公开(公告)号：CN111433882B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201880077979.9

申请日：2018-10-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  小尼斯特·E·艾伦 ,  泰勒·伯顿·洛克威尔 ,  理查德·J·赫尔特 ,  约瑟夫·菲德立克·索莫斯 ,  克里斯多夫·R·坎贝尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开一种用于在将粒子的产生减至最低程度的同时将离子植入到工件中的系统。具体而言，公开一种使用具有介电涂层的构件的工件加工系统。所述系统包括离子源，所述离子源具有抽取板，所述抽取板具有抽取开孔。所述抽取板被施加电偏压且还可涂布有介电材料。所述工件设置在台板上且由被施加电偏压的屏蔽件环绕。所述屏蔽件也可涂布有介电材料。在操作中，对所述屏蔽件及所述台板施加脉冲式直流电压，且在此脉冲期间从离子源吸引离子。由于使用了脉冲式电压，因此薄介电涂层的阻抗减小，从而使得所述系统能够恰当运行。

公开(公告)号：CN111433882A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880077979.9

申请日：2018-10-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  小尼斯特·E·艾伦 ,  泰勒·伯顿·洛克威尔 ,  理查德·J·赫尔特 ,  约瑟夫·菲德立克·索莫斯 ,  克里斯多夫·R·坎贝尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开一种用于在将粒子的产生减至最低程度的同时将离子植入到工件中的系统。所述系统包括离子源，所述离子源具有抽取板，所述抽取板具有抽取开孔。所述抽取板被施加电偏压且还可涂布有介电材料。所述工件设置在台板上且由被施加电偏压的屏蔽件环绕。所述屏蔽件也可涂布有介电材料。在操作中，对所述屏蔽件及所述台板施加脉冲式直流电压，且在此脉冲期间从离子源吸引离子。由于使用了脉冲式电压，因此薄介电涂层的阻抗减小，从而使得所述系统能够恰当运行。