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公开(公告)号：CN102223096B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110173719.1
申请日：2011-06-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明公开了一种双电平逆变器死区效应仿真建模装置及其方法，包括开关函数模块、逆变桥模块和开关管、续流二极管与直流环电流模块，开关函数模块的输入为开关管的门极触发脉冲，开关函数模块分别与逆变桥模块，以及开关管、续流二极管与直流环电流模块相连，逆变桥模块输出逆变器各相的电压，开关管、续流二极管与直流环电流模块输出逆变器各相的电流。该装置及其方法可实现实时仿真系统中逆变器与电机模型的解耦，建立了带死区效应的开关函数双电平逆变器模型，解决了仿真速度慢、解算不准确的技术问题。
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公开(公告)号：CN102148169B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110000505.4
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN102158167A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110060424.3
申请日：2011-03-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02P21/14
Abstract: 本发明公开了一种电压空间矢量调制方法，包括以下步骤：S101：取参考电压矢量的标幺值其中，为标幺化后的幅值，θ是角度；S102：根据参考电压矢量的标幺值计算出参考电压矢量的d，q分量Vd、Vq；S103：根据判定参考电压矢量所在的扇区k；S108：根据Vd、Vq由相应K值所选择的公式计算PWM比较值。该发明所描述的技术方案广泛应用于工业交流传动系统，所涉及的无理数计算次数少，只需通过简单的四则运算就可以计算出各相所需的PWM定时器周期值，而且算法形式极其简洁，非常便于计算机实现。
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公开(公告)号：CN101505111B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910118197.8
申请日：2009-03-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种三电平空间矢量的过调制方法及系统。所述方法包括：计算参考电压调制比和角度；将调制比分为第一设定区间和第二设定区间；调制比位于第一设定区间，按参考电压角度分区间计算短矢量、长矢量和中矢量占空比；按短矢量占空比大小分别对短矢量、长矢量和中矢量占空比进行修正；根据修正后的占空比计算每相N作用占空比和P作用占空比；调制比位于第二设定区间，计算参考电压保持角；根据保持角与参考电压角度的比较结果分区间计算每相N作用占空比和P作用占空比；将所述每相N作用占空比和P作用占空比换算为作用时间映射回原扇区。采用本发明所述方法及系统，能够使SVPWM过调制计算步骤简单，调制精度更高。
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公开(公告)号：CN100568705C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810131224.0
申请日：2008-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明一种基于空间矢量的闭环同步调制方法，包括：获取参考电压、直流侧电压Vdc、基波角频率ωs；计算调制比m；计算参考电压经过的角度Δθ和参考电压调制的角度θm；由所述参考电压经过的角度Δθ、调制的角度θm和调制比m计算脉冲序列输出的角度；将基波角频率ωs随时间积分的角度θs的变化量Δθs与所述脉冲序列输出的角度比较；根据比较结果输出脉冲序列。本发明直接以角度为基准，用一个稳定量代替一个包含谐波和噪声的量，避免了闭环系统中谐波和噪声造成的同步调制性能下降，保证同步调制更准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100557943C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810111288.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02P21/00
CPC classification number: H02P27/12
Abstract: 本发明提供一种基于空间矢量的同步调制方法，采样参考电压矢量的频率f；由所述频率f查频率与载波比的关系表，得到载波比N；由Δθ＝2π/N获得所述参考电压矢量经过的角度Δθ；由θm＝(Nth-1)×Δθ获得参考电压矢量调制的角度θm，Nth表示第几次采样；根据调制比-频率曲线得到调制比m；由参考电压矢量调制的角度θm、经过的角度Δθ和调制比m计算合成所述参考电压矢量的三个基本电压矢量的输出角度；将所述参考电压矢量角度θ的变化量Δθf与所述三个基本电压矢量的输出角度比较，根据比较结果输出相应的基本电压矢量。本发明直接以角度为基准，避免了将角度换算成时间来计算，减少了计算步骤，在参考电压频率f动态变化时，准确地保持同步调制角度。
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公开(公告)号：CN101442290A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200910001202.7
申请日：2009-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02P27/12
Abstract: 本发明一种二电平空间矢量脉冲宽度调制的过调制方法，包括：由参考电压矢量和直流母线电压获得调制比；将调制比分为第一设定区间和第二设定区间；当调制比位于第一设定区间时，计算零矢量和有效矢量的作用时间；当零矢量的作用时间大于零时，计算补偿系数，根据补偿系数计算补偿后的零矢量和有效矢量的作用时间；当零矢量的作用时间小于或等于零时，零矢量不作用，计算有效矢量的作用时间；当调制比位于第二设定区间时，计算保持角；将保持角与参考电压矢量的相角进行比较，根据比较结果分区间计算有效矢量的作用时间；由所述作用时间进行过调制。本发明计算简便，便于工程实现，提高SVPWM的精度，使输出电压与参考电压矢量的相对误差减小。
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公开(公告)号：CN101330271A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810131224.0
申请日：2008-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明一种基于空间矢量的闭环同步调制方法，包括：获取参考电压、直流侧电压Vdc、基波角频率ωs；计算调制比m；计算参考电压经过的角度Δθ和参考电压调制的角度θm；由所述参考电压经过的角度Δθ、调制的角度θm和调制比m计算脉冲序列输出的角度；将基波角频率ωs随时间积分的角度θs的变化量Δθs与所述脉冲序列输出的角度比较；根据比较结果输出脉冲序列。本发明直接以角度为基准，用一个稳定量代替一个包含谐波和噪声的量，避免了闭环系统中谐波和噪声造成的同步调制性能下降，保证同步调制更准确。
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公开(公告)号：CN105405749B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510730587.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
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公开(公告)号：CN104282765B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410619955.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。
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