公开(公告)号：CN108475609A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074896.5

申请日：2016-12-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史考特·C·后登 ,  具本雄 ,  布兰特·S·宾斯 ,  理查尔·M·怀特 ,  肯尼士·L·斯塔克斯 ,  艾利克·R·科步

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种具有经改善的温度控制的离子源。离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。

公开(公告)号：CN102113093B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980129797.2

申请日：2009-05-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗傑·B·费许 ,  萨缪尔·M·巴思凯 ,  史考特·C·后登 ,  亚瑟·P·瑞福 ,  史蒂芬·M·恩尔拉

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/26593

Abstract: 本发明揭示一种用于改变平台温度的装置及方法。在一个特定示例实施例中，揭示用于改变平台温度的装置。此装置包括平台以及一个或者多个活动热垫，此一个或者多个活动热垫包括一个或者多个热流体通道，此热流体通道承载被配置为影响平台温度的热流体。

公开(公告)号：CN105340072B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201480036122.4

申请日：2014-04-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 理查·V·起首恩 ,  史考特·E·派滋许 ,  麦可·埃斯波西托 ,  罗伯特·A·波特崔斯 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  丹尼尔·A·哈 ,  史考特·C·后登 ,  罗杰·B·费许

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/677

CPC classification number: B25J13/085 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/68742 ,  Y10S901/02

Abstract: 本发明提供一种监测基板提升设备上的力的系统及方法。系统包括具有台及可动提升部分的台匣。可动提升部分包括耦合至多个提升梢的多个提升臂。多个力传感元件分别关联于这些提升臂及这些提升梢。控制器接收来自这些力传感元件的信号，将这些信号联系至分别施加于这些提升梢的力。被联系的力可指示错误状况的存在至控制器，例如被卡住的晶圆、损坏的晶圆、错置的晶圆或机械故障。

公开(公告)号：CN102113093A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129797.2

申请日：2009-05-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗傑·B·费许 ,  萨缪尔·M·巴思凯 ,  史考特·C·后登 ,  亚瑟·P·瑞福 ,  史蒂芬·M·恩尔拉

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/26593

Abstract: 揭示一种用于改变平台温度的技术。在一个特定示例实施例中，此技术可以被实现为用于改变平台温度的装置。此装置包括平台以及一个或者多个活动热垫，此一个或者多个活动热垫包括一个或者多个热流体通道，此热流体通道承载被配置为影响平台温度的热流体。

公开(公告)号：CN108475609B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201680074896.5

申请日：2016-12-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史考特·C·后登 ,  具本雄 ,  布兰特·S·宾斯 ,  理查尔·M·怀特 ,  肯尼士·L·斯塔克斯 ,  艾利克·R·科步

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种产生离子束的装置。其中具有经改善的温度控制的离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。

公开(公告)号：CN105340072A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480036122.4

申请日：2014-04-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 理查·V·起首恩 ,  史考特·E·派滋许 ,  麦可·埃斯波西托 ,  罗伯特·A·波特崔斯 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  丹尼尔·A·哈 ,  史考特·C·后登 ,  罗杰·B·费许

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/677

CPC classification number: B25J13/085 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/68742 ,  Y10S901/02

Abstract: 一种监测基板提升设备上的力的系统及方法。系统包括具有台及可动提升部分的台匣。可动提升部分包括耦合至多个提升梢的多个提升臂。多个力传感元件分别关联于这些提升臂及这些提升梢。控制器接收来自这些力传感元件的信号，将这些信号联系至分别施加于这些提升梢的力。被联系的力可指示错误状况的存在至控制器，例如被卡住的晶圆、损坏的晶圆、错置的晶圆或机械故障。