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公开(公告)号：CN104272428B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201380022385.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01J37/317 , H01L21/266 , H01L31/0224
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3045 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 揭示一种在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的装置及方法。在基板入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植
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公开(公告)号：CN104396002B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201380034660.5
申请日：2013-05-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
CPC classification number: B25J9/10 , B25J15/0616 , B25J19/0029 , B25J19/0041 , H01L21/67736 , H01L21/67754 , H01L21/6838
Abstract: 一种工件操作系统及应用于其中的端末效应器。端末效应器以高速操作工件，其中工件例如为太阳能电池。端末效应器可无限制地旋转。端末效应器具有夹具支架，其能够支持多个夹具，夹具可安排成任何配置，例如为4x1的线性阵列。每一夹具和抽吸系统相连通，其中，在一些实施例中，每一夹具可以选择性地启用或停用。也提供多个电性元件，例如为邻近传感器，其被安装在转动的夹具支架。在另一实施例中，使用了具有多个侧面的端末效应器，每一侧面包含多个夹具。
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公开(公告)号：CN103415919B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280012699.2
申请日：2012-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68 , B65G49/07 , H01L21/67769 , H01L21/67775 , H01L21/67781 , H01L21/681 , Y10T29/49764 , Y10T29/49829 , Y10T29/53022 , Y10T29/53539
Abstract: 一种对准装置、工件承载设备以及对准方法。所述对准装置具有支架；支架上的二轨条，经组态以使工件通过轨条之间；以及指状物，由支架突出一段距离。指状物经组态以配置于用于工件的载具上。工件可以是太阳能电池且可在输送带上通过所述轨条。当工件承载至载具中时，工件对准装置可移动以将工件对准。
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公开(公告)号：CN105874557A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071772.2
申请日：2014-11-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01J37/147 , G02B27/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/1471 , H01J2237/047 , H01J2237/2485 , H01J2237/30472
Abstract: 一种系统包含：第一电极，用于接收离子束；第二电极，用于接收穿过第一电极之后的离子束，其中第一电极与第二电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定上游间隙；第三电极，用于接收穿过第二电极之后的离子束，其中第二电极与第三电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定下游间隙，第二电极具有两个凹面或两个凸面；以及电压供应系统，用于独立地将电压信号供应到第一电极、第二电极和第三电极，其中电压信号随着离子束穿过第一电极、第二电极和第三电极而将离子束加速和减速。
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公开(公告)号：CN105849888A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071549.8
申请日：2014-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01B12/06 , H01B13/30 , H01L39/143 , H01L39/16 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01L39/2464 , H01L39/249 , H02H9/023
Abstract: 一种积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述中间层上的定向超导体层，和安置于所述定向超导体层的一部分上的导电带。所述导电带可在其下方界定所述定向超导体层的超导体区，和邻近于所述超导体区的所述定向超导体层的暴露区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105849852A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070125.X
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J2237/3365
Abstract: 处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。
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公开(公告)号：CN104081492B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201380006416.8
申请日：2013-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种电浆产生装置，其容许在E及H操作模式之间的切换，以及也增加RF电源对电浆的耦合效率。此装置可藉由对于特定功率输出约1.25-1.65的因子来增加电浆密度。由于其高效率，因而可同时减免其冷却天线的需求。使用增加对特定体积的总表面积的新式的天线几何形状，藉以利用与RF电流相关的表面效应。在一些实施例中，具有单一循环的天线减少邻近效应。天线亦可嵌入于亚铁盐材料，藉以更进一步增进其效能。
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公开(公告)号：CN105594084A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480055001.4
申请日：2014-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 可赛格·D·特拉斯狄克 , 卡尔斯·L·史坦利
IPC: H02H9/02
CPC classification number: H02H9/005 , H01H71/10 , H01H71/2409 , H01H71/2463 , H01H83/02 , H02H9/021
Abstract: 一种包含快速开关故障电流限制器(FSFCL)以及电压控制电抗器(VCR)的故障电流限制器电路，所述故障电流限制器电路可操作以在稳态操作期间传导负载电流并且在负载电流超出故障电流限制时限制负载电流。快速开关故障电流限制器可以包含具有电触点的断路器、电耦合到断路器电触点的线圈、机械耦合到断路器电触点的柱塞、并联电压控制(VCR)、瞬态过电压控制电路(TOCC)，其中当高于阈值电平的电流流过线圈时，产生具有能移动柱塞的强度的磁场，柱塞的移动起作用以断开断路器中的触点，并且将故障电流传递到并联电压控制和电压控制电路并且限制总体系统故障电流。
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公开(公告)号：CN105593401A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053311.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。
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公开(公告)号：CN105580141A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480048369.8
申请日：2014-07-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安德鲁·M·怀特 , 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 拉杰许·普拉撒度
IPC: H01L29/788 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 揭示一种在垂直快闪式元件中掺杂多晶通道的方法。此方法使用多个高能离子布植以在通道的不同深度处掺杂通道。在一些实施例中，此些离子布植是以偏移法线方向的角度进行，使得植入的离子通过周围ONO堆叠的至少一部分。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。
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