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公开(公告)号：CN107924805A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049111.9
申请日：2016-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种离子束装置的气体喷射系统，所述气体喷射系统包括：提取板；提取孔，形成于提取板中以使离子束能够通过；第一气体分配器，可移除地固定至提取孔的第一侧上的提取板，第一气体分配器中形成有气体孔口；第二气体分配器，可移除地固定至提取孔的与第一侧相对的第二侧上的提取板，第二气体分配器中形成有气体孔口；第一气体导管，在第一气体分配器与安装至提取板的气体歧管之间延伸贯穿提取板；及第二气体导管，在第二气体分配器气体歧管之间延伸贯穿提取板；以及被连接至气体歧管的残留物移除气体源。
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公开(公告)号：CN107924805B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201680049111.9
申请日：2016-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种离子束装置的气体喷射系统，所述气体喷射系统包括：提取板；提取孔，形成于提取板中以使离子束能够通过；第一气体分配器，可移除地固定至提取孔的第一侧上的提取板，第一气体分配器中形成有气体孔口；第二气体分配器，可移除地固定至提取孔的与第一侧相对的第二侧上的提取板，第二气体分配器中形成有气体孔口；第一气体导管，在第一气体分配器与安装至提取板的气体歧管之间延伸贯穿提取板；及第二气体导管，在第二气体分配器与气体歧管之间延伸贯穿提取板；以及被连接至气体歧管的残留物移除气体源。本发明也提供一种对衬底施加残留物移除气体的方法。
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公开(公告)号：CN107429408A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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公开(公告)号：CN107851576B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种处理衬底的设备，可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。本发明还提供一种处理衬底的系统及方法。本发明的处理衬底的设备能够实行对非挥发性金属的蚀刻以形成经图案化特征，同时避免或减少经蚀刻材料在经图案化特征上的再沉积。
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公开(公告)号：CN107429408B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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公开(公告)号：CN107851576A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/3053 , C23F4/00 , H01J37/08 , H01J37/1471
Abstract: 在一个实施例中，一种处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。
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