公开(公告)号：CN112204757B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980035755.6

申请日：2019-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法尔梅尔

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体器件包括具有厚度和宽度的条带。所述条带的材料被构造成承载激子以及等离子体激元，并且所述宽度是波导值的反函数，在所述波导值处，所述材料中的等离子体激元的能级基本上等于所述材料中的激子的能级。条带中的等离子体激元和激子的基本相等的能量引起条带中的本征等离子体激元‑激子极化子(IPEP)的激发。第一接触体电耦合到条带上的第一位置，并且第二接触体电耦合到条带上的第二位置。

公开(公告)号：CN110651368B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201880033268.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法尔梅尔 ,  唐建石 ,  J·J·尤尔卡斯 ,  汉述仁

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。

公开(公告)号：CN112204757A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980035755.6

申请日：2019-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法尔梅尔

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体器件包括具有厚度和宽度的条带。所述条带的材料被构造成承载激子以及等离子体激元，并且所述宽度是波导值的反函数，在所述波导值处，所述材料中的等离子体激元的能级基本上等于所述材料中的激子的能级。条带中的等离子体激元和激子的基本相等的能量引起条带中的本征等离子体激元‑激子极化子(IPEP)的激发。第一接触体电耦合到条带上的第一位置，并且第二接触体电耦合到条带上的第二位置。

公开(公告)号：CN110651368A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201880033268.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法尔梅尔 ,  唐建石 ,  J·J·尤尔卡斯 ,  汉述仁

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。