公开(公告)号：CN1031911A

公开(公告)日：1989-03-22

申请号：CN88106594

申请日：1988-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/12

CPC classification number: H01L39/247 ,  H01L39/225 ,  H01L39/228 ,  H01L39/249 ,  H01L39/2496 ,  Y10S505/702 ,  Y10S505/706 ,  Y10S505/725

Abstract: 描述了一种约瑟夫森器件的制造方法。在一非导电表面上淀积一层超陶瓷膜，且该局部锝超导的陶瓷膜，以形成分隔两个超导区的势垒膜。这种锝超导是采用离子注入技术将一种锝超导元素加入陶瓷膜而进行的。

公开(公告)号：CN1030158A

公开(公告)日：1989-01-04

申请号：CN88103912

申请日：1988-05-17

Applicant: 信友电气工业株式会社

Inventor： 藤田顺彦 ,  系崎秀夫 ,  田中三郎 ,  藤森直治 ,  今井贵浩 ,  原田敬三 ,  葮田典之 ,  高野悟 ,  宫崎健史 ,  林∴器 ,  矢津修示 ,  上代哲治

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/249 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2464

Abstract: 本发明涉及超导体的制造方法，即通过在复合氧化物材料上照射氧离子束、惰性气体离子束及氧气与惰性气体的混合气体离子束之中的一种离子束，而使上述复合氧化物材料转变为超导体。将上述离子束聚焦、照射在上述复合氧化物材料上，可使复合氧化物材料被照射过的部位形成由超导体组成的超导配线电路。上述复合氧化物材料可以是块状的、或是在基片上形成的薄膜状；离子源可以是RF型、微波及PIC型离子源；原料气可用O2和CO2等。

公开(公告)号：CN1035087C

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN88103912

申请日：1988-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤田顺彦 ,  系崎秀夫 ,  田中三郎 ,  藤森直治 ,  今井贵浩 ,  原田敬三 ,  藤田典之 ,  高野悟 ,  宫崎健史 ,  林器 ,  矢津修示 ,  上代哲司

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/249 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2464

Abstract: 一种制作超导电路图形的方法，其特征在于下列步骤：在基片上淀积开始不显示超导性的复合氧化物材料的薄膜层；向该层所需部位照射聚焦离子束使被照射的部位转变为超导体；在氧离子注入前、中、后对复合氧化物材料进行热处理。所述离子束选自氧离子束、惰性气体离子束以及它们的混合体。所述复合氧化物的结构式为(α1-xβx)CuyOz或D4(E1-q，Cαq)mCunOp+r，其中，α，β分别为IIα或IIIα族元素，而D为Bi或Tl，D为Bi时E为Sr，D为Tl时E为Ba。

公开(公告)号：CN1033122A

公开(公告)日：1989-05-24

申请号：CN88107397

申请日：1988-10-22

Applicant: 吉田博行 ,  跡部三

Inventor： 吉田博行 ,  跡部三

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/249

Abstract: 一种在液氮温度至室温的温度范围内呈现稳定超导性质的超导体，其制法是将具有钙钛矿结构的钇、钪或镧系元素的复合氧化物用一种能导致原子位移的辐射线进行照射，亦即应用一种带电荷的粒子束，例如电子束、质子束、重离子束等等，或是一种不带电荷的粒子束，例如中子束进行照射。

公开(公告)号：CN105849888A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071549.8

申请日：2014-11-10

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 康妮·P·王 ,  保罗·墨菲 ,  保罗·沙利文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01B12/06 ,  H01B13/30 ,  H01L39/143 ,  H01L39/16 ,  H01L39/2458 ,  H01L39/2461 ,  H01L39/2464 ,  H01L39/249 ,  H02H9/023

Abstract: 一种积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述中间层上的定向超导体层，和安置于所述定向超导体层的一部分上的导电带。所述导电带可在其下方界定所述定向超导体层的超导体区，和邻近于所述超导体区的所述定向超导体层的暴露区。

公开(公告)号：CN105308004A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201380070400.3

申请日：2013-01-15

Applicant: 卡尔·亚历克斯·穆勒 ,  亚历山大·申格拉亚

Inventor： 卡尔·亚历克斯·穆勒 ,  亚历山大·申格拉亚 ,  迪米特里·达拉谢利亚 ,  祖拉布·吉布季 ,  大卫·亚帕里泽

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/126 ,  C01G3/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/016 ,  C04B35/4504 ,  C04B35/4508 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/9661 ,  H01B1/08 ,  H01B12/06 ,  H01L39/2419 ,  H01L39/2438 ,  H01L39/2448 ,  H01L39/2451 ,  H01L39/2464 ,  H01L39/249

Abstract: 本发明涉及一种用于陶瓷材料的固态合成的方法，所述陶瓷材料特别地为氧化物材料或铜酸盐，该方法包括如下步骤或由如下步骤组成：提供有效量的起始材料以制造陶瓷材料，并且此后，通过利用在起始材料中的固态反应来对所述材料实施处理，通过具有紫外光的至少一个光源对所述材料进行辐照来执行所述反应。本发明还涉及用于制造薄膜的方法以及涉及该方法用于制造高温超导体的用途。

公开(公告)号：CN1013161B

公开(公告)日：1991-07-10

申请号：CN88106594

申请日：1988-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/12

CPC classification number: H01L39/247 ,  H01L39/225 ,  H01L39/228 ,  H01L39/249 ,  H01L39/2496 ,  Y10S505/702 ,  Y10S505/706 ,  Y10S505/725

Abstract: 描述了一种约瑟夫森器件的制造方法。在一非导电表面上淀积一层超陶瓷膜，且该局部碍超导的陶瓷膜，以形成分隔两个超导区的势垒膜。这种碍超导是采用离子注入技术将一种碍超导元素加入陶瓷膜而进行的。