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公开(公告)号：CN107112187B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201580068755.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 凯文·安葛林 , D·杰弗里·里斯查尔 , 威廉·T·维弗 , 杰森·M·夏勒 , 罗伯特·布仁特·宝佩特
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开一种工件处理系统以及处理工件的方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。本发明实施例在处理期间选择性地及动态地加热工件的多个部分以利用特定半导体制造工艺的温度敏感性。
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公开(公告)号：CN107710390A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036425.5
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/28506 , H01J2237/30433 , H01J2237/31 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。
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公开(公告)号：CN111819678B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 提供一种衬底总成、衬底支架总成及处理设备。所述衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合到所述外部晕圈以在其中容置衬底。
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公开(公告)号：CN112185785A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN107075662B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107690689A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
Abstract: 本文中所提供为用于离子植入系统的一或多个构件的原位等离子清洗的方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN112185785B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN112385014A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980045110.0
申请日：2019-07-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/67 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种方法。所述方法可包括提供衬底，衬底包括衬底表面，衬底表面具有三维形状。所述方法还可包括将沉积物种从沉积源引导到衬底表面，其中层沉积在衬底表面的沉积区上。所述方法可包括在进行引导期间或在进行引导之后实行衬底扫描，以将衬底从第一位置输送到第二位置。所述方法还可包括：在存在层的情况下将角度化离子引导到衬底表面，其中从沉积区的第一部分溅射蚀刻层，且其中所述层保留在沉积区的第二部分中。
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公开(公告)号：CN107690689B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
Abstract: 本文提供离子植入系统以及原位等离子清洗方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN107112187A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580068755.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 凯文·安葛林 , D·杰弗里·里斯查尔 , 威廉·T·维弗 , 杰森·M·夏勒 , 罗伯特·布仁特·宝佩特
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67115 , H01J37/3171 , H01L21/6776 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开一种用以在处理期间动态加热工件的系统及方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。
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