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公开(公告)号：CN117286564A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311342747.0
申请日：2023-10-17
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低单晶硅内部气孔尺寸的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在拉晶过程中，通过使用预定表面粗糙度的石英坩埚进行拉晶，在多晶硅料熔化成硅熔体时，减少石英坩埚对氩气、SiO等气体的吸附，以降低吸附的气体以微小的气泡形式在等径过程中进入晶棒中，形成气孔，以降低晶棒内部气孔的尺寸，使得气孔小于30μm。
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公开(公告)号：CN117183119A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311354210.6
申请日：2023-10-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种张紧装置，包括机架、导轨、滑块、传感器、第一气缸和控制器，导轨设置在机架上，滑块安装在导轨上并沿着导轨上下滑动，滑块上设置轴座固定孔以供安装单晶硅硅棒截断机从动轮，传感器的顶端和滑块的下端相连接，第一气缸的气缸轴顶端和传感器的下端相连接，传感器和控制器电性连接以供传感器上端检测的实时张紧力信号发送至控制器，第一气缸的缸筒设置在机架上，第一气缸的进气端设置气泵，气泵和控制器电性连接；控制器根据传感器检测的实时张紧力信号控制气泵工作自动调整滑块的高度将锯带的张紧力维持在预设的张紧力范围内。本发明还公开一种单晶硅硅棒截断机。
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公开(公告)号：CN117139306A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311113321.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶炉清洁方法，涉及单晶炉清洁技术领域，在炉台运行时通过氩气吹扫防止氧化物附着，使得在晶棒生长的环境中，既避免氧化物附着在单晶炉内壁上，又防止氧化物对晶棒造成污染，在炉台停止运行时再对炉台进行全面清扫，使得炉台干净，保障晶体生长环境，确保产品质量。
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公开(公告)号：CN116764337A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772064.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种真空泵前置除尘装置，包括分离仓、引流分离机构；分离仓为内部中空且内径从上至下逐渐增大的筒体，分离仓的内壁上设有集尘板，分离仓的上端设有盖板，分离仓的顶部设有与分离仓内部连通的第一管道，分离仓的下端设有集尘室，在集尘室的底部设有与分离仓内部连通的第二管道，集尘室的底部还设有与分离仓连通的第三管道；引流分离机构沿分离仓的轴线纵向可转动的设置于分离仓的内部，引流分离机构的下端正对第二管道的出口端。本发明可实现分离仓的自动清洁、以及化合物颗粒的自动回收；在此过程中，无需人工再对分离仓进行清理，不仅清理程序简单，而且降低劳动强度、提高了工作效率。本发明还提供了一种单晶炉。
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公开(公告)号：CN115369480B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211168080.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116479517A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310436939.1
申请日：2023-04-21
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
Abstract: 本发明提供用于IGBT的低氧单晶硅的制备方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，当拉制200mm以上直径的晶棒时，在化料步骤中，加热器的发热区的底部与硅溶液的液面位于同一水平线，进行多次加料，当化料结束后，在整个拉晶阶段，调节加热器上升第一预定距离，使得加热器的发热区位于所述硅溶液的液面上方，使得拉晶前期氧含量降低；在加热器上升的过程中，施加水平磁场，并调节水平磁场下降至第二预定距离，使磁场中心位于液面下方，以抑制坩埚底部对流，降低石英坩埚溶解时间，进一步降低氧含量；在等径步骤中，根据石英坩埚的上升速度降低水平磁场的强度，进行拉晶，得到晶棒氧含量小于5ppma，以得到能够用于IGBT所需的硅片。
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公开(公告)号：CN118621427A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410645465.6
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种半导体生长炉晶棒取出设备及方法，包括两个夹持机构、两个夹持机构之间的连接柱、动力机构；夹持机构包括固定环、旋转环、夹紧部、传动部；固定环可允许晶棒穿过，旋转环套转动装于固定环外部，旋转环的内壁与固定环的外壁之间形成夹腔，夹紧部设于固定环内圆面处，传动部设于夹腔内，传动部的一端铰接于旋转环且另一端穿过固定盘并相接于夹紧部；动力机构的输出端分别对应的与两个夹持机构上的旋转环相连接，使动力机构能够带动两个夹持机构上的旋转环同步转动，实现两个夹持机构同时对晶棒的夹紧或释放。在取晶棒时，采用垂直提取方式，受晶棒重力作用，纵向提升力与晶棒轴线处于一条直线，晶棒重心更加稳定，可防止晶棒与单晶炉发生磕碰。
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公开(公告)号：CN118241304A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410373540.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于重掺压力控制的装置及控制方法，属于拉晶电气控制技术领域，一方面，不再通过APC阀进行控制，而是通过对主泵的频率进行控制，进而控制压力，能够得到更高上限的压力控制，并且压力控制稳定，另一方面，通过稳定的压力控制使得炉体内氧化物能够及时被抽走，减少了对单晶生长的不利影响，对于低阻产品得不断开发有了更显著的助力。
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公开(公告)号：CN118207629A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410538090.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供半导体级专用姆合金制备方法，涉及半导体级姆合金硅制备的技术领域，通过使用使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，再将晶棒切割成预定厚度的样片，将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻測定、外观检查，得到姆合金；以在高纯热场下拉制晶棒使得晶棒内的金属含量低，然后控制样片厚度，对样品进行后续处理，降低杂质含量，使得制成的姆合金纯度高，进而姆合金拉制的产品的体金属稳定，电阻分布均匀，不同批次的电阻率均匀，电阻打靶的准确率提高。
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