公开(公告)号：CN104813444A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380053240.1

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/08 ,  C23C16/50

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN115088064A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180013702.1

申请日：2021-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尹炳勋 ,  吴立其 ,  李靖珠 ,  吴凯 ,  岑羲 ,  雷伟 ,  柳尚澔 ,  赛沙德利·甘古利

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 讨论了沉积金属膜的方法。金属膜形成在具有金属底部及电介质侧壁的特征的底部上。金属膜的形成包含：在将基板维持在沉积温度下的同时，暴露于金属前驱物及烷基卤化物催化剂。所述金属前驱物具有高于沉积温度的分解温度。所述烷基卤化物包含碳及卤素，且所述卤素包含溴或碘。

公开(公告)号：CN106133878B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201580018220.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  柳尚澔 ,  大东和也 ,  朴基振 ,  吴凯 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。

公开(公告)号：CN109983155A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780058629.3

申请日：2017-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  维卡什·班西埃 ,  柳尚澔 ,  张镁 ,  马飞跃

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/14

Abstract: 藉由将表面暴露于包括氩气或氢气之一或更多者的预清洁等离子体继之以沉积，相对于第二表面(例如，介电表面)于第一表面(例如，金属表面)上选择性地沉积膜的方法。第一表面和第二表面可为实质上共面的。所沉积膜的选择性相对于在暴露于预清洁等离子体之前的基板可增加一个数量级。

公开(公告)号：CN108538715A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810259666.7

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN105453230A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043646.6

申请日：2014-07-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  柳尚澔

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76877

Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及用于使用气相沉积工艺在基板上形成钨材料的方法。该方法包括以下步骤：将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中；通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在特征之上沉积第一钨膜来沉积整体钨层的第一膜；通过将此第一膜暴露于卤化钨化合物及经活化的处理气体的连续流使用等离子体处理来蚀刻整体钨层的第一膜，以移除第一膜的部分；及通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在第一钨膜之上沉积第二钨膜来沉积整体钨层的第二膜。

公开(公告)号：CN115210862A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180009152.6

申请日：2021-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈璐 ,  赛沙德利·甘古利 ,  柳尚澔 ,  陈枫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 本公开内容的多个实施方式涉及用于形成阻挡层的方法和材料，该阻挡层具有增进的阻挡性能和/或降低的过孔电阻。本公开内容的一些实施方式提供用于通过将金属表面暴露于金属络合物来钝化该金属表面的方法，该金属络合物包含有机配体，该有机配体具有至少三个碳原子和与中心金属原子η键结的双键或三键。一些实施方式提供过孔内的阻挡层，而实现了至少25％的电阻降低，这是由于具有等效阻挡性质的更薄的阻挡层所造成。

公开(公告)号：CN112335021A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980042226.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 柳尚澔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  尹炳勋 ,  陈伟民

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/324

Abstract: 论述了沉积具有高纯度的金属膜的方法。一些实施方式利用包含烷基卤化物及金属前驱物的热ALD工艺。一些实施方式优先于介电表面而在金属表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式优先于金属表面而在介电表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式沉积具有在原子基础上大于99％的金属原子的金属膜。

公开(公告)号：CN111244093A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911122441.8

申请日：2019-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 康宋坤 ,  李智勇 ,  柳尚澔 ,  陈世忠 ,  杰弗里·W·安西斯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层，其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。

公开(公告)号：CN110582845A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880028696.5

申请日：2018-07-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马伯方 ,  赛沙德利·甘古利 ,  陈世忠 ,  拉杰什·沙西亚那拉亚南 ,  阿达西·巴苏 ,  董琳 ,  吉田尚美 ,  柳尚澔 ,  吴立其

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。