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公开(公告)号：CN108780740B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201780016912.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F1/74 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种对衬底进行加工的方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。本发明能够在所期望方向上以所期望的量在衬底内使表面特征偏移，且能够产生原本无法获得的特征尺寸及形状。
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公开(公告)号：CN109791874B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201780058139.3
申请日：2017-09-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种将衬底及设置在其上的层图案化的方法以及一种形成器件结构的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。本发明提供优点在于在不增大多个凹陷特征的长度的同时增大所述多个凹陷特征的宽度的能力以及在衬底层内形成复杂二维形状的能力，从而能够忠实地产生目标形状结构。
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公开(公告)号：CN114975106A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210535376.7
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , G03F7/20
Abstract: 一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
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公开(公告)号：CN104380492A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380033033.X
申请日：2013-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 丝特芬·舍曼 , 约翰·J·哈塔拉 , 赛门·罗芙尔
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 一种形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
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公开(公告)号：CN107787521A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201680036713.0
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 赛门·罗芙尔
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3115 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/26586 , H01L21/283 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31155 , H01L29/1033 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 一种方法包括：提供自基板的基板平面延伸的图案化特征，图案化特征包括半导体部分及处于未硬化状态的涂层，涂层沿顶部区及半导体部分的侧壁区延伸；将第一离子植入至涂层中，第一离子具有沿着基板平面的垂线的第一轨迹，其中第一离子形成沿着顶部区安置的蚀刻硬化部分，蚀刻硬化部分包括硬化状态；以及在涂层处使用第二离子引导反应性蚀刻，第二离子具有相对于垂线形成非零角度的第二轨迹，其中反应性蚀刻以第一蚀刻速率移除蚀刻硬化部分，其中第一蚀刻速率小于当第二离子在反应性蚀刻中被引导至处于未硬化状态的顶部部分时的第二蚀刻速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924818B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201680048977.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L29/06 , G03F7/20 , H01L21/265
Abstract: 一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
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公开(公告)号：CN111819678A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。
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公开(公告)号：CN111819678B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 提供一种衬底总成、衬底支架总成及处理设备。所述衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合到所述外部晕圈以在其中容置衬底。
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公开(公告)号：CN109791874A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058139.3
申请日：2017-09-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。
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公开(公告)号：CN108780740A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016912.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F1/74 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01L21/0337 , H01L21/3085 , H01L21/31144 , H01L21/76879 , H01L21/76883
Abstract: 本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
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