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公开(公告)号：CN111433882A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880077979.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 小尼斯特·E·艾伦 , 泰勒·伯顿·洛克威尔 , 理查德·J·赫尔特 , 约瑟夫·菲德立克·索莫斯 , 克里斯多夫·R·坎贝尔
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种用于在将粒子的产生减至最低程度的同时将离子植入到工件中的系统。所述系统包括离子源，所述离子源具有抽取板，所述抽取板具有抽取开孔。所述抽取板被施加电偏压且还可涂布有介电材料。所述工件设置在台板上且由被施加电偏压的屏蔽件环绕。所述屏蔽件也可涂布有介电材料。在操作中，对所述屏蔽件及所述台板施加脉冲式直流电压，且在此脉冲期间从离子源吸引离子。由于使用了脉冲式电压，因此薄介电涂层的阻抗减小，从而使得所述系统能够恰当运行。
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公开(公告)号：CN110088873B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201780078300.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰伊·R·沃利斯 , 厄尼斯特·E·艾伦 , 理查德·J·赫尔特 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 梁树荣 , 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 泰勒·洛克威尔
IPC: H01J37/32 , H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 公开一种用于离子束装置的气体注入系统及制造其的萃取板的方法。所述气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。
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公开(公告)号：CN101595548A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780050832.2
申请日：2007-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32018 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32642 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 揭示一种在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术。在根据本发明一特定例示实施例中，此技术可实现为等离子式离子注入的装置及方法，例如，射频等离子掺杂(RF－PLAD)。此装置及方法可包括：遮蔽环(244)，其与目标晶片(120)定位于同一平面上并环绕目标晶片(120)的周围，其中遮蔽环包括用于定义出至少一个孔(246)的面积的孔定义装置；法拉第杯(140)，其定位于至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备(142)，其连接法拉第杯，以计算离子剂量率。上述至少一个孔的形状可包括为圆形、弧形、缝状、环状、矩形、三角形以及或椭圆形中的至少一种。孔定义装置可包括硅、碳化硅、碳以及或石墨中的至少一种。
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公开(公告)号：CN111819678B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 提供一种衬底总成、衬底支架总成及处理设备。所述衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合到所述外部晕圈以在其中容置衬底。
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公开(公告)号：CN111433882B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880077979.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 小尼斯特·E·艾伦 , 泰勒·伯顿·洛克威尔 , 理查德·J·赫尔特 , 约瑟夫·菲德立克·索莫斯 , 克里斯多夫·R·坎贝尔
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种用于在将粒子的产生减至最低程度的同时将离子植入到工件中的系统。具体而言，公开一种使用具有介电涂层的构件的工件加工系统。所述系统包括离子源，所述离子源具有抽取板，所述抽取板具有抽取开孔。所述抽取板被施加电偏压且还可涂布有介电材料。所述工件设置在台板上且由被施加电偏压的屏蔽件环绕。所述屏蔽件也可涂布有介电材料。在操作中，对所述屏蔽件及所述台板施加脉冲式直流电压，且在此脉冲期间从离子源吸引离子。由于使用了脉冲式电压，因此薄介电涂层的阻抗减小，从而使得所述系统能够恰当运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110088873A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078300.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰伊·R·沃利斯 , 厄尼斯特·E·艾伦 , 理查德·J·赫尔特 , 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 梁树荣 , 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 泰勒·洛克威尔
IPC: H01J37/32 , H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 一种气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。
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公开(公告)号：CN109417012B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本发明的实施例提供一种处理设备及处理衬底的方法，所述处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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公开(公告)号：CN109923655A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780067250.9
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , G03F1/74
Abstract: 一种设备可包括台板，所述台板对衬底进行保持。衬底平面结构可设置在所述台板的前面。所述衬底平面结构中具有开口。所述设备还可包括可拆卸的结构，所述可拆卸的结构设置在所述衬底平面结构的所述开口中。所述可拆卸的结构可具有开口，所述可拆卸的结构的所述开口暴露出所述台板的表面。
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公开(公告)号：CN109923655B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201780067250.9
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , G03F1/74
Abstract: 一种离子束设备可包括台板，所述台板对衬底进行保持。衬底平面结构可设置在所述台板的前面。所述衬底平面结构中具有开口。所述设备还可包括可拆卸的结构，所述可拆卸的结构设置在所述衬底平面结构的所述开口中。所述可拆卸的结构可具有开口，所述可拆卸的结构的所述开口暴露出所述台板的表面。本公开的离子束设备可有利于直接进行维修。
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公开(公告)号：CN111819678A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。
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