公开(公告)号：CN107710390A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680036425.5

申请日：2016-06-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  萝丝·班迪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/28506 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。

公开(公告)号：CN107710390B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680036425.5

申请日：2016-06-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  萝丝·班迪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。本发明通过测量离子束的随离子束位置而变的实际处理速率剖面，可实现对工件的经改善处理。