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11.

发明公开
半导体封装无效

公开(公告)号：CN107527877A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710434027.5

申请日：2017-06-09

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 周哲雅 , 洪坤廷 , 杨家豪 , 陈南诚

IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/065

CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/06135 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/49052 , H01L2224/49109 , H01L2224/49112 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2924/1433 , H01L2924/1436 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体封装，该半导体封装纳入了一中介层。其中，该半导体封装包括：载体基板，具有相对的第一表面和第二表面；以及芯片堆叠，设置于该载体基板的该第一表面上；其中，该芯片堆叠包括：第一半导体晶粒，第二半导体晶粒和位于该第一和第二半导体晶粒之间的中介层；其中，该中介层用于传送该第一和第二半导体晶粒之间的信号。

12.

发明授权
用于限制非镜像电流的方法及其电路有权

公开(公告)号：CN101946412B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN200880127191.0

申请日：2008-03-10

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 保罗·米格里瓦卡

IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/687

CPC分类号： H03K17/0822 , H01L2224/48091 , H01L2224/49112 , H03K17/687 , H01L2924/00014

摘要： 一种用于限制电流流动的电流限制电路和方法。电流限制电路包括具有控制电极和载流电极的晶体管。导线耦合到载流电极之一。比较器的输出通过电荷泵耦合到晶体管的控制电极。比较器的一个输入耦合到晶体管中耦合到导线的载流电极，而比较器的另一输入耦合成接收电压。优选地，导线是键合线。流经导线的电流设定出现在比较器的输入处的输入电压，比较器的该输入耦合到晶体管的载流电极。响应于在比较器的输入处的电压的比较，晶体管保持接通或它被关断。

13.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN101114628B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200710001452.1

申请日：2007-01-08

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 西村隆雄 , 成泽良明

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48475 , H01L2224/48479 , H01L2224/48482 , H01L2224/48487 , H01L2224/48499 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/4899 , H01L2224/48992 , H01L2224/4911 , H01L2224/49112 , H01L2224/4917 , H01L2224/49426 , H01L2224/49429 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85186 , H01L2224/85191 , H01L2224/85205 , H01L2224/85206 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/30105 , H01L2224/85181 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48455 , H01L2224/4554

摘要： 本发明提供一种小且高性能的半导体器件及该半导体器件的有效制造方法，在该半导体器件中防止了相邻导线的接触，从而提高了设计线路配置图的灵活性。本发明的半导体器件包括：基板(10)，其表面上设置有电极(21A)；以及第一半导体元件(11A)，包括设置在其表面上的电极(22)，并且该第一半导体元件(11A)由该基板(10)支撑，其中，第一导线(41)通过第一凸块(31)连接到该基板(10)和该第一半导体元件(11A)的上方的所述电极中的至少一个电极(即电极(21)和电极(22)中的至少一个)，并且第二导线(42)通过第二凸块(32)连接到第一导线(41)的焊接部分。

14.

发明公开
电子电路有权

公开(公告)号：CN102934348A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180026251.1

申请日：2011-05-27

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 奥村启树

IPC分类号： H02M7/5387 , H02M3/155 , H02M7/48

CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/3121 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/73 , H01L29/1608 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06515 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/49112 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种电子电路，其包含：双极性器件；与上述双极性器件并联地连接的单极性器件；以及，与上述双极性器件及单极性器件连接的输出线。上述单极性器件和上述输出线之间的电感比上述双极性器件和上述输出线之间的电感小。

15.

发明公开
用于限制非镜像电流的方法及其电路有权

公开(公告)号：CN101946412A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880127191.0

申请日：2008-03-10

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 保罗·米格里瓦卡

IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/687

CPC分类号： H03K17/0822 , H01L2224/48091 , H01L2224/49112 , H03K17/687 , H01L2924/00014

摘要： 一种用于限制电流流动的电流限制电路和方法。电流限制电路包括具有控制电极和载流电极的晶体管。导线耦合到载流电极之一。比较器的输出通过电荷泵耦合到晶体管的控制电极。比较器的一个输入耦合到晶体管中耦合到导线的载流电极，而比较器的另一输入耦合成接收电压。优选地，导线是键合线。流经导线的电流设定出现在比较器的输入处的输入电压，比较器的该输入耦合到晶体管的载流电极。响应于在比较器的输入处的电压的比较，晶体管保持接通或它被关断。

16.

发明授权
半导体器件及制备方法失效

公开(公告)号：CN101256966B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710196796.2

申请日：2007-12-10

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 杰·A·尤德 , 乔斯弗·K·弗蒂 , 詹姆斯·P·莱特曼

IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/58 , H01L21/56 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31

CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/495 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/73153 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/8388 , H01L2224/85 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/07025 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一种包括两个堆叠的半导体芯片的半导体器件及制备方法。具有包括引线框导线和腔的有效区域的引线框装配至诸如胶带的载体材料。包括装配至载体结构并封装在模压复合物中的第一半导体芯片的封装的半导体芯片装配在胶带上。第二半导体芯片装配至封装的半导体芯片。第二半导体芯片上的接合焊盘电连接至引线框、装配有第一半导体芯片的载体结构，或两者。模压复合物在第二半导体芯片、引线框的一部分以及封装的半导体芯片周围形成。胶带被除去且引线框被分割以形成多芯片封装。

17.

发明授权
芯片级集成射频无源器件、其制造方法及含有其的系统失效

公开(公告)号：CN101336477B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200680052387.9

申请日：2006-03-06

申请人： 英特尔公司

发明人： X·曾 , 何江奇 , B·徐

IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/08 , H01L23/66

CPC分类号： H01L23/645 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49112 , H01L2224/49426 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一种芯片封装包括设置于该芯片封装中管芯背侧表面上的电介质层下方的射频无源器件层。管芯有源表面和射频无源器件层之间的感应环路较小，因为任何射频无源器件都直接位于管芯占地区的下方。一种组合射频无源器件层的方法包括管芯级和板级射频无源器件层。一种计算系统包括芯片封装中的射频无源器件层。

18.

发明公开
用于一无线通信系统的芯片及发射机无效

公开(公告)号：CN101826497A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910118558.9

申请日：2009-03-04

申请人： 雷凌科技股份有限公司

发明人： 赖孟祥

IPC分类号： H01L23/49 , H04B1/04 , H04B1/28

CPC分类号： H01L2224/05554 , H01L2224/48145 , H01L2224/49 , H01L2224/49112 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 用于一无线通信系统的芯片及发射机。该芯片包含有一壳体；一芯片区，形成于该壳体内，用来布局一运算电路；一接合点，形成于该芯片区中，用来输出一信号；一第一针脚，形成于该壳体上，用来输出该信号；一第一导线，电性连接于该接合点与该第一针脚之间；一第二针脚，形成于该壳体上；一电容，其一端电性连接于该第二针脚，另一端电性连接于一地端；以及一第二导线，电性连接于该接合点与该第二针脚之间。