公开(公告)号：CN108475609A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074896.5

申请日：2016-12-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史考特·C·后登 ,  具本雄 ,  布兰特·S·宾斯 ,  理查尔·M·怀特 ,  肯尼士·L·斯塔克斯 ,  艾利克·R·科步

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种具有经改善的温度控制的离子源。离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。

公开(公告)号：CN108475609B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201680074896.5

申请日：2016-12-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史考特·C·后登 ,  具本雄 ,  布兰特·S·宾斯 ,  理查尔·M·怀特 ,  肯尼士·L·斯塔克斯 ,  艾利克·R·科步

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种产生离子束的装置。其中具有经改善的温度控制的离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。