公开(公告)号：CN104380492B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201380033033.X

申请日：2013-04-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 ,  丝特芬·舍曼 ,  约翰·J·哈塔拉 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L43/12 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁性存储器以及制造方法。形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。

公开(公告)号：CN104380492A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033033.X

申请日：2013-04-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 ,  丝特芬·舍曼 ,  约翰·J·哈塔拉 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L43/12 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

Abstract: 一种形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。