公开(公告)号：CN114981952A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180008308.9

申请日：2021-05-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  姚雅宽 ,  赖一鸣 ,  吴凯 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  凯文·卡舍菲 ,  雷雨 ,  董琳 ,  任河 ,  徐翼 ,  梅裕尔·奈克 ,  陈浩 ,  凌芒芒

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本上不影响电介质表面。还描述了用于实施该方法的处理工具和计算机可读介质。

公开(公告)号：CN107851608B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201680044373.6

申请日：2016-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  曹勇 ,  程亚娜 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。

公开(公告)号：CN107408491A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011676.8

申请日：2016-02-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕德希 ,  S·古格吉拉 ,  A·T·迪莫斯 ,  B·库玛 ,  任河 ,  P·达舍

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。

公开(公告)号：CN105917440A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073342.4

申请日：2014-12-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  C-L·高 ,  S·S·康 ,  J·T·彭德 ,  S·D·耐马尼 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层，所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上；在去除所述电介质块状绝缘层之后，暴露电介质阻挡层的未由所述电介质块状绝缘层的部分；从所述基板中去除所述硬掩模层；以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。

公开(公告)号：CN114981934B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202080092524.1

申请日：2020-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  姜浩 ,  梅裕尔·奈克 ,  候文婷 ,  雷建新 ,  龚晨 ,  曹勇

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C14/16 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述一种形成用于半导体装置的互连结构的方法。方法包含通过物理气相沉积在基板上沉积蚀刻终止层，随后在蚀刻终止层上原位沉积金属层。原位沉积的步骤包含使等离子体处理气体流动到腔室中，和将等离子体处理气体激发成等离子体以在基板上的蚀刻终止层上沉积金属层。基板在沉积工艺期间持续在真空下，且不暴露至周围空气。

公开(公告)号：CN112424909B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201980046439.9

申请日：2019-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 于敏锐 ,  任河 ,  梅裕尔·奈克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 本文揭示了在基板上形成硅化镍材料的方法。所述方法包括在约15℃至约27℃的温度下在基板顶部沉积第一硅化镍种晶层，在400℃或更低，诸如超过350℃的温度下，使第一硅化镍种晶层退火；以及在约15℃至约27℃的温度下，在第一硅化镍种晶层上沉积第二硅化镍层，以形成硅化镍材料。

公开(公告)号：CN117038578A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311053792.4

申请日：2017-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 贝纳切克·梅巴克 ,  肖恩·S·康 ,  基思·塔特森·王 ,  任河 ,  梅裕尔•B•奈克 ,  怡利•Y•叶 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。

公开(公告)号：CN115398617A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180028419.6

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤适 ,  任河 ,  吉田尚美 ,  尼古劳斯·贝基亚里斯 ,  梅裕尔·奈克 ,  马丁·杰·西蒙斯 ,  梁静美 ,  石美仪

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

Abstract: 本文的多个实施方式提供了使用可流动化学气相沉积(FCVD)处理而沉积的低k介电层的基于氧的处理。FCVD沉积的低k介电层的基于氧的处理期望地增加了Ebd到装置的电容和可靠性，同时移除了孔隙。多个实施方式包括用于制造半导体装置的方法和设备，包括：蚀刻设置在基板的顶上的金属层，以形成具有顶表面、第一侧和第二侧的一条或多条金属线；在足以减少或消除与一条或多条金属线的氧接触的条件下，在顶表面、第一侧和第二侧的顶上沉积钝化层；在钝化层的顶上沉积足以覆盖一条或多条金属线的厚度的低k介电材料的可流动层；和在足以退火并增加低k介电材料的密度的条件下，使低k介电材料的可流动层与氧接触。

公开(公告)号：CN115039216A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180010976.5

申请日：2021-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 凯文·卡舍菲 ,  亚历山大·詹森 ,  梅裕尔·奈克 ,  任河 ,  陈璐 ,  陈枫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/285

Abstract: 公开了用于形成反向选择性蚀刻终止层的方法和装置。本公开内容的一些实施方式提供了比利用非选择性(例如，毯覆)蚀刻终止层的方法具有更低电阻的互连件。本公开内容的一些实施方式在减法蚀刻方案中利用反向选择性蚀刻终止层。本公开内容的一些实施方式通过钝化金属材料的表面来选择性地沉积蚀刻终止层。

公开(公告)号：CN114981934A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080092524.1

申请日：2020-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  姜浩 ,  梅裕尔·奈克 ,  候文婷 ,  雷建新 ,  龚晨 ,  曹勇

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C14/16 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述一种形成用于半导体装置的互连结构的方法。方法包含通过物理气相沉积在基板上沉积蚀刻终止层，随后在蚀刻终止层上原位沉积金属层。原位沉积的步骤包含使等离子体处理气体流动到腔室中，和将等离子体处理气体激发成等离子体以在基板上的蚀刻终止层上沉积金属层。基板在沉积工艺期间持续在真空下，且不暴露至周围空气。