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公开(公告)号：CN104685610A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050387.5
申请日：2013-09-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02041 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/02057 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本文描述用于处理基板的方法。所述方法可包括将含硅基板定位于处理腔室中，在偏压基板的同时将等离子体递送至基板的表面，将基板的表面暴露于氟化铵(NH4F)，及将基板退火至第一温度以升华一或多种挥发性副产物。
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公开(公告)号：CN103824746A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410050265.2
申请日：2009-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。
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公开(公告)号：CN101437981B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200580043491.7
申请日：2005-12-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/32541 , H01L21/28247 , H01L21/67069 , H01L29/665
Abstract: 本发明提供一种用于清洁处理反应室的方法与设备，此方法包含阻挡冷却流体流入位于处理反应室内的支持构件的通道中；升高支持构件至距离气体分配盘约0.1英寸以内；加热气体分配盘；以及导入热传导气体通过气体分配盘而进入处理反应室中。在一个方面中，反应室包含反应室主体与支持组件，此支持组件至少部分设置在反应室主体内且用于支撑该支持组件上的基板于该支持组件上。反应室另包含盖组件，设置在反应室主体的上表面。盖组件包含顶板与气体输送组件，此二者之间定义出等离子体腔室，其中此气体输送组件是用以加热基板。具有U型等离子体区域的远程等离子体源是连接至此气体输送组件上。
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公开(公告)号：CN105390381B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510688559.2
申请日：2011-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/8238 , C23C16/06 , C23C16/32 , C23C16/42 , C23C16/455
Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。
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公开(公告)号：CN103443906A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280010294.5
申请日：2012-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张梅 , 灵·坦 , 郑波 , 阿尔温德·孙达雷吉恩 , 约翰·C·福斯特 , 乌梅斯·M·凯尔克 , 穆拉利·K·纳拉辛汉
IPC: H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76829
Abstract: 提供从表面移除氧化物的方法与设备，该表面包含硅与锗至少其中一种。该方法与设备特别适用于从触点结构的金属硅化物层移除原生氧化物。该方法与设备有利地将蚀刻终止层蚀刻工艺与原生氧化物移除工艺两者整合于单一腔室中，而在基板传输工艺期间消除原生氧化物的生长或其他污染物的再沉积。此外，该方法与设备亦提供改良的三步骤化学反应工艺，以从金属硅化物层有效移除原生氧化物，而不会不利地改变触点结构的几何形状与形成在触点结构中的沟槽或过孔的临界尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101903984B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200880121936.2
申请日：2008-12-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02068 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/78
Abstract: 本发明描述的实施例提供用于去除基板上的自然氧化物，同时将下方的基板表面予以钝化的方法。在一实施例中，提供一种方法，所述方法包括：将包含氧化物层的基板放置于处理腔室内；调整所述基板的第一温度到约80℃或更小；在所述处理腔室内由气体混合物产生清洁等离子体，其中所述气体混合物包含氨和三氟化氮且NH3/NF3摩尔比例为约10或更高；及使所述清洁等离子体凝结到所述基板上。在等离子体清洁工艺期间，部分地由自然氧化物形成含有六氟硅酸铵的薄膜。所述方法还包括在所述处理腔室内加热所述基板到约100℃或更高的第二温度，同时从所述基板去除所述薄膜且在所述基板上形成钝化表面。
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公开(公告)号：CN102439697A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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公开(公告)号：CN103443906B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280010294.5
申请日：2012-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张梅 , 灵·坦 , 郑波 , 阿尔温德·孙达雷吉恩 , 约翰·C·福斯特 , 乌梅斯·M·凯尔克 , 穆拉利·K·纳拉辛汉
IPC: H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76829
Abstract: 提供从表面移除氧化物的方法与设备，该表面包含硅与锗至少其中一种。该方法与设备特别适用于从触点结构的金属硅化物层移除原生氧化物。该方法与设备有利地将蚀刻终止层蚀刻工艺与原生氧化物移除工艺两者整合于单一腔室中，而在基板传输工艺期间消除原生氧化物的生长或其他污染物的再沉积。此外，该方法与设备亦提供改良的三步骤化学反应工艺，以从金属硅化物层有效移除原生氧化物，而不会不利地改变触点结构的几何形状与形成在触点结构中的沟槽或过孔的临界尺寸。
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公开(公告)号：CN102934203B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180027318.3
申请日：2011-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/45565 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于沉积材料的设备和方法，特别是涉及配置为在等离子体增强工艺期间沉积材料的气相沉积腔室。在一个实施例中，提供用于处理一个或多个基板的腔室。所述腔室主体包括：限定处理空间的腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中并且配置为支撑一个或多个基板；处理盖组件，所述处理盖组件设置在所述基板支撑件上方，其中所述处理盖组件具有等离子体空腔，所述等离子体空腔配置为生成等离子体并且提供一种或多种自由基物种到所述处理空间；耦接气体分配组件的RF（射频）电源；等离子体形成气体源，所述等离子体形成气体源耦接所述处理盖组件；和反应气体源，所述反应气体源耦接所述处理盖组件。
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公开(公告)号：CN102439697B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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