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公开(公告)号：CN107466423A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201680021719.0
申请日：2016-04-05
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , 阿拉·莫瑞迪亚 , D·杰弗里·里斯查尔 , 葛列格里·D·斯罗森
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , H01L21/68735
摘要： 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡钳。静电卡钳包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡钳提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡钳的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡钳的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
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公开(公告)号：CN107466423B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201680021719.0
申请日：2016-04-05
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , 阿拉·莫瑞迪亚 , D·杰弗里·里斯查尔 , 葛列格里·D·斯罗森
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡盘。静电卡盘包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡盘提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡盘的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡盘的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
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公开(公告)号：CN103988290A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280059757.7
申请日：2012-11-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： B65G49/00 , B65G47/918 , B65G49/061 , B65G2203/041 , H01L21/67213 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L21/67754
摘要： 此工件处理系统的一实施例包括输送带与加载互锁区，第一交换机械臂在建造台与加载互锁区之间持有并传送工件，支架机械臂在每个输送带与第一交换机械臂之间传送工件。在一实例中，利用支架机械臂，将已加工工件从第一交换机械臂传送至第一输送带，并将未加工工件从第二输送带传送至第一交换机械臂。第二交换机械臂可与第一交换机械臂一起用来从加载互锁区负载并卸载工件。
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公开(公告)号：CN107810547A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680037201.6
申请日：2016-06-24
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 本发明揭示一种利用LED加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
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公开(公告)号：CN107710395A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038070.3
申请日：2016-06-24
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 罗伯特·布然特·宝佩特 , 盖瑞·E·维卡 , 大卫·伯拉尼克 , 杰森·M·夏勒 , 威廉·T·维弗
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H05B3/0047
摘要： 本发明公开了一种在可保持于真空条件下的室内加热基板的系统。发光二极管基板加热器包括基座，所述基座具有被侧壁环绕的凹陷部。多个发光二极管安置于所述凹陷部内。所述发光二极管可为GaN发光二极管或GaP发光二极管，其发射易于被硅或所述硅上的涂层吸收的波长的光，从而高效且迅速地加热所述基板。透明窗口安置于所述凹陷部上方，从而形成用以在其中安置所述发光二极管的被密封的壳体。密封衬垫可安置于所述侧壁与所述窗口之间。
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公开(公告)号：CN104781051A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380059151.8
申请日：2013-09-10
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 杰森·M·夏勒 , 罗伯特·布然特·宝佩特 , 詹姆斯·R·麦克廉
IPC分类号： B25J9/16
CPC分类号： G05B19/4086 , B25J9/1692 , B25J9/1697 , G05B2219/39016 , G05B2219/39022 , G05B2219/40607
摘要： 一种机器人校正方法，将支架模组的坐标系统对准到摄影机系统的坐标系统。所述方法包括：使用对准工具，所述对准工具允许操作员放置工件在支架模组的已知位置。接着由摄影机系统获取这些工件的影像。控制器使用从支架模组及摄影机系统得到的信息，以决定两个坐标系统之间的关系。接着控制器决定一变换方程式，以从一坐标系统转换到另一个坐标系统。
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公开(公告)号：CN107112187B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201580068755.8
申请日：2015-11-18
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 摩根·D·艾文斯 , 凯文·安葛林 , D·杰弗里·里斯查尔 , 威廉·T·维弗 , 杰森·M·夏勒 , 罗伯特·布仁特·宝佩特
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开一种工件处理系统以及处理工件的方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。本发明实施例在处理期间选择性地及动态地加热工件的多个部分以利用特定半导体制造工艺的温度敏感性。
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公开(公告)号：CN103988290B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201280059757.7
申请日：2012-11-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： B65G49/00 , B65G47/918 , B65G49/061 , B65G2203/041 , H01L21/67213 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L21/67754
摘要： 此工件处理系统的一实施例包括输送带与加载互锁区，第一交换机械臂在建造台与加载互锁区之间持有并传送工件，支架机械臂在每个输送带与第一交换机械臂之间传送工件。在一实例中，利用支架机械臂，将已加工工件从第一交换机械臂传送至第一输送带，并将未加工工件从第二输送带传送至第一交换机械臂。第二交换机械臂可与第一交换机械臂一起用来从加载互锁区负载并卸载工件。
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公开(公告)号：CN104798189A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059391.8
申请日：2013-09-10
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： B65G47/52 , B65G43/10 , H01L21/67276 , H01L21/67727
摘要： 本发明揭示一种在工件处理系统中用于处理工件的系统及方法。该系统利用三个输送带，其中一个可为载料皮带，由输送带相关的工件托架供给未处理工件到加工系统。第二输送带可为卸料皮带，由加工系统接收已加工的工件，且填满与第二输送带相关的工件托架。此时，第三输送带可交换输送带的工件托架，一旦所有的工件已经由和第一输送带相关的工件托架移除，第三输送带便可开始操作为载料皮带。
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公开(公告)号：CN107636818B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680026696.2
申请日：2016-04-26
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , D·杰弗里·里斯查尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 威廉·T·维弗 , 罗伯特·布然特·宝佩特
摘要： 一种衬底处理与加热系统。揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。
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