却块；和用于向上述空隙导入热传导气体的气体导入路。

公开(公告)号：CN1703769A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03820662.5

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  石坂忠大 ,  小岛康彦 ,  大岛康弘 ,  重冈隆

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557

Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。

公开(公告)号：CN102317499A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008213.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  桧皮贤治

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在腔室(1)内收纳具有CVD-Ru膜的晶片W，在腔室(1)内以气相状态导入含有作为Cu配位化合物的Cu(hfac)TMVS的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Cu(hfac)2的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片W的CVD-Ru膜上形成CVD-Cu膜时，将腔室1内压力控制为吸附于CVD-Ru膜表面的Cu(hfac)2的进行脱离和扩散的压力。

公开(公告)号：CN101421831B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200780013607.1

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛正树 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/677 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置、半导体装置的制造方法、存储介质和计算机程序，其利用沿绝缘膜的凹部成膜的铜和添加金属例如Mn的合金层形成阻挡膜和铜膜，之后在埋入铜配线时，能够降低铜膜中的Mn的量，抑制配线电阻的上升。在对晶片载体进行晶片的交接的装载机模块中，通过负载锁定室连接真空搬送模块，在该真空搬送模块中连接向晶片供给作为有机酸的蚁酸的蒸汽的蚁酸处理模块、和用例如CVD使Cu成膜的模块，构成半导体制造装置，将形成上述合金层且例如接着进行过退火处理的晶片W搬入该装置内，进行蚁酸处理之后，进行Cu的成膜。

公开(公告)号：CN101490818A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027573.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。

公开(公告)号：CN101490817A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027502.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置和计算机程序。制造铜膜与其基底膜的密合性良好而且配线间的电阻小的半导体装置。将包括吸收有大气中的水分的多孔质绝缘膜(SiOC膜11)，在该绝缘膜上形成有槽(100)的基板(晶片W)载置在处理容器内。在基板上被覆由阀金属构成的第一基底膜(Ti膜13)。由从绝缘层释放出的水分，氧化与绝缘膜接触的第一膜的表面形成钝化膜(13a)。在第一基底膜的表面被覆由阀金属的氮化物或者碳化物构成的第二基底膜，利用以铜的有机化合物为原料的CVD法在第二基底膜的表面形成铜膜(15)。

公开(公告)号：CN101421831A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780013607.1

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛正树 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/677 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置、半导体装置的制造方法、存储介质和计算机程序，其利用沿绝缘膜的凹部成膜的铜和添加金属例如Mn的合金层形成阻挡膜和铜膜，之后在埋入铜配线时，能够降低铜膜中的Mn的量，抑制配线电阻的上升。在对晶片载体进行晶片的交接的装载机模块中，通过负载锁定室连接真空搬送模块，在该真空搬送模块中连接向晶片供给作为有机酸的蚁酸的蒸汽的蚁酸处理模块、和用例如CVD使Cu成膜的模块，构成半导体制造装置，将形成上述合金层且例如接着进行过退火处理的晶片W搬入该装置内，进行蚁酸处理之后，进行Cu的成膜。

公开(公告)号：CN100405549C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。