公开(公告)号：CN103563080B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280024107.9

申请日：2012-05-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  K·K·H·黄 ,  袁骏

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L29/66515 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种器件及器件制造方法包括在电介质衬底中形成（202）掩埋栅电极以及对在所述掩埋栅电极之上的包括高介电常数层、基于碳的半导电层和保护层的叠层进行构图（212）。对形成在所述叠层之上的隔离电介质层进行开口（216）以在与所述叠层相邻的区域中界定凹部。蚀刻所述凹部（218）以形成腔并且去除所述高介电常数层的一部分以在所述掩埋栅电极的相反侧暴露所述基于碳的半导电层。在所述腔中沉积导电材料（224）以形成自对准的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN103688356A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035052.1

申请日：2012-03-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  黄洸汉 ,  袁骏

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L29/42364 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 在替代栅方案中，在栅极腔中的底面和侧壁表面上沉积连续材料层。去除所述连续材料层的垂直部分，以形成其垂直部分不延伸到所述栅极腔的顶部的栅极部件。所述栅极部件可以用作栅极电介质或功函数材料部分以形成增强替代栅场效应晶体管的性能的栅极结构。

公开(公告)号：CN103518255A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022183.6

申请日：2012-02-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 邱馨莹 ,  汉述仁 ,  H·T·毛纳

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7781 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0558

Abstract: 具有由诸如碳纳米管或石墨烯的碳纳米结构形成的沟道并且具有减小沟道的未选通区域中的寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件，以及制造具有用于减小寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件的方法。例如，碳场效应晶体管包括：形成在绝缘层上的包含碳纳米结构的沟道；形成在所述沟道上的栅极结构；共形地覆盖所述栅极结构以及所述沟道的与所述栅极结构邻近的部分的DNA单层；共形地形成在所述DNA单层上的绝缘隔离物；以及通过所述沟道连接的源极接触和漏极接触。

公开(公告)号：CN103107092A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210383534.8

申请日：2012-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  黄洸汉 ,  袁骏

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2822 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种方法，其包括提供具有半导体层并在所述半导体层上设置有绝缘体层的晶片。所述绝缘体层具有在其中设置的开口以暴露所述半导体层的表面，其中每个开口对应于将会成为设置在栅极堆叠下面的半导体层内的晶体管通道的位置。所述方法还包括沉积高介电常数栅极绝缘体层以覆盖所述半导体层的暴露表面和所述绝缘体层的侧面；在高介电常数栅极绝缘体层上面沉积栅极金属层；通过栅极金属层和下面的高介电常数栅极绝缘体层注入碳以在所述半导体层的上部形成碳注入区域，所述碳注入区域具有选定碳浓度以建立所述晶体管的电压阈值。

公开(公告)号：CN102439700A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080014684.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·J·格林尼 ,  M·P·储德泽克 ,  汉述仁 ,  W·K·汉森 ,  梁玥 ,  E·P·马切耶夫斯基 ,  罗明姬 ,  E·J·诺瓦克 ,  余晓军

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。

公开(公告)号：CN110651368B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201880033268.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法尔梅尔 ,  唐建石 ,  J·J·尤尔卡斯 ,  汉述仁

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。

公开(公告)号：CN110637391B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880032135.2

申请日：2018-06-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  阿塞桑电子莎娜依和提卡瑞特有限公司

Inventor： 汉述仁 ,  D·B·法梅 ,  D·吴 ,  H·T·莫内 ,  C·埃克根 ,  E·埃克卡 ,  G·德米西

IPC: H01M12/08 ,  H01M4/133 ,  H01M4/64

Abstract: 电池及其形成方法包括锂阳极、对锂离子和氧具有高溶解度的电解质以及在衬底上形成的薄石墨烯阴极。锂离子从锂阳极穿过电解质迁移，从而在薄石墨烯阴极的表面形成Li2O2。

公开(公告)号：CN104350597B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280061803.7

申请日：2012-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  E·W·基维拉 ,  徐崑庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0605

Abstract: 提供了在相同的CMOS电路中使用不同沟道材料的技术。在一个方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。提供具有在绝缘体上的第一半导体层的晶片。STI被用于将第一半导体层划分为第一有源区和第二有源区域。凹陷在所述第一有源区中的第一半导体层。在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中所述第二半导体层包括具有至少一种Ⅲ族元素和至少一种Ⅴ族元素的材料。使用所述第二半导体层作为用于n-FET的沟道材料在所述第一有源区中形成所述n-FET。使用所述第一半导体层作为p-FET的沟道材料在所述第二有源区中形成所述p-FET。

公开(公告)号：CN103843120B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280048709.8

申请日：2012-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  袁骏 ,  K·K·H·黄 ,  汉述仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种晶体管结构被形成为包含衬底以及位于所述衬底上方的源极、漏极和沟道，所述沟道被垂直地设置在所述源极与所述漏极之间。所述沟道被耦接至栅极导体，所述栅极导体经由栅极电介质材料层围绕所述沟道，所述栅极电介质材料层围绕所述沟道。所述栅极导体由具有第一功函数的第一导电材料和具有第二功函数的第二导电材料构成，所述第一导电材料围绕所述沟道的长度的第一部分，所述第二导电材料围绕所述沟道的长度的第二部分。还公开了一种制造所述晶体管结构的方法。可将所述晶体管结构表征为具有不对称栅极的垂直场效应晶体管。

公开(公告)号：CN103858344B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280026658.9

申请日：2012-05-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈志宏 ,  A·D·富兰克林 ,  汉述仁 ,  J·B·汉拿恩 ,  K·L·萨恩格 ,  G·S·土利维斯盖

IPC: H03H11/46 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7781 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055

Abstract: 提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。