公开(公告)号：CN109791874A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780058139.3

申请日：2017-09-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 丝特芬·R·舍曼 ,  约翰·哈塔拉 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。

公开(公告)号：CN109791874B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201780058139.3

申请日：2017-09-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 丝特芬·R·舍曼 ,  约翰·哈塔拉 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种将衬底及设置在其上的层图案化的方法以及一种形成器件结构的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。本发明提供优点在于在不增大多个凹陷特征的长度的同时增大所述多个凹陷特征的宽度的能力以及在衬底层内形成复杂二维形状的能力，从而能够忠实地产生目标形状结构。