公开(公告)号：CN108780740B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201780016912.X

申请日：2017-03-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛门·罗芙尔 ,  戴辉雄 ,  郎军 ,  约翰·哈塔拉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  G03F1/74 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种对衬底进行加工的方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。本发明能够在所期望方向上以所期望的量在衬底内使表面特征偏移，且能够产生原本无法获得的特征尺寸及形状。

公开(公告)号：CN108780740A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016912.X

申请日：2017-03-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛门·罗芙尔 ,  戴辉雄 ,  郎军 ,  约翰·哈塔拉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  G03F1/74 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。