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公开(公告)号：CN105340072B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201480036122.4
申请日：2014-04-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/677
CPC classification number: B25J13/085 , H01L21/67288 , H01L21/68742 , Y10S901/02
Abstract: 本发明提供一种监测基板提升设备上的力的系统及方法。系统包括具有台及可动提升部分的台匣。可动提升部分包括耦合至多个提升梢的多个提升臂。多个力传感元件分别关联于这些提升臂及这些提升梢。控制器接收来自这些力传感元件的信号，将这些信号联系至分别施加于这些提升梢的力。被联系的力可指示错误状况的存在至控制器，例如被卡住的晶圆、损坏的晶圆、错置的晶圆或机械故障。
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公开(公告)号：CN107851576A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/3053 , C23F4/00 , H01J37/08 , H01J37/1471
Abstract: 在一个实施例中，一种处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。
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公开(公告)号：CN107815728A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结芯片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结芯片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN107810548A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680038069.0
申请日：2016-06-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , G03F7/70708 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 本发明揭示可安置于加热的静电卡盘与基底之间的热屏蔽。热屏蔽包括具有在1密耳与5密耳之间的厚度的热绝缘体，例如聚酰亚胺膜。聚酰亚胺膜在一个侧上涂覆有反射材料层，例如铝。所述反射材料层可在30纳米与100纳米之间。热屏蔽安置成使得所述反射材料层更靠近卡盘。由于所述反射材料层较薄，所以热屏蔽不保持大量热。此外，热屏蔽的温度保持远低于聚酰亚胺膜的玻璃化转变温度。
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公开(公告)号：CN107810547A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680037201.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明揭示一种利用LED加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107787521A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201680036713.0
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 赛门·罗芙尔
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3115 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/26586 , H01L21/283 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31155 , H01L29/1033 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 一种方法包括：提供自基板的基板平面延伸的图案化特征，图案化特征包括半导体部分及处于未硬化状态的涂层，涂层沿顶部区及半导体部分的侧壁区延伸；将第一离子植入至涂层中，第一离子具有沿着基板平面的垂线的第一轨迹，其中第一离子形成沿着顶部区安置的蚀刻硬化部分，蚀刻硬化部分包括硬化状态；以及在涂层处使用第二离子引导反应性蚀刻，第二离子具有相对于垂线形成非零角度的第二轨迹，其中反应性蚀刻以第一蚀刻速率移除蚀刻硬化部分，其中第一蚀刻速率小于当第二离子在反应性蚀刻中被引导至处于未硬化状态的顶部部分时的第二蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN105191042B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201480014603.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 卡尔斯·L·史坦利
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明涉及一种超导错误电流限制器系统。电流限制器系统包括超导错误电流限制器(SCFCL)，此超导错误电流限制器在超导错误电流限制器处于超导状态的正常操作状态期间经操作以传导负载电流。电流限制器系统亦包括分路电抗器以及保护开关。分路电抗器以电性并联方式连接超导错误电流限制器，且在正常操作状态经配置以传导相较于超导错误电流限制器更少的电流。保护开关连接超导错误电流限制器及分路电抗器，并且经配置以在错误电流超过临限电流值之后的错误条件期间将超导错误电流限制器由负载电流路径断开而持续预定时间。
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公开(公告)号：CN107710423A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038035.1
申请日：2016-06-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克拉姆·M·博斯尔 , 提摩太·J·米勒 , 查理斯·T·卡尔森 , 具本雄
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0288 , H05B1/02
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种处理太阳能电池的方法，其中在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。
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公开(公告)号：CN107710395A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038070.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 罗伯特·布然特·宝佩特 , 盖瑞·E·维卡 , 大卫·伯拉尼克 , 杰森·M·夏勒 , 威廉·T·维弗
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H05B3/0047
Abstract: 本发明公开了一种在可保持于真空条件下的室内加热基板的系统。发光二极管基板加热器包括基座，所述基座具有被侧壁环绕的凹陷部。多个发光二极管安置于所述凹陷部内。所述发光二极管可为GaN发光二极管或GaP发光二极管，其发射易于被硅或所述硅上的涂层吸收的波长的光，从而高效且迅速地加热所述基板。透明窗口安置于所述凹陷部上方，从而形成用以在其中安置所述发光二极管的被密封的壳体。密封衬垫可安置于所述侧壁与所述窗口之间。
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公开(公告)号：CN107690689A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
Abstract: 本文中所提供为用于离子植入系统的一或多个构件的原位等离子清洗的方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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